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1、一、填空题（30分=1分*30）10题/章晶圆制备1 用来做芯片的高纯硅被称为（ 半导体级硅 ），英文简称（ GSG ），有时也被称为（ 电子级硅 ）。2 单晶硅生长常用（ CZ法 ）和（ 区熔法 ）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（ 硅锭 ）。3 晶圆的英文是（ wafer ），其常用的材料是（ 硅 ）和（ 锗 ）。4 晶圆制备的九个工艺步骤分别是（ 单晶生长 ）、整型、（ 切片 ）、磨片倒角、刻蚀、（ 抛光 ）、清洗、检查和包装。5 从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（ 100 ）、（110 ）和（111 ）。6 CZ直拉法生长单晶硅是把（ 融化了的半导体级硅液体 ）
2、变为（ 有正确晶向的 ）并且（ 被掺杂成p型或n型 ）的固体硅锭。7 CZ直拉法的目的是（ 实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构，得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中 ）。影响CZ直拉法的两个主要参数是（ 拉伸速率 ）和（ 晶体旋转速率 ）。8 晶圆制备中的整型处理包括（ 去掉两端 ）、（ 径向研磨 ）和（ 硅片定位边和定位槽 ）。9 制备半导体级硅的过程：1（ 制备工业硅 ）；2（ 生长硅单晶 ）；3（ 提纯）。氧化10 二氧化硅按结构可分为（ ）和（ ）或（ ）。11 热氧化工艺的基本设备有三种：（ 卧式炉 ）、（ 立式炉 ）和（ 快速热处理炉 ）。12 根据氧化剂的不同，热氧化可分为
3、（ 干氧氧化 ）、（ 湿氧氧化 ）和（ 水汽氧化 ）。13 用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分：（ 工艺腔 ）、（ 硅片传输系统 ）、气体分配系统、尾气系统和（ 温控系统 ）。14 选择性氧化常见的有（ 局部氧化 ）和（ 浅槽隔离 ），其英语缩略语分别为LOCOS和（ STI ）。15 列出热氧化物在硅片制造的4种用途：（ 掺杂阻挡 ）、（ 表面钝化 ）、场氧化层和（ 金属层间介质 ）。16 可在高温设备中进行的五种工艺分别是（ 氧化 ）、（ 扩散 ）、（ ）、退火和合金。17 硅片上的氧化物主要通过（ 热生长 ）和（ 淀积 ）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层
4、状结构，所以又称为（ 薄膜 ）。18 热氧化的目标是按照（ ）要求生长（ ）、（ ）的二氧化硅薄膜。19 立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由垂直的（ 石英工艺腔 ）、（ 加热器 ）和（ 石英舟 ）组成。淀积20 目前常用的CVD系统有：（ APCVD ）、（ LPCVD ）和（ PECVD ）。21 淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（ 晶核形成 ），第二步是（ 聚焦成束 ），第三步是（ 汇聚成膜 ）。22 缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（ 等离子体增强化学气相淀积 ）、（ 低压化学气相淀积 ）、高密度等离子体化学气相淀积、和（ 常压化学气
5、相淀积 ）。23 在外延工艺中，如果膜和衬底材料（ 相同 ），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（ 同质外延 ）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（ 异质外延 ）。24 如果淀积的膜在台阶上过度地变薄，就容易导致高的（ 膜应力 ）、（ 电短路 ）或者在器件中产生不希望的（ 诱生电荷 ）。25 深宽比定义为间隙得深度和宽度得比值。高的深宽比的典型值大于（ ）。高深宽比的间隙使得难于淀积形成厚度均匀的膜，并且会产生（ ）和（ ）。26 化学气相淀积是通过（ ）的化学反应在硅片表面淀积一层（ ）的工艺。硅片表面及其邻近的区域被（ ）来向反应系统提供附加的能量。27 化学
6、气相淀积的基本方面包括：（ ）；（ ）；（ ）。28 在半导体产业界第一种类型的CVD是（ ），其发生在（ ）区域，在任何给定的时间，在硅片表面（ ）的气体分子供发生反应。29 HDPCVD工艺使用同步淀积和刻蚀作用，其表面反应分为：（ ）、（ ）、（ ）、热中性CVD和反射。金属化30 金属按其在集成电路工艺中所起的作用，可划分为三大类：（ ）、（ ）和（ ）。31 气体直流辉光放电分为四个区，分别是：无光放电区、汤生放电区、辉光放电区和电弧放电区。其中辉光放电区包括前期辉光放电区、（ ）和（ ），则溅射区域选择在（ ）。32 溅射现象是在（ ）中观察到的，集成电路工艺中利用它主要用来（ ）
