磁性元件的设计细节解析

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1、磁性元器件的设计细节 金威源产品开发部 郝建国 2008年07月 目录 郝建国 1:磁性材料简介 - - 2 2:磁性元器件的损耗分析 - - 20 3:磁性元器件寄生参数的影响 - - 46 4:变压器与电感器的设计要点 - - 64 5:特殊磁性元件的设计 - - 80 1:磁性材料简介 郝建国 1.1:铁氧体是指三氧化二铁与另外的金属氧化物的化合物, 其分子式是MO.Fe2O3,M泛指锰(Mn)/ 镍(Ni)/ 锌( Zn)等二价金属离子。 晶体结构:铁氧体的晶体是由氧的主晶格和在主晶格空隙间的 金属离子次晶格构成。 尖晶石结构:开关电源变压器使用的铁氧体主要是锰锌铁氧 体,其晶体是尖晶

2、石结构,尖晶石结构是由正四面体和正八面体 构成。 1:磁性材料简介 郝建国 AB位:正四面体中的次晶格位置简称为A位,正八面体的次晶 格位置简称为B位。A位和B位的金属离子之间的相互交换作用导 致A位和B位金属离子的磁矩是反向平行的,A位和A位的金属离 子之间的相互交换作用导致A位和A位金属离子的磁矩是平行的, B位和B位的金属离子的磁矩也是平行的,铁氧体晶体合成磁矩就 是A位和B位的金属离子总磁矩之差。 亚铁磁性:基于上述的分析,铁氧 体的饱和磁化强度要远远低于铁磁材料 (铁磁材料的晶体结构是体心立方体等 立方系结构,各个位置的金属离子磁矩 都是平行的,见右图),但铁氧体的电 阻率远远高于铁

3、磁材料几个数量等级, 所以铁氧体被称为亚铁磁性材料。 磁畴:理想条件下,氧化铁是单晶体,但受到晶格的错位、空 孔等缺欠与杂质的影响,氧化铁只能是由无数个尺寸很小的单晶体 组合而成的多晶体,每个单晶体的合成磁矩方向是各不相同的、是 随机分布的。 单晶体由金属离子间的相互交换作用而产生的合成磁矩因受磁 场能量最小化的制约,每个单晶体的合成磁矩会被进一步划分为无 数个合成磁矩方向反平行的微小区域,这样的微小区域我们称为磁 畴。 1:磁性材料简介 郝建国 1:磁性材料简介 郝建国 晶界:因错位、空孔 、杂质而形成的单晶体 之间的界限称为晶界, 见右图。 畴壁:因能量最小化而形 成的、磁畴与磁畴之间的隔

4、 离带称为畴壁,见左图。 1:磁性材料简介 郝建国 1.2:饱和磁化是指励磁磁场强度H从0而开始,逐渐加大到铁 氧体饱和状态为止(Hm),此时对应的铁氧体磁感应强度曲 线称为初始磁化曲线。然后逐渐减小,再反向加大,直到铁 氧体反向饱和状态(-Hm),周而复始的在Hm与-Hm之间变 化,对应的铁氧体磁感应强度曲线称为饱和磁滞回线。 1:磁性材料简介 郝建国 局部磁化一:变压器磁芯的局部磁化曲线,特点是磁化 曲线起点在剩磁点。如正激拓扑、RCD磁复位时的 磁滞回线。 1:磁性材料简介 郝建国 局部磁化二:变压器磁芯的局部磁化曲线,特点是有 反向去磁导致磁化曲线起点小于对应的剩磁点。如 正激拓扑(有

5、源去磁)、半桥等的磁滞回线。 1:磁性材料简介 郝建国 局部磁化三:电感磁芯的局部磁化曲线。特点是具有 偏磁的直流存在。如正激拓扑(CCM)输出电感的 磁滞回线。 1:磁性材料简介 郝建国 磁化过程:磁化的过程就是磁畴的转动和畴壁的位移, 而且纠缠在一起的,但为了简化分析,我们通常只 进行单一因素的磁化过程分析。 磁畴转动:指磁畴的合成磁矩方向在 外磁场的作用下,其方向转向外磁场 的方向。 如果去掉外磁场,磁畴的合成磁矩方 向恢复到原来方向的转动称为可逆转 动。 去掉外磁场后磁畴的合成磁矩方向不 恢复的转动称为不可转动。 实际上,去掉外磁场后磁畴的合成磁 矩方向能恢复但不能恢复到原来方向 ,这

