二、性能（OC 超频）设置点击 OC 按钮进入性能（OC 超频）设置性能（OC 超频）设置可以分为五个部分： CPU 频率设置，微星超频，内存频率设置，电压设置，性能辅助设置2-1、CPU 频率设置第 1-2 行显示当前 CPU 和内存频率2-1-1、Internal PLL Overvoltage（内部 PLL 过电压）开启/关闭内部 PLL 过电压保护，设置项有 Auto/Disabled/Enabled，默认是 Auto2-1-2、CPU Base Clock（MHz） （CPU 基本频率）设置 CPU 的外频，英特尔 SNB-E 处理器的外频是 100MHz，可以适当提高或降低调整方法是用小键盘的+/-键，每敲一次键加/减 1MHz此项下面的灰色行就是当前的 CPU 基频调整 FSB 频率直接影响内存频率所以，超频时请注意内存频率要与内存条标称频率相近，如果偏差较大，可能导致超频失败2-1-3、Adjust CPU Base Clock Ratio（调整 CPU 基频倍率）英特尔 SNB-E 处理器可以设置基频的倍率，设置项有 Auto/1.0/1.25/1.67，默认是Auto。
这项设置就是调整 CPU 的基频，1.25 倍就是 125MHz2-1-4、Adjust CPU Ratio（调整 CPU 倍频）在此敲回车，弹出倍频选择菜单，从中选择你想用的倍频对于锁倍频的 CPU 来说，只能降不能升不锁倍频的 CPU 可以在这里超倍频倍率表从 12 到 602-1-5、EIST（智能降频技术）这 里 是 开 启 /关 闭 EIST， 设 置 项 有 Enabled/Disabled， 默 认 是 Enabled（ 开 启 ） EIST 全 称 为 “Enhanced Intel Speed Step Technology”， 它 能 够 根 据 不 同 的 系 统工 作 量 自 动 调 节 处 理 器 的 电 压 和 频 率 ， 以 减 少 耗 电 量 和 发 热 量 2-1-6、Intel Turbo Boost 2.0（英特尔智能加速技术）这 里 是 开 启 /关 闭 英特尔智能加速技术， 设 置 项 有 Enabled/Disabled， 默 认 是Enabled（ 开 启 ） Intel Turbo Boost 2.0 是第 2 代英特尔智能加速技术，这种技术就是根据 CPU 的实际作业情况提升核心的频率，比如一个核心作业就可以提高这个核心的频率，加速作业进程。
智能加速技术提升的频率要看几个核心在运作，运作的核心越少，提升的频率越高2-2、微星超频这里是微星特有的超频技术主板上设有 OC Genie 和 Direct OC 按钮BIOS 的这 2 项设置就是开启/关闭这些按钮功能的2-2-1、OC Genie Button Operation（超频精灵按钮）开启/关闭超频精灵按钮功能，设置项有 Disabled（关闭）和 Enabled（开启） ，默认是EnabledBIOS 开启这个按钮功能后，开机前按下这个按钮，开机后就自动超频也叫做一键超频2-2-2、Direct OC Button（直接超频按钮）开启/关闭直接超频按钮，设置项有 Disabled（关闭）和 Enabled（开启） ，默认是DisabledBIOS 开启这个按钮功能后，在操作系统下按+钮就可以直接超频，按一次超 1MHz如果按-钮就降频2-3、内存频率设置2-3-1、DRAM Frequency（内存频率）这里是设置内存频率的，内存控制器整合到 SNB-E 处理器内，支持内存的规格依据 CPU了SNB-E 处理器支持的内存规格是 DDR3 1066/1333主板通过内存超频，可以支持1600/1866/2133/2400 的内存。
回车弹出内存频率选单，从中选择内存频率2-3-2、Extreme Memory Profile（X.M.P）XMP 是英特尔提出的一种内存超频模式，就是把内存的超频频率和参数设置以文件的方式存在内存条的 SPD 模块中BIOS 启动 XMP 就是直接从 SPD 中读取超频设置参数设置内存和 CPU 的频率这里是开启/关闭 XMP，设置项有设置项有 Disabled（关闭）和 Enabled（开启） ，默认是 Disabled（关闭） 2-3-3、DRAM Timing Mode（DRAM 时序模式）这里是设置内存时序的，设置项有 Auto（自动）/Link （四通道联调）/Unlink（单个通道调） ，默认是 Auto如果设定 Link（四通道联调）/Unlink （单通道单调） ，Advanced DRAM Configuration 就变成可以设置的2-3-4、Link（四通道联调）的 Advanced DRAM Configuration（高级 DRAM 配置）上列内存参数设置，左侧是参数名称，中间是默认值，右侧是设置项（Auto） ，要修改设置，请敲回车，从弹出的的参数菜单中选择。
Command Rate：命令速率，就是内存控制器开始发送命令到命令被送到内存芯片的延迟设置项有 Auto/1T/2T，默认是 Auto，1T 比 2T 快但是要依据内存条的性能性能低的设置 1T 后肯定要蓝屏死机一般保持 Auto 就是依据 SPD 设置tCL（CAS Latency）：列地址选通潜伏时间，指的是在当前行访问和读一特定列的时钟周期CAS 控制从接受一个指令到执行指令之间的时间因为 CAS 主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低内存单元是按矩阵排列的，读写内存单元中的数据，首先是根据矩阵的“行”和“列”地址寻址的当内存读写请求触发后，最初是 tRP（Active to Precharge Delay：预充电延迟），预充电后，内存才真正开始初始化 RAS（内存行地址选通）一旦 tRAS 激活后，RAS（Row Address Strobe 行地址选通 ）开始对需要的数据进行寻址首先是“行”地址，然后初始化 tRCD（RAS to CAS Delay 行地址到列地址延迟 ），接着通过CAS（列地址选通）访问所需数据的精确十六进制地址。