7、，还可以用来（ ）。33 对芯片互连的金属和金属合金来说，它所必备一些要求是：（ 导电率 ）、高黏附性、（ 淀积 ）、（ 平坦化 ）、可靠性、抗腐蚀性、应力等。34 在半导体制造业中，最早的互连金属是（ 铝 ），在硅片制造业中最普通的互连金属是（ 铝 ），即将取代它的金属材料是（ 铜 ）。35 写出三种半导体制造业的金属和合金（ Al ）、（ Cu ）和（ 铝铜合金 ）。36 阻挡层金属是一类具有（ 高熔点 ）的难熔金属，金属铝和铜的阻挡层金属分别是（W ）和（ W ）。37 多层金属化是指用来（ ）硅片上高密度堆积器件的那些（ ）和（ ）。38 被用于传统和双大马士革金属化的不同金属淀积系统
8、是：（ ）、（ ）、（ ）和铜电镀。39 溅射主要是一个（ ）过程，而非化学过程。在溅射过程中，（ ）撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞击出原子。这些被撞击出的原子穿过（ ），最后淀积在硅片上。平坦化40 缩略语PSG、BPSG、FSG的中文名称分别是（ ）、（ ）和（ ）。41 列举硅片制造中用到CMP的几个例子：（ ）、LI氧化硅抛光、（ ）、（ ）、钨塞抛光和双大马士革铜抛光。42 终点检测是指（ CMP设备 ）的一种检测到平坦化工艺把材料磨到一个正确厚度的能力。两种最常用的原位终点检测技术是（ 电机电流终点检测 ）和（ 光学终点检测 ）。43 硅片平坦化的四种类型分别是（ 平
9、滑 ）、部分平坦化、（ 局部平坦化 ）和（ 全局平坦化 ）。44 20世纪80年代后期，（ ）开发了化学机械平坦化的（ ），简称（ ），并将其用于制造工艺中对半导体硅片的平坦化。45 传统的平坦化技术有（ ）、（ ）和（ ）。46 CMP是一种表面（ 全局平坦化 ）的技术，它通过硅片和一个抛光头之间的相对运动来平坦化硅片表面，在硅片和抛光头之间有（ 磨料 ），并同时施加（ 压力 ）。47 磨料是精细研磨颗粒和化学品的混合物，在（ ）中用来磨掉硅片表面的特殊材料。常用的有（ ）、金属钨磨料、（ ）和特殊应用磨料。48 有两种CPM机理可以解释是如何进行硅片表面平坦化的：一种是表面材料与磨料发生化
10、学反应生成一层容易去除的表面层，属于（ ）；另一种是（ ），属于（ ）。49 反刻属于（ ）的一种，表面起伏可以用一层厚的介质或其他材料作为平坦化的牺牲层，这一层牺牲材料填充（ ），然后用（ ）技术来刻蚀这一牺牲层，通过用比低处快的刻蚀速率刻蚀掉高处的图形来使表面的平坦化。光刻50 现代光刻设备以光学光刻为基础，基本包括：（ ）、光学系统、（ ）、对准系统和（ ）。51 光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（ 正性光刻 ），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（ 负性光刻胶 ），后者是（ 正性光刻胶 ）。52 写出下列光学光刻中光源波长的名称：436nmG线、405nm（ ）、365
11、nmI线、248nm（ ）、193nm深紫外、157nm（ ）。53 光学光刻中，把与掩膜版上图形（ ）的图形复制到硅片表面的光刻是（ ）性光刻；把与掩膜版上相同的图形复制到硅片表面的光刻是（ ）性光刻。54 有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为（ ）、（ ）和（ ）。55 I线光刻胶的4种成分分别是（ ）、（ ）、（ ）和添加剂。56 对准标记主要有四种：一是（ ），二是（ ），三是精对准，四是（ ）。57 光刻使用（ ）材料和可控制的曝光在硅片表面形成三维图形，光刻过程的其它说法是（ ）、光刻、掩膜和（ ）。58 对于半导体微光刻技术，在硅片表面涂上（ ）来得到一层均匀覆盖层最常用的方法是
12、旋转涂胶，其有4个步骤：（ ）、旋转铺开、旋转甩掉和（ ）。59 光学光刻的关键设备是光刻机，其有三个基本目标：（使硅片表面和石英掩膜版对准并聚焦，包括图形）；（通过对光刻胶曝光，把高分辨率的投影掩膜版上图形复制到硅片上）；（在单位时间内生产出足够多的符合产品质量规格的硅片）。刻蚀60 在半导体制造工艺中有两种基本的刻蚀工艺：（ ）和（ ）。前者是（ ）尺寸下刻蚀器件的最主要方法，后者一般只是用在大于3微米的情况下。61 干法刻蚀按材料分类，主要有三种：（ ）、（ ）和（ ）。62 在干法刻蚀中发生刻蚀反应的三种方法是（ 化学作用 ）、（ 物理作用 ）和（ 化学作用与物理作用混合 ）。63 随
13、着铜布线中大马士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀（ 介质 ）以形成一个凹槽，然后淀积（ 金属 ）来覆盖其上的图形，再利用（ CMP ）把铜平坦化至ILD的高度。64 刻蚀是用（ 化学方法 ）或（ 物理方法 ）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（ 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形 ）。 65 刻蚀剖面指的是（ 被刻蚀图形的侧壁形状 ），有两种基本的刻蚀剖面：（ 各向同性 ）刻蚀剖面和（ 各向异性 ）刻蚀剖面。66 一个等离子体干法刻蚀系统的基本部件包括：（ ）、（ ）、气体流量控制系统和（ ）。67 在刻蚀中用到大量的化学气体，通常用氟刻蚀（ ）；用氯和氟刻蚀（ ）；用氯、氟和溴刻蚀硅；用氧去除（ ）。68 刻蚀有9个重要参数：（ ）、（ ）、刻蚀偏差、（ ）、均匀性、残留物、聚合物形成、等离子体诱导损伤和颗粒污染。69 钨的反刻是制作（ ）工艺中的步骤，具有两步：第一步是（ ）；第二步是（