6、种情况就是可逆位移与不可逆位 移的组合。 1:磁性材料简介 郝建国 畴壁位移:指磁畴的畴壁在外磁 场的作用下,沿在外磁场的方向 移动。 如果去掉外磁场,畴壁就能恢复 到原位置的移动称为可逆磁化。 去掉外磁场后畴壁不恢复的移动 称为不可逆磁化。 实际上,去掉外磁场后畴壁能恢 复但不能恢复到原位置,这种情 况就是可逆位移与不可逆位移的 组合。 1:磁性材料简介 郝建国 1.3:磁导率:分为绝对磁导率和相对 磁导率。 绝对磁导率:描述介质磁化特性的物理量,定义为介质 中磁感应强度与磁场强度的比值。 真空磁导率 o =Bo/Ho,4x10-7H/m。 铁氧体的磁导率(PC40) F=BF/HF,0.9

7、2x10- 3H/m。 相对磁导率:也是描述介质磁化特性的、但无量纲的 物理量,定义为介质的绝对磁导率与真空的绝对磁导率的 比值。 铁氧体的磁导率(PC40) r= F/ o,2300。 我们今后讲到磁导率,除非有特定的说明,否 则都是相对磁导率。 1:磁性材料简介 郝建国 初始磁导率:励磁磁场强度H 0时的磁导率称为初始 磁导率。 氧体参数表中给出的磁导率就是初始磁导 率i ,如i =2300就是PC40材质的初始磁导率。 最大磁导率:进行初 始磁化时,其磁导率会随励磁 磁场强度H的变化,当励磁磁场 强度在H1时,磁导率达到最大 值m,称m为最大磁导率。 最大磁导率m与初始 磁导率i 之间的

8、差异越小,说明 磁化过程的线性度越好,我们当 然希望磁化是完全线性的,即磁 导率是恒定值。 1:磁性材料简介 郝建国 增量磁导率:在一个直流磁场上叠加一个交流磁场时 ,交流分量所对应磁导率就称为增量磁导率。 因为磁化过程是非线性 的,故增量磁导率会随直流磁场 的不同而不同,大可以大过m, 小又可以小到“0”。 交流磁场的大小也会影 响增量磁导率,但影响比较小。 当交流磁场小到一定范围内时,增 量磁导率 不再受交流磁场的变 化影响,其原因是交流磁场的磁化 基本是线性的可逆磁化。 1:磁性材料简介 郝建国 有效磁导率:在磁芯中开一个比较小的气隙后,因退磁 效应,磁芯中的磁感应强度降低,其磁导率也随

9、之而来下降,下降 后的磁导率就称为有效磁导率e。 注释 :退磁效应 为气隙长度,l c 为磁路的有效长度。 1:磁性材料简介 郝建国 锰锌铁氧体:铁氧体中的金属氧化物是MnO和ZnO, 是一种高Bs低功耗的铁氧体,它在1MHz以下频段范围内具有良 好的磁性能,所以开关电源中的功率变压器、电感的磁芯都使用 这种锰锌铁氧体。 根据初始磁导率i的不同、功率损耗等参数划分为不同 的型号,如PC30、PC40等。 1.4:软磁材料:软磁材料具有四个特点:一、高磁导率, 二、狭窄的磁滞回线,三、高电阻率,四、高饱和磁感应强度。 只有具备了这样的四个特性,才能在高频的交变磁场下工作,但 实际上还没有那种磁性

10、材料具备上述四个特性,因此在综合了工 作环境、产品价格等因素后,在开关电源磁性元件一般就选用功 率铁氧体、磁粉芯、坡莫合金、非晶态合金、微晶合金等作为其 磁芯。 1:磁性材料简介 郝建国 铁粉芯:四氧化三铁磁粉或碳基铁磁粉与树脂绝缘介质 充分混合后压制而成的环型磁芯,饱和磁感应强度值高达1.3T,但 50kHz时的磁损较大,磁导率i会随频率与叠加的直流磁场强度 而变化,故一般用于输入端的EMI电感。 根据初始磁导率i、尺寸的不同划分为不同的型号,并 用红、黄、绿、蓝、灰、白等颜色的组合予以标示。 镍锌铁氧体:铁氧体中的金属氧化物是NiO和ZnO,是 一种高频特性更好的铁氧体,在100kHz10

