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1、双极型晶体管 晶体管的极限参数双极型晶体管（Bipolar Transistor） 由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度快，但输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性
2、高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。 晶体管：用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管. 晶体管分类：NPN型管和PNP型管 输入特性曲线：描述了在管压降UCE一定的情况下，基极电流iB与发射结压降uBE之间的关系称为输入伏安特性，可表示为： 硅管的开启电压约为0.7V，锗管的开启电压约为0.3V。 输出特性曲线：描述基极电流IB为一常量时，集电极电流iC与管压降uCE之间的函数关系。可表示为： 双击型晶体管输出特性可分为三个区 截止区：发射结和集电结均为反向偏置。IE0，IC0，
3、UCEEC，管子失去放大能力。如果把三极管当作一个开关，这个状态相当于断开状态。 饱和区：发射结和集电结均为正向偏置。在饱和区IC不受IB的控制，管子失去放大作用，UCE0，IC=ECRC，把三极管当作一个开关，这时开关处于闭合状态。 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 放大区的特点是： IC受IB的控制，与UCE的大小几乎无关。因此三极管是一个受电流IB控制的电流源。 特性曲线平坦部分之间的间隔大小，反映基极电流IB对集电极电流IC控制能力的大小，间隔越大表示管子电流放大系数b越大。 伏安特性最低的那条线为IB=0，表示基极开路，IC很小，此时的IC就是穿透电流ICEO。 在放大区电流电压关系
4、为：UCE=EC-ICRC, IC=IB 在放大区管子可等效为一个可变直流电阻。 极间反向电流：是少数载流子漂移运动的结果。 集电极基极反向饱和电流ICBO ：是集电结的反向电流。 集电极发射极反向饱和电流ICEO ：它是穿透电流。 ICEO与CBO的关系： 特征频率 ：由于晶体管中PN结结电容的存在，晶体管的交流电流放大系数会随工作频率的升高而下降，当 的数值下降到1时的信号频率称为特征频率 。 双极型晶体管极限参数 最大集电极耗散功率 如图所示。 最大集电极电流 :使b下降到正常值的时的集电极电流称之为集电极最大允许电流。 极间反向击穿电压：晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间所允许加的
5、最高反向电压即为极间反向击穿电压，超过此值的管子会发生击穿现象。温度升高时，击穿电压要下降。 是发射极开路时集电极-基极间的反向击穿电压，这是集电结所允许加的最高反向电压。 是基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压，此时集电结承受的反向电压。 是集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电压，这是发射结所允许加的最高反向电压。 温度对的影响： 是集电结加反向电压时平衡少子的漂移运动形成的，当温度升高时，热运动加剧，更多的价电子有足够的能量挣脱共价键的束缚，从而使少子的浓度明显增大， 增大。 温度每升高10 时， 增加约一倍。硅管的 比锗管的小得多，硅管比锗管受温度的影响要小。 温度对输入特性的影响
6、：温度升高，正向特性将左移。 温度对输出特性的影响：温度升高时 增大。 光电三极管：依据光照的强度来控制集电极电流的大小。 暗电流ICEO：光照时的集电极电流称为暗电流ICEO，它比光电二极管的暗电流约大两倍；温度每升高25 ，ICEO上升约10倍。 光电流：有光照时的集电极电流为光电流。当 足够大时， 决定于入射光照度。 Cc-集电极电容 Ccb-集电极与基极间电容 Cce-发射极接地输出电容 Ci-输入电容 Cib-共基极输入电容 Cie-共发射极输入电容 Cies-共发射极短路输入电容 Cieo-共发射极开路输入电容 Cn-中和电容（外电路参数） Co-输出电容 Cob-共基极输出电容。
7、在基极电路中，集电极与基极间输出电容 Coe-共发射极输出电容 Coeo-共发射极开路输出电容 Cre-共发射极反馈电容 Cic-集电结势垒电容 CL-负载电容（外电路参数） Cp-并联电容（外电路参数） BVcbo-发射极开路，集电极与基极间击穿电压 BVceo-基极开路，CE结击穿电压 BVebo- 集电极开路EB结击穿电压 BVces-基极与发射极短路CE结击穿电压 BV cer-基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压 D-占空比 fT-特征频率 fmax-最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率 hFE-共发射极静态电流放大系数 hIE-共发射极静态输入阻抗 hOE-共发射极静
8、态输出电导 h RE-共发射极静态电压反馈系数 hie-共发射极小信号短路输入阻抗 hre-共发射极小信号开路电压反馈系数 hfe-共发射极小信号短路电压放大系数 hoe-共发射极小信号开路输出导纳 IB-基极直流电流或交流电流的平均值 Ic-集电极直流电流或交流电流的平均值 IE-发射极直流电流或交流电流的平均值 Icbo-基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流 Iceo-发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流 Iebo-基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的
9、反向截止电流 Icer-基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流 Ices-发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流 Icex-发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流 ICM-集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。 IBM-在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值 ICMP-集电极最大允许脉冲电流 ISB-二次击穿电流 IAGC-正向自动控制电流 Pc-集电极耗散功率 PCM-集电
10、极最大允许耗散功率 Pi-输入功率 Po-输出功率 Posc-振荡功率 Pn-噪声功率 Ptot-总耗散功率 ESB-二次击穿能量 rbb-基区扩展电阻（基区本征电阻） rbbCc-基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积 rie-发射极接地，交流输出短路时的输入电阻 roe-发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻 RE-外接发射极电阻（外电路参数） RB-外接基极电阻（外电路参数） Rc -外接集电极电阻（外电路参数） RBE-外接基极-发射极间电阻（外电路参数） RL-负载电阻（外电路参数） RG-信号源内阻 Rth-热阻 Ta-环境
11、温度 Tc-管壳温度 Ts-结温 Tjm-最大允许结温 Tstg-贮存温度 td-延迟时间 tr-上升时间 ts-存贮时间 tf-下降时间 ton-开通时间 toff-关断时间 VCB-集电极-基极（直流）电压 VCE-集电极-发射极（直流）电压 VBE-基极发射极（直流）电压 VCBO-基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VEBO-基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VCEO-发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCER-发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压 V
12、CES-发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCEX-发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压 Vp-穿通电压。 VSB-二次击穿电压 VBB-基极（直流）电源电压（外电路参数） Vcc-集电极（直流）电源电压（外电路参数） VEE-发射极（直流）电源电压（外电路参数） VCE(sat)-发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降 VBE(sat)-发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降） VAGC-正向自动增益控制电压 Vn(p-p)-输入端等效噪声电压峰值 V n-噪声电压
13、Cj-结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 Cjv-偏压结电容 Co-零偏压电容 Cjo-零偏压结电容 Cjo/Cjn-结电容变化 Cs-管壳电容或封装电容 Ct-总电容 CTV-电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC-电容温度系数 Cvn-标称电容 IF-正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF（AV）-正向平均电流 IFM（IM）-正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH-恒定电流、维持电流。 Ii- 发光二极管起辉电流 IFRM-正向重复峰值电流 IFSM-正向不重复峰值电流（浪涌电流） Io-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)-正向过载电流 IL-光电流或稳流二极管极限电流 ID-暗电流 IB2-单结晶体管中的基极调制
