电子技术习题册.

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1、一、 判断题(正确的在括号内打“”,错误的打“X”)1. 半导体随温度的升高,电阻会增大。 ( )2. PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大。( )二、 选择题1. PN结的最大特点是具有( )。A. 导电性 B.绝缘性 C.单向导电性2. 半导体受光照,导电性能( )。A. 增强 B.减弱 C.不变3. 最常用的半导体材料是( )。A. 铜 B.硅 C.铝 D. 锗一、 判断题1. 二极管是线性元件。 ( )2. 一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死去电压。 ( )3. 不论是哪种类型的半导体二极管,其正向电压都为0.3V。 ( )4. 二极管具有单向导电性。 ( )5. 二极管

2、的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。 ( )6. 当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小;当反向电压大于反向击穿电压时,其反向电流迅速增加。 ( )7. 二极管加正向电压时一定导通。 ( )8. 二极管加反向电压时一定截止。 ( )9. 有两个电极的元件都叫二极管。 ( )10. 二极管一旦反向击穿就一定损坏。 ( )11. 光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。 ( )12. 光电二极管可以作为电路通断和指示用。( )13. 发光二极管可以接收可见光线。( )14. 若增大变容二极管两端的的反向电压,其接电容减小。( )二、 选择题1. 当加在硅二极管两端的正向电压从0开

3、始增加时,硅二极管( )。A:立即导通B:到0.3V才开始导通C:超过死区电压时才开始导通D:不导通2. 把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极,负极直接接到硅二极管的负极,则该管( )。A:基本正常B:将被击穿C:将被烧坏D:电流为03. 当硅二极管加上0.4V正向电压时,该二极管相当于( )。A:很小的电阻B:很大的电阻C:短路D:电阻4. 某二极管反向击穿电压为150V,则其最高反向工作电压( ).A:约等于150VB:略大于150VC:等于75VD:等于300V5. 当环境温度升高时,二极管的反向电流将( )。A:增大B:减小C:不变D:先变大,后变小6. 测量小功

4、率二极管的好坏时,一般把万用表欧姆档拨到( )A:RX100B:RX1KC:RX1D:RX10K7. 用万用表RX100档来测试二极管,如果二极管( ),说明管子是好的。A:正反向电阻均为0 B:正反向电阻均为无穷大C:正向电阻为几百欧,反向电阻为几百千欧D:正反向电阻均为几百欧8. 用万用表的电阻档判断小功率二极管的管脚时,应选用( )。A:RX1B:RX100C:RX1kD:RX109. 测量二极管正向电阻时,若把两手把管脚捏紧,电阻值将会( )A:变大B:变小C:不变D:不能确定10. 变容二极管工作时,应加( )A:反向电压B:正向电压C:正向电压或反向电压11. 发光二极管工作时,应

5、加( )A:正向电压B:反向电压C:正向电压或反向电压12. 变容二极管常用在( )电路中。A:高频B:低频C:直流D:中频13. 交通信号灯采用的是( )管。A:发光二极管B:光电二极管C:变容二极管D:整流二极管一、 判断题1. 三极管有两个PN结,因此它具有单向导电性。 ( )2. 三极管由两个PN结组成,所以可以用两只二极管组合构成三极管。 ( )3. 三极管的发射区和集电区 是由同一类半导体材料(N型或P型)构成的,所以集电极和发射极可以调换使用。 ( )4. 发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。 ( )5. 发射结反向偏置的三极管一定工作在截止状态。 ( )6. 测得正常放大

6、电路中,晶体管三个管脚的电位分别是-9V、-6V和-6.3V,则这个晶体三极管是PNP锗管 ( )7. 某晶体三极管的IB=10uA时,IC=0.44mA;当IB=20uA时,IC=0.894mA ,则它的电流放大系数为45。. ( )二、 选择题1. 三极管放大的实质是( )。A:将小能量换成大能量B:将小电压放大成大电压C:将小电流放大成大电流D:用较小的电流控制较大的电流2. 在一块正常的放大板上,测得三极管1、2、3脚电位分别为-10V、-10.3V、-14V,下列符合该三极管的叙述是( )。A:管型是PNPB:材料是硅C:1脚是发射极D:2脚是基极3. 用直流电压表测量NPN型三极管

7、仲各极电位是UB=4.7V,UC=4.3V,UE=4V,则该管的工作状态是( )。A:截止B:饱和C:放大D:击穿4. 用万用表测得电子线路中的晶体三极管UE=-3V,UCE=6V,UBC=-5.4V,则该三极管是( )型,处于( )状态。A:PNP 放大B:NPN 放大C:PNP 截止D:NPN 截止5. 在三极管放大器中,三极管各极电位最高的是( )。A:NPN管的集电极B:PNP管的集电极C:NPN管的发射极D:PNP管的基极6. 三极管各极电位如图21所示,处于饱和状态的三极管是( ),A:B:C:7. 满足IC=IB的关系时,三极管工作在( )。A:饱和B:放大C:截止D:击穿8.

