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1、扫描电子显微镜基础课 “材料人”系列讲座第一讲 2017年10月22日,1.SEM的相关应用 2.SEM仪器工作原理及相关术语 3.SEM成像机理 4.阴极荧光光谱及能谱 5.SEM前景分析,目录,1.SEM的相关应用,陶瓷、高分子、 粉末、金属、 夹杂物、环氧树脂,热蒸发SiO粉末生长 的二氧化硅纳米线,水稻根毛生长过程（用冷冻台技术 -180）,氧化锡纳米棒 ESEM,硫 化 铋,方解石,光子 禁带,共晶组织,陶 瓷 多 晶,2.SEM仪器工作原理及相关术语,人眼,目镜,物镜,聚光镜,照明光源,样品,聚光镜,样品,物镜,投影镜,灯丝,荧光板图像,灯丝,聚光镜,偏转器,物镜,探测器,样品,视
2、屏图像,OM,TEM,SEM,1942年 第一台扫描电子显微镜 60年代 分辨率和图像质量的大大的改善 80年代 广泛应用于医学、生物学等领域 90年代 高分辨型扫描电镜的分辨率0.2nm,2.SEM仪器工作原理及相关术语,飞纳,蔡司,菲利普,日立,日立 S-4800 场发射扫描电子显微镜,主要性能： 二次电子像分辨率： 1.0nm(15kv)；1.4nm(1kv,减速模式)； 2.0nm (1kV)普通模式 加速电压：0.5 30kV 放大倍率：20 800,000 束流强度：1pA2nA 物镜光栏：加热自清洁式、四孔、可移动物镜光栏 样品室和样品台：移动范围：X：050mm；Y：05mm；
3、Z：1.530mm； T：-5700旋转R：3600，最大样品尺寸：100mm 探测器: 高位探头可选择接受二次电子像或背散射像，并混合INCA Energy 350 X射线能谱仪 技术指标： X-sight Si(Li) 探测器 (专利)，SuperATW 窗口 30mm2 活区，分辨 率优于133eV (MnK处,计数率为4000cps)，分析元素范围：Be4-U92,2.SEM仪器工作原理及相关术语,成像原理：利用细聚焦电子束在样品表面扫描时激发出来的各种物理信号调制成像。类似电视摄影显像的方式。 SEM的样品室附近可以装入多个探测器。目前的扫描电子显微镜可以进行形貌、微区成分和晶体结构
4、等多种微观组织结构信息的同位分析。,2.SEM仪器工作原理及相关术语工作原理,SED：二次电子探测仪 BSD：背散射电子探测仪 EDS：能谱仪 WDS：波谱仪 EBSD：电子背散射衍射 VPSED：可变压力探测仪,2.SEM仪器工作原理及相关术语工作原理,1.电子光学系统：电子枪、电磁透镜、扫描线圈和样品室 作用是将来自电子枪的电子束聚焦成亮度高、直径小来轰击样品，使之产生各种物理信号,发夹形钨阴极、Y2O3-Ir阴极、LaB6阴极、场发射阴极,信号收集及显示系统,电子光学系统,真空系统,束斑大 束流密度小,束斑小 束流密度大,束斑最小 束流密度最大,束斑较小 束流密度较小,2.信号收集及显示
5、系统：不同信号探测器，扫描系统，增益放大，显示屏 作用是将信号通过探测器接收，经放大器传输到显示屏，进而得到图像，输入到计算机。,2.SEM仪器工作原理及相关术语工作原理,样品空间,显示空间,扫描电镜的成像是通过扫描完成的 同步扫描：扫描发生器同时控制高能电子束和荧光屏中的电子束 样品上的点与显示空间的点一一对应,扫描方向,图示方向,3.真空系统：真空系统主要包括真空泵和真空柱两部分。 真空柱是一个密封的柱形容器。真空泵用来在真空柱内产生真空。有机械泵、油扩散泵以及涡轮分子泵三大类。 作用：防止电子束系统中的灯丝在普通大气中会迅速氧化而失效，所以除了在使用SEM时需要用真空以外，平时还需要以纯
6、氮气或惰性气体充满整个真空柱。,2.SEM仪器工作原理及相关术语工作原理,镜筒和样品室都是处于 高真空状态下工作，由涡轮分子泵抽高真空，外接的机械泵与分子泵串连，是前级泵，抽低真空。高低真空度分 别由潘宁规和皮拉尼规测量。 有的电镜有低真空操作功能，样品室可以通 入适量气体或水蒸气，直接观察不导电或含水样品。,蔡司EVO系列,2.SEM仪器工作原理及相关术语放大倍数,放大倍率M定义：M = A / a A：荧光屏宽度，a：电子束在样品上的扫描宽度,低倍像意味着样品上的扫描面积大，适于大范围观察；高倍像意味着扫描面积小，适于观察局部细节。照片为铁氧体的高倍和低倍图像。,铁氧体 10kV 1k,铁
7、氧体 10kV 10k,2.SEM仪器工作原理及相关术语景深,样品表面高低不平，利用扫描电镜成像，可以看清楚的高点F1和低点F3之间的距离称为景深。扫描电镜的景深优于光镜和透射电镜。用一个比喻，光镜景深若为1，扫描电镜景深则是其300倍。特别适合观察粗糙面样品或材料断口。 为提高景深，可以选用较小的放大倍率，或者拉远样品到物镜下表面的距离，这称为工作距离（WD），从左图可见，由于WD2WD1，F1，F2，F3几个不同高度部位在图像中均清晰。,灯丝 10kV 400 WD=6mm,灯丝 10kV 400 WD=21mm,2.SEM仪器工作原理及相关术语分辨率,分辨率 ：样品上可以分辨的两个邻近的
