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1、模拟电子技术习题集 一、 填空题1. 半导体是一种导电能力介于 和 之间的物质。2. 半导体的导电类型分 型和 型半导体。3. 在判别硅、锗晶体二极管时，当测出正向电压为时就认为此二极管为锗二极管；当测出正向电压为时，就认为此二极管为硅二极管。4. N型半导体主要依靠 载流子导电。5. P型半导体主要依靠 载流子导电。6. PN结加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层变 。PN结加反向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层变 。7. PN结具有 性能，即加正向电压时结 ，加反向电压时结 。8. 当温度升高时，PN结的反向电流会。9. 用万用表欧姆挡测量二极管好坏时，测量的正反向阻值间相差越 越好
2、。10. 二极管按结构分类，可分为 、 、 三种。11. 硅稳压二极管是一种具有 作用的特殊二极管。12. 硅稳压二极管的动态电阻rz越 其稳压性能越好。13. 用硅稳压二级管组成稳压电路时，电路中稳压管必须与负载 联。14. 晶体三极管有 型和 型两种。15. 当温度上升时，晶体三极管的ICEO会 ，值 ，BE 。16. 三极管具有电流放大作用的外部条件必须使 结正向偏置， 结反向偏置。17. 晶体三极管的 区与 区由同一类型材料组成， 区掺杂最重， 区掺杂最轻。18. 当三极管饱和时，它的发射结必是 偏置，集电结必是 偏置。19. 硅三极管ICEO比锗管小得多，硅管的热稳定性比锗管要 。2
3、0. NPN 型三极管各电极电位关系是VCVBVE，该管工作于 状态。 21. PNP型三极管各电极电位关系是VCVBVE ，该管工作于 状态。22. 晶体三极管三个极电流之间的关系式为IE 。23. 晶体三极管输出特性中的三个区分别叫 区、 区和 区。24. 判断图1-10所示三极管的工作状态，其中也有损坏状态的可能。25. 在电路中测得各三极管对地电位如图111所示，判断三极管工作状态26. 在一个放大线路板内测得某只三极管三个极的静态电位分别为V1=6V，V23V，V3=3.7V可以判断1脚为 极，2脚为 极，3脚为 极，此管为 型管，由 材料制成。27. 在一个放大线路板内测得某只三极
4、管三个极对地电压分别为V1=6.2V， V26V，V3=9V，可以判断1脚为 极，2脚为 极，3脚为 极，此管为 型管，由 材料制成。28. 阻容耦合放大电路中，耦合电容的作用是 和 。29. 放大电路未加入信号时的工作状态称为 态。30. 放大电路未加入信号时晶体管各级的直流电压、电流的数值称电路的 工作点。31. 放大电路加上输入信号时的工作状态称为 态。32. 放大电路中直流成分通过的路径称为 通路。33. 放大电路中交流成分通过的路径称为 通路。34. 放大电路有三种连接方式，分别为 、 和 。35. 共射放大路，增大基极电阻Rb，其它参数不变，则偏流IBQ ，静态工作点向 移动。36
5、. 共射电路中，减小集电极电阻Rc，其它参数不变，则负载线的斜率 。37. 共射电路，增大直流电源Vcc，其它参数不变，负载线将向 变化。38. 交流负载线与直流线都通过 点。39. 某电路的交流负载线与直流负载线重合，可知此电路的负载电阻RL= 。40. 由于晶体管特性曲线的非线性引起的失真称为 失真。41. 共射电路，点过高易产生 失真。42. 共射电路，点过低易产生 失真。43. 放大电路的输出电阻越小，带负载能力越 。44. 射极输出器的电压放大倍数Av 。45. 射极输出器的输出电压与输入电压的相位相 。46. 射极输出器的输入电压 ri较 。47. 射极输出器的输出电阻ro较 。4
6、8. 射极输出器可用来作为多级放大器中的 级、 级和 级。49. 造成单级放大电路的放大倍数在高频段下降的原因是由于晶体管的PN结之间的 和电路的 影响。50. 放大电路的放大倍数 |Av| 与频率f的关系曲线称为 特性曲线。51. 放大倍数下降到中频区放大倍数AVM的0.707倍时，对应的高端频率称为 频率。52. 放大倍数下降到中频区放大倍数AVM的0.707倍时，对应的低端频率称为 频率。53. 上限频率和下限频率之间的范围叫 。54. 多极放大电路通频带比单级放大电路的通频带要 。55. 多级放大电路的级间耦合方式有 、 、 和 四种。56. 当输入信号时，若能保证信号不失真，放大器的