8、晶体三极管处于饱和状态时,它的集电极电流将( )。A:随基极电流的增加而增加B:随基极电流的增加而减小C:与基极电流变化无关,只取决于Ucc和Rc9. 三极管输出特性曲线中,当IB=0时,IC等于( )A:ICM B:ICBOC:ICEOD:010. 三极管是一种( )的半导体器件。A:电压控制B:电流控制C:既是电压又是电流控制D:功率控制11. 三极管的( )作用是三极管最基本和最重要的特性。A:电流放大B:电压放大C:功率放大D:电压放大和电流放大12. NPN型晶体管处于放大状态时,各极电压关系是( )。A:UCUEUBB:UCUBUEC:UCUBUED:UCUEUB13. 三极管的伏

9、安特性是指它的( )。A:输入特性B:输出特性C:输入特性和输出特性D:正向特性14. 三极管的输出特性曲线是簇曲线,每一条曲线都与( )对应。A:IC B:UCEC:IBD:IE15. 如图22所示电路,电源电压为9V,三极管CE两极间电压为4V,e极电位1V,说明该三极管处于( )状态。A:放大B:截止C:饱和D:短路图2216. 在三极管的输出特性曲线中,当IB减少时。它对应的输出特性曲线( )。A:向下平移B:向上平移C:向左平移D:向右平移17. 有三只晶体三极管,除、ICEO不同外,其他参数一样,用作放大器时,应选用( )。A:=50 ICEO=0.5mAB:=140 ICEO=2

10、.5mAC:=10 ICEO=0.5mA18. 某晶体三极管的PCM=100mW,ICM=20mA,UBR(CEO)=30V,如果将它接到Ic=15mA,UCE=20V的电路中,则该管( )A:被击穿B:工作正常C:功耗太大过热甚至烧坏D:截止19. 用万用表RX1K档测量一只正常的三极管,用红表笔接触一只管脚,黑表笔分别接触另外两只管脚时,测得的电阻都很大,则该三极管是( )。A:PNP型B:NPN型C:无法确定20. 用万用表的电阻档测得三极管任意两管脚间的电阻均很小,说明该管( )。A:两个PN结均击穿B:两个PN结均开路C:发射结击穿,集电结正常D:发射结正常,集电结击穿一、 判断题1

11、. 放大器不设置静态工作点时,由于三极管的发射结有死区和三极管输入特性曲线的非线性,会产生失真。 ( )2. 放大器带上负载后,放大倍数和输出电压都会上升。( )3. 在共射极基本放大电路中,RB的作用一是提供合适的直流电压,二是通过它将集电极电流的变化转化为电压的变化,以实现电压放大。( )4. 在共射极放大电路中,输出电压和输入电压同相。( )5. 放大器具有能量放大作用。( )6. 变压器能把电压升高,所以变压器也是放大器,( )7. 信号源和负载不是放大器的组成部分,但它们对放大器有影响。( )8. 放大器在工作时,电路同时存在有直流分量和交流分量。( )9. 放大电路的电压放大倍数随

12、负载RL而变化,RL越大,电压放大倍数越大。( )10. 放大电路的输出端不接负载,则放大器的交流负载线和直流负载线重合。( )11. 放大器的交流负载线比直流负载线陡。( )12. 放大器静态工作点过高时,在Ucc和Rc不变情况下,可增加基极电阻RB。( )二、 选择题1. 三极管构成放大器时,根据公共端的不同,有( )种连接方式。A:1 B:2C:3D:42. 放大器的静态是指( )。A:输入信号为0B:输出信号为0C:输入、输出信号均为0D:输入输出均不为03. 表征放大器静态工作点的参数主要指( )。A:IBQB:IEQC:UCEQD:ICQ4. 放大器的静态是指输入信号( )三极管的工作点。A:为零时B:为正时C:为负时D:很小时5. 低频放大电路放大的对象是电压、电流的( )。A:稳定值B:变化量C:平均值D:直流量6. 放大电路工作在动态时,为避免失真,发射结电压直流分量和交流分量大小关系通常为( )。A:直流分量大B:交流分量大C:直流分量和交流分量相等D:以上均可7. 在共射极低频电压放大电路中,输出电压应视为( )。A:u o=icRcB:u o=-iBRcC:u o=-iCRLD:u o=-icRc8. 放

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