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1、小功率LED恒流源驱动方案介绍,华润华晶微电子有限公司,主要内容,方案优缺点 方案原理介绍 方案中各器件的介绍,优点1、电流负温度特性，对LED起到保护作用。 优点2、核心器件可靠性强，ESD8KV，开关实验4万次。 优点3、不另加保护线路时有500V的抗浪涌电压能力。 优点4、所用元器件少，无需电感变压器，体积小。 缺点1、高效率和高功率因素无法兼顾。 缺点2、器件发热量大，相比常规的电源，散热成本要增加。 缺点3、设计应用有局限，灵活性小。,方案优缺点,方案一 原理图,方案原理介绍【方案一】,220V交流输入，桥堆整流，经过恒流二极管（CRD）输出稳定的直流电流，驱动8088颗3.3V的L
2、ED或者5颗50V的高压LED灯珠，负载回路的电流为CRD的输出电流。线路发光效率近90%，无需变压器，所用电子元器件极少，可大大降低成本、缩短生产流程。 输入电压范围：180260V。,电源部分（A） 主要器件为 1只整流桥，1只4.7uF/400V的电解电容，1只1719mA的恒流二极管。 光源部分（B） 主要器件为5只高压LED（VF为4556V）。,方案原理介绍【方案一】,方案原理介绍【方案一】,光源板，五颗高压LED串联,电源板 1719mA的恒流二极管,方案原理介绍【方案一】,工作波形,工作波形说明： CH1为恒流二极管之前的电压波形，有V=30V的纹波。 CH2为恒流二极管之后的
3、电压波形，当V=30V的纹波经过恒流二极管后，输出成了稳定的直流电压驱动LED，LED即处在非常稳定的直流电压下工作。 CH3为负载回路的电流波形，电流非常稳定，是很纯净的直流电流，LED在恒流环境下工作。,CH1,推荐值（典型值20mA回路的应用）,方案原理介绍【方案一】,该方案电压浪涌能力测试,220V输入加70V浪涌电压，相位90度,220V输入加110V浪涌电压，相位90度,注：CH1为恒流二极管之前的电压波形 浪涌电压脉宽16ms CH2为恒流二极管之后的电压波形 浪涌电压脉宽16ms,方案原理介绍【方案一】,该方案电压浪涌能力测试,220V输入加150V浪涌电压，相位90度,220
4、V输入加300V浪涌电压，相位90度,注：CH1为恒流二极管之前的电压波形 浪涌电压脉宽16ms CH2为恒流二极管之后的电压波形 浪涌电压脉宽16ms,方案原理介绍【方案一】,该方案电压浪涌能力测试,结论：该方案有一定的抗浪涌能力，当电网电压波动时，高出的电压被恒流二极管吸收，转化成热量，从而保护了回路当中的LED发光二极管。 从该试验当中可以看出，CRD耐压越高，抗浪涌能力则越强。华晶该套工艺制造出来的高耐压的CRD给这套方案的可靠性上给予了强有力的支持。,方案原理介绍【方案一】,方案原理介绍【方案一】,测试数据,该方案的拓展应用电路,应用灵活，可以对应用线路进行拓展，满足不同的功率要求，
5、多颗恒流二极管 并联可以实现I=I1+I2+I3。,方案原理介绍【方案一】,该方案的拓展应用,1.2米T8日光灯，采用3并85串，20uF/400V电容,方案原理介绍【方案一】,方案二原理图,方案原理介绍【方案二】,220V交流输入，经过整流后为100Hz的交流电压，然后通过CRD，驱动4颗高压的LED或6268颗3.3V的LED灯珠。负载回路的电流约为CRD输出电流值的一半。该方案功率因素0.9以上，无需变压器，所用电子元器件极少，成本低廉。 输入电压范围：180250V。,电源部分（A） 主要器件为 1只整流桥，1只4043mA的恒流二极管。 光源部分（B） 主要器件为4只高压LED（VF