7、静态工作点可以选得 些。57. 若要求放大器有最大不失真输出，静态工作点应选择在负载线的 位置。58. 测量放大器的静态工作点的仪器是 。59. 测量放大器的电压放大倍数的仪器是 。60. 如图幅频特性曲线，请在图2-1标出上限频率fH,下限频率fL及通频带B。61. 两级放大电路，已知第一级AV1=100,第二级AV2=50,则总电压放大倍数Av= 。62. 两级放大电路，已知第一级Ri11K，第二级Ri2=1.5K，则总的输入电阻Ri= 。63. 两级放大电路，已知第一级输出电阻r01=6K,第二级输入电阻r02=3K,则总的输出电阻ri= 。64. 图22所示幅频特性，f L处的电压放大
8、倍数Avi是Avm的 倍。65. 如图23所示电路：由波形可知此电路已出现 失真，苦要消除该失真，应调节元件 使其 。 66. 欲使放大电路退出饱和失真，可以调节基极电阻Rb使其。67. 温度升高，共射电路的工作点易进入区。68. 图所示电路，已知三极管为硅管，电路正常工作三极管各极对地直流电压为：Vc= V；B= V；VCE= V；VBE= V。 69. 图2-4所示的电路，若Rb2(20K)短路，则各级直流电压：Vc= V；B= V；VCE= V；VBE= V。70. 图2-4所示电路，若Rb2断开，则各极直流电压（已知=10）：Vc= V；B= V；VCE= V；VBE= V。71. 为
9、了使放大器输出波形不失真，除需要设置 外；且输入信号幅度要 。72. 对于一个放大器来说， 一般希望其输入电阻 些；以减轻信号源的负担。希望输出电阻 些，以增大带负载的能力。73. 共发射极电路的输出电压与输入电压相位相 ，所以该电路有时被称为 。74. 多级放大器中， 级的输入电阻是 级的负载； 级的输出电阻是 级的信号源内阻； 级放大器输出信号是 级放大器的输入信号电压。75. 在Vds为某一定值时，使增强型场效应管开始有漏极电流Id时的Vds称为 。76. 晶体三极管称为 型晶体管，场效应管称为 型晶体管。77. 晶体三极管为 控制元件，场效应管为 控制元件。78. N沟道场效应管导电载
10、流子为 。79. P沟道场效应管导电载流子为 。80. 场效应管在使用中，决不能让 极悬空。81. 场效应管导电移特性曲线图3-3（a）所示，判别以下内容：该管为 沟道 型，VP或（VT） ；Idss= mA。82. 图3-3（b）所示场效应管转移特性曲线，判别以下内容：该管为 沟道 型，Vp(或VT)= V，Idss= mA。83. 一场效应管漏极特性如图3-2所示，试分析此管：（1）管型为 沟道 型。(2)夹断电压或开启电压为 伏，Idss= ；gm= 。84. 一场效应管漏极特性如图31所示，则（1）该场效应管管型为 ；（2）夹断电压Vp或开启电压VT ；（3）Idss= 。85. 直接
11、耦合放大器的级数愈多，放大倍数愈大，零点漂移会愈 。86. 为了有效地抑制零点漂移，多级直流放大器的第一级均采用 电路。87. 评价差动式直流放大器的性能，必须同时考虑它的 特性和 特性。88. 差动放大器中，Re对 信号呈现很强的负反馈作用；对 信号则无负反馈作用。89. 在差动放大电路中，常用晶体三极管作为 来代替电阻Re。90. 用于放大 信号和 信号的放大器称为直流放大器。91. 运算放大器实际上是一个集成的多级放大器，常由 级、 级和 级三部分组成。92. 集成运放的输入级一般采用 电路，以便获得较大的 比，抑制 。93. 集成运放的中间级主要进行 工作，常采用 和 措施来完成这一任务。94. 集成运放的的输出级一般采用 ，以获得较强的 能力95. 集成运放有 个输入端，分别称为 和 。96. 在集成电路中，恒流源有两个用途，一是给电路 ；二是作为放大器的 使用。97. 图42为基本镜象电流源，已知：Vcc=15V,三极管均为硅管。（1）现要求镜像电流源输出电流为1mA，则R的数值R= 。（2）欲将该基本电流源改为微电流源，请在图上标出改动方案。 98. 图52为理想运放组成的反馈电路，该电路的反馈级态为 反馈。99. 图41为完
