2018年苏州大学机电工程学院841电子技术基础(机电)之电子技术基础-模拟部分考研仿真模拟五套题.doc

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1、2018年苏州大学机电工程学院841电子技术基础(机电)之电子技术基础-模拟部分考研仿真模拟五套题-一、选择题1 二极管正向电压从A.10%B. 大于10%C. 小于10% 【答案】B【解析】二极管在导通后电压电流关系近似为非线性指数关系,电流变化快。2 有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A 和B , 对同一个具有内阻的信 号源电压进行放大。在负载开路的条件下,测得A 放大器的输出电压小,这说明A 的( )。A. 输入电阻大 B. 输入电阻小 C. 输出电阻大 D. 输出电阻小 【答案】B【解析】有题可知,输入电阻分压小,得出输入电阻较小。 3 P 沟道FET 参与导电的载流

2、子是( )。A. 电子与空穴 B. 电子 C. 空穴 D. 不确定 【答案】C【解析】P 沟道FET 主要靠P 的载流子进行导电,而在P 中多子为空穴。4 一个正弦波振荡器的反馈系数为:,若该振荡器能够维持稳定振荡,则开环电压放大倍数必须等于( )。A.4 B. C.1【答案】A【解析】振荡器起振后维持稳定振荡的平衡条件是增加10%, 则其正向电流的增加将( )。5测得某晶体管三个电极之间的电压分别为为( )。A.PNP 锗管 B.NPN 锗管 C.PNP 硅管 D.NPN 硅管 【答案】A 【解析】由,可判断晶体管为锗管,因为硅管的知,则此晶体管的类型。晶体管工作在放大状PNP 管,晶体管为

3、PNP 管。态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置,即NPN 管;由,由由题中知知 6 接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )。A. 电阻阻值有误差 B. 晶体管参数有分散性 C. 晶体管参数受温度影响 D. 电源电压不够稳定 【答案】CBJT 输入特性曲线将向左移动,【解析】温度升高时,这说明在相同的条件下,随温度变化的规律与二极管正向导通电压随温度变化的规律一样,即温度每升高1,。 将减小。减小二、判断题7 N 沟道增强型MOSFET 的阈值电压(开启电压) 小于0V 。( )【答案】【解析】N 沟道增强型的开启电压。 8 欲提高多级放大电路的输出功率和效率, 试判断以下一些措施的

4、正确性。(1)采用变压器耦合, 实现阻抗交换, 使负载与输出级阻抗相匹配。( ) (2)输出级采用自举措施。( )(3)适当增大输出级的直流供电电源。( ) 【答案】; ; 。【解析】(1)中采用的变压器耦合功率放大电路虽然可以实现阻抗变换, 理论上可以实现功率(2)(3)中功率放大电路的输出功率和效率都与直流电源放大, 但是效率较低, 低频和高频特性较差;电压成正关系, 采用自举电路, 使得直流电压升高, 从而输出功率和效率提高。 9 功率放大电路与电流放大电路的区别是前者比后者电流放大倍数大;( ) 前者比后者效率高;( )在电源电压相同的情况下,前者比后者的输出功率大。( ) 【答案】; 10判断下列说法是否正确,用“”、“”表示判断结果填入空内。(1)整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。( )(2)电容滤波电路适用于小负载电流,而电感滤波电路适用于大负载电流。( ) (3)在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管断开,输出电压平均值变为原来的一半。( )【答案】 (1);(2);(3) 【解析】(3)输出电压的平均值与输入信号的方向和大小有关。三、分析计算题11电路如图(a)所示, 图(b)是它的交流等效电路。其中, 场效应管的和 , 求电路的 (a)-一、选择题-考研试题-

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