《模拟电路复习(1、2、3、4、5、6、8章)康华光教材》由会员分享，可在线阅读，更多相关《模拟电路复习(1、2、3、4、5、6、8章)康华光教材（99页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、2.1 集成电路运算放大器,模电复习,2.2 理想运算放大器,2.3 基本线性运放电路,2.4 同相输入和反相输入放大电 路的其他应用,2.1 集成电路运算放大器,1. 集成电路运算放大器的内部组成单元,图2.1.1 集成运算放大器的内部结构框图,2.3.1 同相放大电路,3. 虚假短路,图中输出通过负反馈的作用，使vn自动地跟踪vp， 即vpvn，或vidvpvn0。这种现象称为虚假短路，简称虚短。,由于运放的输入电阻ri很大，所以，运放两输入端之间的 ip-in (vpvn) / ri 0，这种现象称为虚断。,由运放引入负反馈而得到的虚短和虚断两个重要概念，是分析由运放组成的各种线性应用电
2、路的利器，必须熟练掌握。,2.3.1 同相放大电路,4. 几项技术指标的近似计算,（1）电压增益Av,根据虚短和虚断的概念有 vpvn， ip-in0,所以,（可作为公式直接使用）,2.3.1 同相放大电路,4. 几项技术指标的近似计算,（2）输入电阻Ri,输入电阻定义,根据虚短和虚断有 vivp，ii ip0,所以,（3）输出电阻Ro,Ro0,2. 几项技术指标的近似计算,（1）电压增益Av,根据虚短和虚断的概念有 vn vp 0 ， ii0,所以 i1i2,即,（可作为公式直接使用）,2.3.2 反相放大电路,2. 几项技术指标的近似计算,（2）输入电阻Ri,（3）输出电阻Ro,Ro0,2
3、.3.2 反相放大电路,2.4.1 求差电路,从结构上看，它是反相输入和同相输入相结合的放大电路。,当,则,若继续有,则,根据虚短、虚断和n、p点的KCL得：,2.4.3 求和电路,根据虚短、虚断和n点的KCL得：,若,则有,（该电路也称为加法电路）,3 二极管及其基本电路,3.1 半导体的基本知识,3.3 二极管,3.4 二极管的基本电路及其分析方法,3.5 特殊二极管,3.2 PN结的形成及特性,3.1 基本概念,本征半导体化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。,空穴共价键中的空位。,电子空穴对由热激发而产生的自由电子和空穴对。,空穴的移动空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次
4、填充空穴来实现的。,由于随机热振动致使共价键被打破而产生空穴电子对,3.1.4 杂质半导体,在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。,N型半导体掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。,P型半导体掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。,3.2.2 PN结的形成,3.2.2 PN结的形成,3.2.3 PN结的单向导电性,当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。,(1) PN结加正向电压时,低电阻 大的正向扩散电流,3.2.3 PN结的单向导电性,
5、当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。,(2) PN结加反向电压时,高电阻 很小的反向漂移电流,PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。,在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:,因浓度差 ,空间电荷区形成内电场, 内电场促使少子漂移, 内电场阻止多子扩散,最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。,多子的扩散运动,由杂质离子形
6、成空间电荷区 ,3.3.2 二极管的V-I 特性,二极管的V-I 特性曲线可用下式表示,锗二极管2AP15的V-I 特性,硅二极管2CP10的V-I 特性,3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法,1.二极管V-I 特性的建模,将指数模型 分段线性化，得到二极管特性的等效模型。,3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法,1.二极管V-I 特性的建模,3.5 特殊二极管,3.5.1 齐纳二极管(稳压二极管),3.5.2 变容二极管,3.5.3 肖特基二极管,3.5.4 光电子器件,4.1 BJT,4.1.1 BJT的结构简介,4.1.2 放大状态下BJT的工作原理,4.1.3 BJT的V-I 特
7、性曲线,4.1.4 BJT的主要参数,4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响,4 双极结型三极管及放大电路基础,4.1 BJT,4.3 放大电路的分析方法,4.4 放大电路静态工作点的稳定问题,4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路,4.2 基本共射极放大电路,4.6 组合放大电路,半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。,4.1.1 BJT的结构简介,(a) NPN型管结构示意图 (b) PNP型管结构示意图 (c) NPN管的电路符号 (d) PNP管的电路符号,集成电路中典型NPN型BJT的截面图,4.1.1 BJT的结构简介,三极管的放大作用是在一定的外
8、部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏 集电结反偏,4.1.2 放大状态下BJT的工作原理,1. 内部载流子的传输过程,发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 （以NPN为例）,由于三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管或BJT (Bipolar Junction Transistor)。,IC= INC+ ICBO,IE=IB+ IC,放大状态下BJT中载流子的传输过程,2. 电流分配关系,根据传输过程可知,IC= INC+ ICBO,通常 IC ICBO,IE=IB+ IC,放大状态下BJT中载流子的传输过程,2.