6、为4556V）。,方案原理介绍【方案一】,方案原理介绍【方案二】,光源板，四颗高压LED串联,电源板 4043mA的恒流二极管,方案原理介绍【方案二】,工作波形,工作波形说明： CH1为恒流二极管之前的电压波形，有V=320V，f=100HZ的正弦波。 CH2为恒流二极管之后的电压波形，有一个削顶的正弦波。 CH3为负载回路的电流波形，该方案LED不是恒亮的，LED即处在“开-关-开-关”的状态，但电流有效值是一个恒定的值。,CH1,推荐值（典型值20mA回路的应用）,方案原理介绍【方案二】,方案原理介绍【方案二】,测试数据,该方案的拓展应用电路,方案原理介绍【方案二】,一、产品特点,恒流二极
7、管CRD(Current Regulator Diodes) 是一种能为LED或其他器件在电源电压变化时提供稳定电流的器件，它相当于一个恒流源或最大峰值电流的限制电路，即使出现电源电压供电不稳定或是负载电阻变化很大的情况，都能确保供电电流稳定。该器件具有外围电路非常简单，使用极其方便等特点，尤其适用于LED照明。 华晶恒流二极管采用TO-252封装，产品符合 RoHS要求。,直流等效阻抗低 工作电压4.5V130V 交流等效阻抗高 负温度系数 ESD(HBM模式)8KV,方案中各器件的介绍【恒流二极管】,二、产品参数（Ta= 25 除非另有规定）：,方案中各器件的介绍【恒流二极管】,三、产品规
8、格（Ta= 25 除非另有规定）：,方案中各器件的介绍【恒流二极管】,四、特性图,典型V-I特性图,典型温度特性图,mA,mA,V,V,方案中各器件的介绍【恒流二极管】,方案中各器件的介绍【恒流二极管】,五、外形图(TO-252封装 2H1002A4),一、R6S05产品特点,超低反向漏电电流 IR2A 封装厚度薄（1.2mm） ESD击穿电压高（12KV，HBM MODEL） 无铅封装 耐焊接温度高：260/10s（回流焊） 350/3s（手工焊）,方案中各器件的介绍【整流桥R6S05 】,二、R6S05电参数,方案中各器件的介绍【整流桥R6S05 】,方案中各器件的介绍【整流桥R6S05
9、】,三、R6S05电特性曲线,（1）、IR - VR关系曲线（TC= 25）,在常温下， R6S05 的反向漏电比 TB1001小 10nA,方案中各器件的介绍【整流桥R6S05 】,（2）、IR - VR关系曲线（TC= 125）,在125 ， R6S05反向漏电在100nA左右， 比普通台面工艺低一个数量级,方案中各器件的介绍【整流桥R6S05 】,（3）、IR - VR关系曲线（TC= 175）,在175 ， R6S05反向漏电明显比普通台面工艺小,方案中各器件的介绍【整流桥R6S05 】,（4）、 VF - IF 关系曲线,方案中各器件的介绍【整流桥R6S05 】,四、R6S05封装外
10、形,方案中各器件的介绍【整流桥R6S05 】,三、2GF4545,方案中各器件的介绍【 LED发光二极管】,产品特点： 高光效 抗静电能力强 100%测试和分选,应用范围： 背光源 手机应用 消费电子 通用照明,芯片规格： 1、物理尺寸： 芯片尺寸:45mil45mil(114520um114520um) 芯片厚度:6mil(15010um) P电极焊盘尺寸:4mil(1005um) N电极焊盘尺寸:4mil(1005um) 2、金属特性： P电极:金 N电极:金,三、 2GF4545,方案中各器件的介绍【 LED发光二极管】,25时的光电特性：,备注： 1、光电参数为封装前裸芯在华润华晶测试仪条件下测试值； 2、该产品经过2000V静电(人体模式)测试； 3、LED芯片为静电敏感产品，请在包装、运输、使用等过程中注意静电保护 4、公司还有10mil*23mil、8mil*20mil、9mil*15mil规格产品，并可根据客户要求定制不同规格的芯片,谢 谢!,