11、0MHz频段内具有良 好的磁性能,但其低频特性不如锰锌铁氧体,故主要用于高频变 压器、工字电感、磁珠等。 根据初始磁导率i 的不同划分为不同的型号,如SR10、 SR60等(中山东晨)。 1:磁性材料简介 郝建国 其它磁性材料:铁镍磁粉芯,特点是饱和磁感应强度值 高达1.4T,所以也称为高磁通量粉芯。 钼坡莫合金粉芯(MPP),与其它磁粉芯相比,具有最 低的磁芯损耗。 坡莫合金/非晶态合金/微晶合金,特点是具有极高的磁导 率。 铁硅铝:在Al和Fe合金中渗入Si后,将其粉末压铸而 成的环型磁芯。具有高饱和磁感应强度Bs、磁导率i(因为Fe) ,低损耗、高电阻率(因为Si ),抗氧化和耐腐蚀性较

12、好(因为 Al )。 铁硅铝的构成:Fe占85%, Si占9%, Al占6%。 铁硅铝的饱和磁感应强度大约在1.0T,相比于铁粉芯, 其高频磁损较小,磁导率i也不会随频率而变,但仍会随叠加的 直流磁场强度而变化。 初始磁导率i、尺寸的不同等等,划分很多个不同的型 号,详见公司的铁硅铝磁粉芯主要技术指标及型号对照表。 2:磁性元器件的损耗分析 郝建国 2.1:损耗构成:磁性元器件的损耗是由磁芯损耗(铁损)和 绕组损耗(铜损)构成的,并以热的形式散放损耗的能量,使磁 芯和绕组的温度上升。如果磁芯温度过度的上升,会大大降了饱 和磁感应强度,有可能使磁芯饱和,烧毁开关管等元器件。绕组 的温度上升,会增

13、大其直交流的阻值,反过来又增大了绕组的损 耗,直至热平衡为止。 磁性元件的总损耗最小是衡量磁 性元件的指标之一,要在一定温生的条件下 ,传输最大的功率,这是功率磁性元件的设 计准则。 在左图中可以看出,磁芯损耗Pw 和绕组损耗Pc都是非线性(近似指数规律) 变化趋势,在铁损等于铜损时,总损耗最小 。但铁损等于铜损点很难准确控制,当两者 有2030%的差异时,总损耗也还是处于最 小区域,所以,两者有小于30%的差异是比 较现实的目标。 2:磁性元器件的损耗分析 郝建国 磁滞损耗:从前述分分析中,我们得知磁芯磁化时,有 可逆磁化和不可逆磁化之分,对不可逆部分进行磁化时要损耗一 部份能量,这部分能量

14、称为磁滞损耗。 磁滞损耗的定量计算是不可能的,但我们可以用磁滞回 线的面积S予以表示,磁滞回线的面积大,则磁滞损耗也大。从 磁滞回线的面积S与B的关系可以看出,S随B的增大而增加, 且近似于指数级的增加。 磁滞回线面积S表述的是一次磁化过程的磁滞损耗,开 关频率是100kHz时,磁滞损耗会乘以105。所以磁滞损耗随开关 频率的增加而线性增加。 磁滞损耗可以用磁滞回线面积予以表示,磁化过程传 输的能量用哪部分面积表示? 2.2:磁芯损耗:磁芯损耗也称为铁损,一般包括磁滞损耗 ,涡流损耗和剩余损耗,再进一步化分,剩余损耗包括后效损耗 、自旋弛豫磁磁共振损耗、尺寸共振损耗等等。 2:磁性元器件的损耗分析 郝建国 磁趋肤效应:涡流使铁氧体磁芯中的磁通趋于沿磁芯的 表面流动,会有什么不良影响? 涡流损耗:铁氧体磁芯磁化时,磁芯中的

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