9、 电流分配关系,3. 三极管的三种组态,(c) 共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示。,(b) 共发射极接法，发射极作为公共电极，用CE表示；,(a) 共基极接法，基极作为公共电极，用CB表示；,BJT的三种组态,综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 实现这一传输过程的两个条件是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。,4.1.3 BJT的V-I 特性曲线,iB=f(vBE) vCE=const.,(2) 当vCE1V时， vCB= vCE - vBE0
10、，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。,(1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。,1. 输入特性曲线,（以共射极放大电路为例）,共射极连接,饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。,iC=f(vCE) iB=const.,2. 输出特性曲线,输出特性曲线的三个区域:,截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压。,放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。,4.1.3 B
11、JT的V-I 特性曲线,3. 静态工作点对波形失真的影响,截止失真的波形,饱和失真的波形,3. 静态工作点对波形失真的影响,1. BJT的H参数及小信号模型, H参数小信号模型,根据,可得小信号模型,BJT的H参数模型,BJT双口网络,1. BJT的H参数及小信号模型, 模型的简化,hre和hoe都很小，常忽略它们的影响。,BJT在共射极连接时，其H参数的数量级一般为,静态工作点与动态参数,Q (IB, IC VCE) 动态参数：Av, Ri, Ro 组态：共射极，共基极，共集电极,共射极放大电路,放大电路如图所示。已知BJT的 =80， Rb=300k ， Rc=2k， VCC= +12V，
12、求：,（1）放大电路的Q点。此时BJT工作在哪个区域？,（2）当Rb=100k时，放大电路的Q点。此时BJT工作在哪个区域？（忽略BJT的饱和压降）,解：（1）,（2）当Rb=100k时，,静态工作点为Q（40A，3.2mA，5.6V），BJT工作在放大区。,其最小值也只能为0，即IC的最大电流为：,，所以BJT工作在饱和区。,VCE不可能为负值，,此时，Q（120uA，6mA，0V），,例题,end,4.4.2 射极偏置电路,（1）稳定工作点原理,目标：温度变化时，使IC维持恒定。,如果温度变化时，b点电位能基本不变，则可实现静态工作点的稳定。,T , IC, IE, VE、VB不变, VB
13、E , IB,（反馈控制）,1. 基极分压式射极偏置电路,(a) 原理电路 (b) 直流通路,1. 基极分压式射极偏置电路,（2）放大电路指标分析,静态工作点,电压增益,画小信号等效电路,（2）放大电路指标分析,方法：直流电压源视为接地；电容视为短路,电压增益,输出回路：,输入回路：,电压增益：,画小信号等效电路,确定模型参数,已知，求rbe,增益,（2）放大电路指标分析,（可作为公式用）,4.6.1 共射-共基放大电路,其中,所以,因为,因此,组合放大电路总的电压增益等于组成它的各级单管放大电路电压增益的乘积。 前一级的输出电压是后一级的输入电压，后一级的输入电阻是前一级的负载电阻RL。,电
14、压增益,T1、T2构成复合管，可等效为一个NPN管,(a) 原理图 (b)交流通路,4.6.2 共集-共集放大电路,4.6.2 共集-共集放大电路,1. 复合管的主要特性,两只NPN型BJT组成的复合管,两只PNP型BJT组成的复合管,rberbe1(11)rbe2,5 场效应管放大电路,5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管,5.3 结型场效应管（JFET）,5.2 MOSFET放大电路,5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管,5.1.1 N沟道增强型MOSFET,5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET,5.1.3 P沟道MOSFET,P沟道,耗尽型,P沟道,P沟道,（耗尽型）
15、,场效应管的分类：,5.1.1 N沟道增强型MOSFET,1. 结构（N沟道）,L ：沟道长度,W ：沟道宽度,tox ：绝缘层厚度,通常 W L,5.1.1 N沟道增强型MOSFET,剖面图,1. 结构（N沟道）,符号,53,MOSFET的基本工作原理,5.1.1 N沟道增强型MOSFET,2. 工作原理,（1）vGS对沟道的控制作用,当vgs0时,无导电沟道， d、s间加电压时，也无电流产生。,当0vGS VT 时,产生电场，但未形成导电沟道（感生沟道），d、s间加电压后，没有电流产生。,当vGSVT 时,在电场作用下产生导电沟道，d、s间加电压后，将有电流产生。,vGS越大，导电沟道越厚
16、,VT 称为开启电压,2. 工作原理,（2）vDS对沟道的控制作用,靠近漏极d处的电位升高,电场强度减小,沟道变薄,当vGS一定（vGS VT ）时，,vDS, iD,沟道电位梯度,整个沟道呈楔形分布,当vGS一定（vGS VT ）时，,vDS, iD,沟道电位梯度,当vDS增加到使vGD=VT 时，在紧靠漏极处出现预夹断。,2. 工作原理,（2）vDS对沟道的控制作用,在预夹断处：vGD=vGS-vDS =VT,预夹断后，vDS,夹断区延长,沟道电阻, iD基本不变,2. 工作原理,（2）vDS对沟道的控制作用,2. 工作原理,（3） vDS和vGS同时作用时,vDS一定，vGS变化时,给定一个vGS ，就有一条不同的 iD
