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1、2016年湘潭大学材料科学与工程学院589材料科学基础(二)复试笔试最后押题五套卷一、名词解释1 全位错与不全位错【答案】全位错是指柏氏矢量等于晶体点阵矢量的位错；不全位错是指柏氏矢量不等于晶体点阵矢量的位错。 2 离子键【答案】离子键是通过两个或多个原子或化学基团失去或获得电子而成为离子后形成的。带相反电荷的离子之间存在静电作用，当两个带相反电荷的离子靠近时，表现为相互吸引，而电子和电子、原子核与原子核之间又存在着静电排斥作用，当静电吸引与静电排斥作用达到平衡时，便形成离子键。因此，离子键是阳离子和阴离子之间由于静电作用所形成的化学键。 3 再结晶退火【答案】再结晶退火是指经过塑性变形的金属
2、，在重新加热过程中，当温度高于再结晶温度后，形成低缺陷密度的新晶粒，使其强度等性能恢复到变形前的水平，但其相结构不变的过程。4 成分过冷【答案】成分过冷是指合金溶液在凝固时，理论凝固温度不变，过冷度完全取决于溶质成分的分布的现象。 5 反应扩散【答案】反应扩散是通过扩散而形成新相的过程。即在固态扩散的过程中，如果渗入元素在金属中溶解度有限，随着扩散原子增多，当渗入原子的浓度超过饱和溶解度时则形成不同于原相的固溶体或中间相，从而使金属表层分为出现新相和不出现新相的两层的过程。 6 金属键【答案】金属键是金属正离子与自由电子之间的相互作用所构成的金属原子间的结合力。二、简答题7 写出FCC 晶体在
3、室温下所有可能的滑移系统（要求写出具体的晶面、晶向指数）。【答案】共有12个可能的滑移系统： 第 2 页，共 31 页 8 液态金属在结晶时如何细化晶粒？【答案】常用的方法有：（1）增加过冷度。可以增加结晶的驱动力，降低临界形核功增加形核率；（2）变质处理。烧注前加入形核剂，利用异质形核来细化晶粒；（3）机械（或电磁）振动、搅拌。总之，增加形核率，降低长大速度，就可以细化晶粒。 9 何为晶粒生长与二次再结晶？简述晶粒生长与二次再结晶的区别，并根据晶粒的极限尺寸讨论晶粒生长的过程。【答案】晶粒生长是无应变的材料在热处理时，平均晶粒尺寸在不改变其分布的情况下，连续增大的过程。在坯体内晶粒尺寸均匀地
4、生长，晶粒生长时气孔都维持在晶界上或晶界交汇处。二次再结晶是少数巨大晶粒在细晶消耗时的一种异常长大过程，是个别晶粒的异常生长。二次再结晶时气孔被包裹到晶粒内部。二次再结晶还与原料粒径有关。造成二次再结晶的原因：原料粒径不均匀，烧结温度偏高，烧结速率太快。晶粒生长过程略。 防止二次再结晶的方法：控制烧结温度、烧结时间，控制原料粒径的均匀性，引入烧结添加剂。10在室温下对铁板（其熔点为1538C ）和锡板（其溶点为232C ）分别进行来回弯折，随着弯折的进行，各会发生什么现象？为什么？【答案】由可知，在室温下，Fe 加工为冷加工，Sn 加工为热加工。随着对其进行来回弯折，铁板发生加工硬化，塑性下降
5、很快，硬度及脆性很大，随着继续变形，最终导致铁板断裂；Sn 板属于热加工，不会发生加工硬化的现象，但由于热加工会产生动态再结晶，会出现加工流线及带状组织，使材料的力学性能呈现各向异性，顺纤维的方向较垂直于纤维方向具有较高的力学性能，经过长时间弯折会变得弯曲。 11指出铁素体、件有什么不同？【答案】（1）铁素体为间隙固溶体，晶格类型与溶剂同，溶质碳原子溶于晶格间隙中；CuZn 为电子化合物，属复杂晶型；子位于晶格间隙中。（2）都是由过渡族元素与原子半径较小的非金属碳原子组成，都是尺寸因素起形成时溶质碳量少，晶型不变，而后两种碳量较多，第 3 页，共 31 页减小临界晶核半径各是什么类型的合金相？并比较铁素体、的形成条为间隙化合物，属复杂晶型；TiC 为间隙相，面心立方结构，碳原主要作用，其形成条件不同之处在于，一、名词解释考研试题
