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1、 电子元器件的认识开关电源(SPS)是由众多的元器件构成,因此,要了解开关电源的原理,学会看电路图.首先必须掌握元器件的主要性能,结构,工作原理,电路符号,参数标准方法和质量检测方法,下面将作逐一介绍.一.电阻器电阻器简称电阻,英文 Resistor1.电路符号和外形.(a) (b) (c)(a)国外电阻器电路符号.(b)国内符号.(c)色环电阻外形2.电阻概念:电阻具有阻碍电流的作用.公式 R=U/I 常用单位为欧姆(),千欧(K) 和兆欧(M).1M=10 K=10 3.种类电阻器的种类有:碳膜电阻,金属氧化膜电阻,绕线电阻,贴片电阻, 可调电阻,水泥电阻.4.性能参数(1)标称阻值与允许
2、误差(2)额定功率:指在特定(如温度等)条件下电阻器所能承受的最大功率,当超过此功率,电阻器会过热而烧坏.通用碳膜电阻 Power Rating Curve (Figure 1)(3) 电阻温度系数(4). 工作温度范围Carbon Film :-55-+155Metal Film :-55-+155Metal Oxide Film :-55-+200 Chip Film :-55-+1255.标注方法:(1)直标法(2)色标法色标法是用色环或色点来表示电阻的标称阻值,误差.色环有四道环 和五道环两种.读色环时从电阻器离色环最进的一端读起,在色标法中,色标颜色表示数字如下:颜色 黑 棕 红 橙
3、 黄 绿 蓝 紫 灰 白 金 银数字 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 -1 -2四色环中,第一,二道色环表示标称阻值的有效值,第三道色环表示倍 数,第四道色环表示允许偏差,五色环中,前三道表示有效值,第四到为倍数,第五道为允许误差.精密电阻常用此法.例 1:有一电阻器,色环颜顺序为:棕,黑,橙,银,则阻值为:10X10 10%()6.误差代码Tolerance 1% 2% 2.5% 3% 5% 10% 20%Symbols F G H I J K M7.电阻的分类(1). 碳膜电阻(2). 金属膜电阻 （保险丝电阻）(3). 金属氧化膜电阻(4). 绕线电阻(5). 保险丝二:电容器
4、英文 Capacitor1.电路符号 (a) (b)(a),(b)分别表示为无极性,有极性的电容器的电路符号.2.电容慨念电容器是储存电荷的容器.电容器的容量 C 由下式决定:C=Q/U=S/4d,单位法拉(F).3.种类电容器可分为:陶瓷电容,电解电容,安规电容,贴片电容,塑料电容.4.主要性能参数(1)标准容量及允许偏差(2)额定电压(3)损耗系数 DF 值DF=P 耗/P 总 P 耗为充放电损耗功率, P 总为充放电总能量 .(4)温度系数5.标注方法(1)直标法(2)色标法:类似电阻器之色标法,三色环无偏差表示,单位 PF6. 多层陶瓷电容器电介质分类NPO（COG）一类电介质电气性能
5、最稳定基本上不随温度电压与时间的改变而改变适用于对稳定性要求高的电路X7R(2X1) : 二类电介质电气性能较稳定在温度电压与时间改变时性能变化并不显著适用于隔直,偶合旁路与对容量稳定性要求不太高的全频鉴电路.由于 X7R 是一种强电介质,因而能造出容量比 NPO 介质更大的电容器.Y5V(2F4) : 二类电介质,具有较高的介电常数,常用于生产比容较大的/标称容量较高的大容量电容器产品,但其容量稳定性较 X7R 差,容量/损耗对温度,电压等测试条件较敏感.7. Plastic Film Capacitors(1).Polystyrene Film Capacitor (聚苯乙烯膜電容器)Hi
6、gh precision of capacitance.Low dissipation factor and low ESR.High insulation resistanceHigh stability of capacitance and DF VS temperature and frequency.(2) Polyester Film Capacitor (聚乙烯膜電容器)High moisture resistanceGood solderabilityAvailable on tape and reel for automatic insertionESR is minimize
7、d.(3) Metallized Polyester Film Capacitor (金屬化聚乙烯膜電容器)High moisture resistance.Good solderability.Non-inductive construction and sell-healing property.(4) Polypropylene Film Capacitor (聚丙烯膜電容器)Low dissipation factor and high insulation resistance.High stability of capacitance and DF VS temperature a
8、nd frequency.Low equivalent series resistance.Non-inductive construction8.X 電容9.Y 電容三.电感器(英文 Choke 即线圈)1.电路符号(普通电感无极性)2.主要参数(1)电感量及允许偏差(2)品质因子(Q 值)感抗 xL=WL=2fL Q=2fL/R Q 即为品质因子3.种类可分为固定电感器,带磁心电感线圈,可变电感器四.半导体二极管 (英文 Diode)DIODE Test # Description1 VF Forward voltage2 IR Reverse current leakage3 BVR B
