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1、第三章 场效应管放大器 绝缘栅场效应管 结型场效应管 3.2 场效应管放大电路 效应管放大器的静态偏置 效应管放大器的交流小信号模型 效应管放大电路 3.1 场效应管 3.1 场效应管 BJT是一种电流控制元件(iB iC)，工作时，多数载流 子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种 电压控制器件(uGS iD) ，工作时，只有一种载流子参与 导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入 电阻极高等优点，得到了广泛应用。 FET分类： 绝缘栅场效应管 结型场效应管 增强型 耗尽型
2、 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 一. 绝缘栅场效应管 绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET) ，简称MOSFET。分为： 增强型 N沟道、P沟道 耗尽型 N沟道、P沟道 1.N沟道增强型MOS管 （1）结构 4个电极：漏极D， 源极S，栅极G和 衬底B。 符号： 当uGS0V时纵向电场 将靠近栅极下方的空穴向 下排斥耗尽层。 （2）工作原理 当uGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在 d、s之间加上电压也不会形成电流，即管子截止。 再增加uGS纵向电场 将P区少子电子聚集到 P区表面形成导电沟道， 如果此时加有漏源电压，
3、 就可以形成漏极电流id。 栅源电压uGS的控制作用 定义： 开启电压（ UT）刚刚产生沟道所需的 栅源电压UGS。 N沟道增强型MOS管的基本特性： uGS UT，管子截止， uGS UT，管子导通。 uGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作 用下，漏极电流ID越大。 转移特性曲线： iD=f(uGS)uDS=const 可根据输出特性曲线作出移特性曲线。 例：作uDS=10V的一条转移特性曲线： UT 一个重要参数跨导gm： gm=iD/uGS uDS=const (单位mS) gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 在转移特性曲线上， gm为的曲线的斜率。 在输出特性曲线
4、上也可求出gm。 2.N沟道耗尽型MOSFET 特点： 当uGS=0时，就有沟道， 加入uDS，就有iD。 当uGS0时，沟道增宽 ，iD进一步增加。 当uGS0时，沟道变窄 ，iD减小。 在栅极下方的SiO2层中掺入了大量的金属正离子。所以当 uGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。 定义： 夹断电压（ UP）沟道刚刚消失所需的栅源电压uGS。 3、P沟道耗尽型MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道 MOSFET完全相同，只不过导电的载流 子不同，供电电压极性不同而已。这如同 双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 4. MOS管的主要参数 （1）开启电压UT （2
5、）夹断电压UP （3）跨导gm ：gm=iD/uGS uDS=const （4）直流输入电阻RGS 栅源间的等效 电阻。由于MOS管栅源间有sio2绝缘层 ，输入电阻可达1091015。 二. 结型场效应管 1. 结型场效应管的结构（以N沟为例）： 两个PN结夹着一个N型沟道。 三个电极： g：栅极 d：漏极 s：源极 符号： N沟道P沟道 2. 结型场效应管的工作原理 （1）栅源电压对沟道的控制作用 在栅源间加负电压uGS ，令 uDS =0 当uGS=0时，为平衡PN结，导电 沟道最宽。 当uGS时，PN结反偏，耗尽层 变宽，导电沟道变窄，沟道电阻 增大。 当uGS到一定值时 ，沟道会完
