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1、霍尔效应实验 1 霍尔效应实验霍尔(A.H.Hall)HHall(1855一1938霍尔效应是美国物理学家霍尔(A.H.Hall,185S一1938于1879年在美国霍普金斯大学读研究生期间,研究关于载流导体在磁场中的受力性质时发现的一种现象。霭尔效应(Halleffect)如果在一块矩形半导体薄片上沿x轶方向通以电流,在z轶方向上加磁场则疲垂直于电流和磁场的方向(即粗方向上产生电势差,这一现象称为霍尔效应,所产生的电压称为霍尔电压。霍尔效应(Halleffect)半导体:N型一载流子是电子;P型一载流子是空穴有一N型半导佛薄片:厚为d,宽为5,心C“电极间距为!洛伦兹力万=-ehx万电场力厂
2、=eE:动态平衡时丁+尸=0霍尔电场一雷尔电压7实验中的副效应:仰不等势电压V体厄廷豪森效应V.W用对称侧量法侧量+B.HSVAA=V1-口HSVAA=V2-丁-厂VAA=V3+B.-VAA=V4厂_不-双尽友4仪器介绍+PS仪器介绍霍尔效应测试仪VaVCmVIsCmA5Iu(A实验内容1.测量霍尔电压“计算霍尔系数EP三尺y亩Ra一霍尔系数保持Du值不变,(取I=0.600A),改变Is,测量Vt,用最小二乘法处理数据,计算霍尔系数Ra,计算载流子浓度n。电磁铁励磁电流7,电磴铁常数B=*kGs/4电磁铁磁感应强度B-,(KCS)B的国际单位:特斯拉T,单位换算1Gs=107实验内容2.测AC间电压矶计算电导率,迁移率。将实验仪“输出“开关倒向。不在零磁场下(怎样获得零磴场?,取广井0.20pzd。汊量y蕴。注意:s取值不要大于020mA,以免过大,毫伏表超量程。979占元/五0C)及)7GD-数据处理记录BTx,计算磁感应强度B(计算过程)。记录霍尔片几何参量p、4、W722刀。用最小二乘法处理数据,记录截距4“,斜率B“,相关系数r。用斜率B认数R判断材料的导电类型(N型P型。B,=?鹧Ry=?厂R/B_暨友,l0
