第4讲晶体三极管-医学资料

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1、第四讲 晶体三极管 第四讲 晶体三极管 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 一、晶体管的结构和符号 多子浓度高 多子浓度很 低,且很薄 面积大 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。 小功率管 中功率管 大功率管 为什么有孔 ? 二、晶体管的放大原理 扩散运动形成发射极电流IE,复合运动形成基极电 流IB,漂移运动形成集电极电流IC。 少数载 流子的 运动 因发射区多子浓度高使大量 电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低,使极少 数扩散到基区的电子与空穴复合 因集电区面积大,在外电场作用下大 部分扩散到

2、基区的电子漂移到集电区 基区空穴 的扩散 电流分配: IEIBIC IE扩散运动形成的电流 IB复合运动形成的电流 IC漂移运动形成的电流 穿透电流 集电结反向电流 直流电流 放大系数 交流电流放大系数 为什么基极开路集电极回 路会有穿透电流? 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 为什么UCE增大曲线右移? 对于小功率晶体管,UCE大于1V的一条输入特性曲线 可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。 为什么像PN结的伏安特性? 为什么UCE增大到一定值曲 线右移就不明显了? 1. 输入特性 2. 输出特性 是常数吗?什么是理想晶体管?什么情况下 ? 对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲

3、线。 为什么uCE较小时iC随uCE变 化很大?为什么进入放大状态 曲线几乎是横轴的平行线? 饱和区 放大区 截止区 晶体管的三个工作区域 晶体管工作在放大状态时,输出回路的电流 iC几乎仅仅 决定于输入回路的电流 iB,即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。 状态态uBEiCuCE 截止UonICEOVCC 放大 UoniB uBE 饱饱和 UoniB uBE 四、温度对晶体管特性的影响 五、主要参数 直流参数: 、 、ICBO、 ICEO c-e间击穿电压最大集电 极电流 最大集电极耗散功 率,PCMiCuCE 安全工作区 交流参数:、fT(使1的信号频率) 极限参数:ICM、PCM、U(BR)CEO 讨论一 1. 分别分析uI=0V、5V时T是工作在截止状态还是导通状态; 2. 已知T导通时的UBE0.7V,若uI=5V,则在什么范围内T 处于放大状态?在什么范围内T处于饱和状态? 通过uBE是否大于Uon判断管子 是否导通。 临界饱和时的 讨论二 由图示特性求出PCM、ICM、U (BR)CEO 、。 2.7 iC uCE=1V时的iC就是ICM U(BR)CEO 清华大学 华成英 hchya

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