9、reakdown voltage1.电路符号2.单向导电性二极管只能一个方向流过电流,即电能只能从它正极流向负极.在正常情况下,硅管的正向压降为 0.60.7V,锗管 0.20.3V,即二极管正向压降基本保持不变,当外加正向电压达到一定程度,二极管正向电流会很大,将烧坏二极管.当加在二极管上的反向电压小于一个临界值时,二极管的反向电流很小,即反向时二极管的内阻很大,相当于二极管截止.当二极管的反向电压大于临界值时,二极管会反向击穿. 3.结构是由一个 P 型半导体和一个 N 型半导体构成,组成一个 PN 结,PN结具有单向导电性. 4.种类(1)普通二极管 (2)发光二极管 (3)稳压二极管
10、(4)变容二极管 (6)肖特基二极管 5.主要参数(1)最大平均整流电流 IF: 表征二极管所能流过的最大正向电流 .在一 个周期内的平均电流值不能超过 IF,否则二极管将会烧坏 .(2) 最大反向工作电压 VR(3)反向电流 IR:是在最大反向工作电压下的二极管反向电流值(4)工作频率:表示二极管在高频下的单向导电性能.五.稳压二极管ZENER Test # Description1 VF Forward voltage2 BVZ Minimum Zener voltage.(Use test #5)3 BVZ Maximum Zener voltage.(Use test #5)4 IR
11、Reverse current leakage5 BVZ BVz with programmable soak6 ZZ 1 KHz Zener Impedance(requires ZZ-1000 or Model 5310)1.电路符号(图一) (图二)2.稳压原理从(图二)稳压特性曲线可以看出,当稳压管反向击穿后,流过二极管的工作电流发生很大变化时,稳压二极管的电压降压 V2基本不变,所以稳压管稳压就是利用二极管两端的电压能稳定不变.若加在稳压管上的反向电压小于反向击穿电压值,那么稳压管处于截止状态,即开路.3.主要参数IiU(1)稳定电压(2)稳定电流:稳压管工作对参考电流值,电流小于该
12、值,稳压效果会略差 些.(3)额定功率损耗(4)电压温度系数(5)动态电阻六.半导体三极管(又称晶体三极管)TRANSISTOR Test # Description1 hFE Forward-current transfer ratio2 VBE Base emitter voltage(see also Appendix F)3 IEBO Emitter to base cutoff current 4 VCESAT Saturation voltage5 ICBO Collector to base cutoff current6 ICEO Collector to emiter cut
13、off currentICER, with base to emiter load,ICEX, reverse bias,orICES short(see also Appendix F)7 BVCEO Breakdown voltage,collector to emitter,BVCER with base to emiter load,BVCEX reverse bias,orBVCES short(see also Appendix F)8 BVCBO Breakdown voltage,collector to base9 BVEBO Breakdown voltage,emitte
14、r to base10 VBESAT Base emitter saturation voltage1.电路符号(a)NPN (b)PNP2.结构 集电极(a) NPNNP=NccccecccP=NP=ccccecccbcccbcccbcccIbICcecccIeIe eIbbcccIc cccc 结构如上图.三极管是由三块半导体组成,构成两个 PN 结,即集电结和发射结,基结 3 个电极,分别是集电极,基极,发射极,管子中工作电流有集电极电流 Ic,基极电流 Ib,发射极电流 Ie,Ie=Ib+Ic Ic=Ib, 为三极管电流放大倍数.3.工作原理(1)NPN (2) PNP (3)共发射极
15、输出特性曲线(1)放大区发射结正偏,集电结反偏,E1E2,即 NPN 型三极管 VcVbVe,PNP 型三极管 Vc2.5时,K,A 极处于导通状态,当 UR2.5V 时,K,A 极截止.+ KR - A(b) (二).PWM 开关电源的集成电路(IC)片1.DNA1001DP 共 16 Pin,各 Pin 功能如下:1). CS 此脚做为电流模式控制,当此脚电压超过 1.0V 时,IC 失去作2.5V ref用2). GND 电源地3).DRIVE 驱动 MOSFET 管的输出(方波输出)4).VCC 电源5).UREF +5V 参考电压6).RT/CT 此脚接 RT 到 Pin5 接 CT 到地,从而设定振荡频率与最大占空比.7).FM 接电容到地,则会影响振荡频率,并且减少传导与辐射的电磁干 扰,街地则无此功能.8).COMP 内部此脚接到电流比较器上,外部电路此脚一般接到光耦合器的集电极端做回授之用.9).SS 接一个电容到地.,可达到柔和起动功能.10).FAULT 此脚电压超