6、全合拢。 定义： 夹断电压UP使导电沟道完全 合拢（消失）所需要的栅源电压 uGS。 （2）漏源电压对沟道的控制作用 在漏源间加电压uDS ，令uGS =0 由于uGS =0，所以导电沟道最宽。 当uDS=0时， iD=0。 uDSiD 靠近漏极处的耗尽层加宽 ，沟道变窄，呈楔形分布。 当uDS ，使uGD=uG S- uDS=UP时， 在靠漏极处夹断预夹断。 预夹断前， uDSiD 。 预夹断后， iDSiD 几乎不变。 uDS再，预夹断点下移。 （3）栅源电压uGS和漏源电压uDS共同作用 iD=f（ uGS 、uDS）,可用输两组特性曲线来描绘。 （1）输出特性曲线： iD=f（ uDS
7、 ）uGS=常数 3、 结型场效应三极管的特性曲线 uGS=0V uGS=-1V 设：UT= -3V 四个区 ： 恒流区的特点： iD / uGS = gm 常数 即： iD = gm uGS （放大原理） （a）可变电阻区 （预夹断前）。 （b）恒流区也称饱和 区（预夹断 后）。 （c）夹断区（截止区）。 （d）击穿区。 可变电阻区 恒流区 截止区 击穿区 （2）转移特性曲线： iD=f（ uGS ）uDS=常数 可根据输出特性曲线作出移特性曲线。 例：作uDS=10V的一条转移特性曲线： 4 .场效应管的主要参数 (1) 开启电压UT UT 是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝
8、对值, 场效应管不 能导通。 （2）夹断电压UP UP 是MOS耗尽型和结型FET的参数，当uGS=UP时,漏极电流为零。 （3）饱和漏极电流IDSS MOS耗尽型和结型FET, 当uGS=0时所对应的漏极电流。 （4）输入电阻RGS 结型场效应管，RGS大于107，MOS场效应管, RGS可达1091015。 （5） 低频跨导gm gm反映了栅压对漏极电流的控制作用，单位是mS(毫西门子)。 （6） 最大漏极功耗PDM PDM= UDS ID，与双极型三极管的PCM相当。 5 .双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 单单极型场场效应应管 载载流子多子扩扩散少子漂移 少子漂移 输输入量电
9、电流输输入电压输电压输 入 控制电电流控制电电流源电压电压 控制电电流源 输输入电电阻几十到几千欧几兆欧以上 噪声较较大较较小 静电电影响不受静电电影响易受静电电影响 制造工艺艺不宜大规规模集成适宜大规规模和超大 规规模集成 一. 直流偏置电路 保证管子工作在饱和区，输出信 号不失真 3. 2 场效应管放大电路 1.自偏压电路 UGS =- IDR 注意：该电路产生负的栅源电压，所以只能用于需要负栅源电压的电路 。 计算Q点：UGS 、 ID 、UDS 已知UP ，由 UGS =- IDR 可解出Q点的UGS 、 ID UDS =VDD- ID (Rd + R )再求 ： ID 2.分压压式自
10、偏压电路 可解出Q点的UGS 、 ID 计算Q点： 已知UP ，由 该电路产生的栅源电压可正 可负，所以适用于所有的场 效应管电路。 UDS =VDD- ID (Rd + R )再求 ： 二. 场效应管的交流小信号模型 与双极型晶体管一样，场效应管也是一种非线性器件，在交流小信号 情况下，也可以由它的线性等效电路交流小信号模型来代替。 其中：gmugs是压控电流源，它体现了输入电压对输出电流的控制作用。 称为低频跨导。 rds为输出电阻，类似于双极型晶体管的rce。 三. 场效应管放大电路 1.共源放大电路 分析： （1）画出共源放大电路的交流小信号等效电路。 （2）求电压放大倍数 （3）求输入电阻 （4）求输出电阻 则 （2）电压放大倍数 （3）输入电阻 得 分析 ： （1）画交流小信号等效电路。 由 2.共漏放大电路 （4）输出电阻 所以 由图有 本章小结 1FET分为JFET和MOSFET两种，工作时只有一种载 流子参与导电，因此称为单极性型晶体管。FET是一种压 控电流型器件，改变其栅源电压就可以改变其漏极电流。 2FET放大器的偏置电路与BJT放大器不同，主要有自 偏压式和分压式两种。 3 FET放大电路也有三种组态：共源、共漏和共栅。 电路的动态分析需首先利用FET的交流模型建立电路的交 流等效电路，然后再进行计算，求出电压放大倍数、输入 电阻、输出电阻等量。