期间从 CAS 开始到 CAS 结束就是 CAS 延迟所以 CAS 是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的 这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数这个参数越小，则内存的速度越快必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把 CAS 延迟设为 2 或 2.5 的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高 CAS 延迟该参数对内存性能的影响最大， 是 JEDEC 规范中排在第一的参数，CAS 值越低，内存读写操作越快，但稳定性下降，相反数值越高，读写速度降低，稳定性越高参数范围 5-15TtRCD（RAS to CAS Delay）：行地址到列地址的延迟时间 ，这是激活行地址选通和开始读列地址选通之间的时钟周期延迟JEDEC 规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能，如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定参数范围 4-15TtRP（Row precharge Delay）：行地址选通预充电时间。
这是从一个行地址转换到下一个行地址所需的时钟周期（比如从一个 Bank 转换到下一个 Bank） 预充电参数小可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行但是该参数的大小取决于内存颗粒的体质，参数小将获取最高的性能，但可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作，从而导致系统不稳定参数值大将提高系统的稳定参数范围 4-15TJEDEC 规范中，它是排在第三的参数tRAS(Row active Strobe)：行地址选通这是预充电和行数据存取之间的预充电延迟时间也就是“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好如果 tRAS 的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能降低 tRAS 周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态如果 tRAS 的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据该值一般设定为 CAS latency + tRCD + 2 个时钟周期为提高系统性能，应尽可能降低 tRAS 的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大 tRAS 的值参数范围 10-40T。
JEDEC 规范中，它是排在第四的参数tRFC（Refresh Cycle Time）：刷新周期时间，这个参数表示自动刷新“行”周期时间，它是行单元刷新所需要的时钟周期数该值也表示向相同的 bank 中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF 指令)之间的时间间隔tRFC 值越小越好，它比 tRC 的值要稍高一些参数范围 48-200TtWR（Timing of Write Recovery）：写恢复时间这是一个有效的“写”动作和bank 预充电到数据能正确写入之间的时间就是说在一个激活的 bank 中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中同样的，过低的 tWR 虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏参数范围 5-32TtWTR（Write to Read Delay）：写到读延时这个参数表示在同一内存 Bank 区写命令和下一个读命令之间的延迟时间也就是在同一个单元中，最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期tWTR 值偏高，降低了读性能，但提高了系统稳定性。
偏低则提高读写性能，但系统会不稳定参数范围 4-15TtRRD（ RAS to RAS Delay）：行选通到行选通延迟， 也称为 Row to Row delay这是表示“行单元到行单元的延时”该值也表示在同一个内存模组连续的行选通动作或者预充电行数据命令的最小延迟时间tRRD 值越小延迟越低，表示下一个 bank 能更快地被激活，进行读写操作然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀如果出现系统不稳定的情况，需将此值设定较高的时钟参数参数范围 4-15TtRTP（DRAM READ to PRE Time）：内部读取到预充电命令时间这个参数实际上就是读命令和预充电明令之间的时间间隔如果参数值过小，系统运行很快，但不稳定参数范围 4-5TtFAW（Four Activate Window）：FAW 是 Four Bank Activate Window 的缩写，4 个 Bank 激活窗口这个参数就是 4 个 Bank 激活窗口的延迟通常在 8-bank 设备中滚动 tFAW 窗口不要超过 4bank参数范围 4-63TtWCL（ Write CAS# Latency）：写 CAS#延迟。
SDRAM 内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址，大多数情况下，数据通常写入距离当前列地址最近的页面tWCL 表示写入的延迟，除了 DDRII，一般可以设为 1T，这个参数和大家熟悉的 tCL（CAS-Latency）是相对的，tCL 表示读的延迟该参数主要影响稳定性参数范围 5-15TtCKE（Clock Enable）： CKE 是时钟有效信号（Clock Enable） ，在这。