8、质点或线条间的距离。 如何测量：拍摄图象上，亮区间最小暗间隙宽度除以放大倍数。 影响SEM图像分辨率的主要因素有： 扫描电子束斑直径 ； 检测信号类型； 检测部位原子序数； 机械振动及杂散磁场； 操作方式； 信噪比等,2.SEM仪器工作原理及相关术语加速电压,加速电压 ：扫描电镜的加速电压可影响电子束入射样品的深度，对成像产生明显影响。 低电压对应较浅的入射深度和作用区域；高电压对应较深的入射深度和作用区域。,加速电压,高分辨率,低分辨率,相对较清晰的表面精细结构 更小的边缘效应 更小的电荷积累 更小的辐射损伤,相对不清晰的表面精细结构 更大的边缘效应 更大的电荷积累 更大的辐射损伤,3.SE
9、M成像机理,电子束与样品之间的作用,产生深度和宽度,在接收探测器上加正电压吸引电子 采用光电倍增管放大信号,3.SEM成像机理信号检测,背散射电子是固体样品中的原子核反弹回来的部分入射电子，它来自样品表层几百纳米的深度范围。由于它的产额能随样品原子序数增大而增大，所以不仅能用做形貌分析，而且可以用来显示原子序数的衬度，定性地用做成分分析。 二次电子是在入射电子束作用下被轰击出来离开样品表面的核外电子。它来自表层510nm的深度范围内，它对样品表面形貌十分敏感，能用来非常有效的显示样品的表面形貌。 特征X射线由样品原子内层电子被入射电子激发或电离而成，可以用来判定微区存在的元素。,3.SEM成像
10、机理信号产额,二次电子： 高分辨率的样品表面形貌 样品的电压衬度 样品的磁衬度和磁畴显示 背散射电子： 表面形貌 原子序数衬度 晶体取向衬度 提供电子通道花样，确定晶体取向 特征X射线： 任何部位的元素分析和元素分布图,3.SEM成像机理形貌衬度,实际样品中表面起伏： 入射电子束与样品夹角不同时采集到二次电子信号亮度不同，从而形成衬度 朝向探测器的方位信号强得多 样品表面的尖端、边沿信号很强边缘效应 小粒子的二次电子产额较高,3.SEM成像机理原子序数衬度,它的产额能随样品原子序数增大而增大，所以不仅能用做形貌分析，而且可以用来显示原子序数的衬度，定性地用做成分分析。,3.SEM成像机理电压衬
11、度,图 试样上添加合适的偏置电压及衬度对比,二次电子能量低，30eV，其产额和运动轨迹受试样表面存在的电位影响明显。能直观地反映试样表面相对电位分布的情况。,SED 150V,10V,0V,衬度机理：反向偏置电压10V，试样N区的二次电子能量大于10eV才能被激发，小于等于10eV的电子没法逃逸，这样N区的二次电子产量比P的少； 另外，如果SED系统栅电位为150V，对N和P的电位差分别为140和150V，电场作用力P较大，此时假设两区发射的电子相同，SED对P的收集率要高于N区。,电子束 扫描方向,3.SEM成像机理磁衬度,利用SEM观察磁畴可分为两种方法，即利用二次电子和利用背散射电子。电
12、子束投射到物体表面后，一部分电子从物体表面散射，其中经非弹性散射离开物体表面的慢速电子称为二次电子。另一部分较深入样品的入射电子经受某种散射后，再从表面逸出。 二次电子从入射位置发出，二次电子受到样品表面 散磁场的洛仑兹力作用，F=evB，电子轨道方向 弯曲。而散磁场是由样品表面磁畴结构决定的， 相邻磁畴在表面产生的散磁场方向不同，因而造成 二次电子象的磁反差。,材料在自发磁化、热处理、机加工、烧结等过程中为降低静磁能而产生分化的方向各异的小型磁化区域，每个区域内部包含大量原子，这些原子的磁矩都象一个个小磁铁那样整齐排列，但相邻的不同区域之间原子磁矩排列的方向不同磁畴,怎么判断信号对应的形貌是
13、不是为磁畴？,4.阴极荧光光谱及能谱阴极荧光光谱,阴极荧光（CL）是由加速电子撞击材料表面所放出的光子（Photon）信号。当加速电子撞击材料，将价带（value band）中的电子激发到导带（conduction band），产生电子空穴对（electron-hole），之后由于导带能量高不稳定，被激发电子又重新跳回价带，电子-空穴会发生复合，并释放出能量EEg(能隙)的特征荧光谱。通常用于研究半导体的结构特征。,扫描电子显微镜(SEM)的附件，可以在SEM测试样品表面形貌的同时，进行CL测试，得到样品的杂质、缺陷等信息。,电子激发产生阴极荧光有三种形式，一种是带间激发(图(a)，即受入射电
14、子的激发，价带中的电子能够获得能量进入导带，使原子处于激发状态,去激过程导带电子跃回价带释放能量(h)，形成带间激发。带间激发可以表征所测矿物的特性，另一种是缺陷激发(图(b)，由于带间存在缺陷，去激过程发生在缺陷能级中。第三种是杂质激发(图(c),由于材料中杂质的存在,在带间存在杂质能级，因此，去激过程发生在杂质能级中。,4.阴极荧光光谱及能谱阴极荧光光谱,阴极荧光成像主要应用： 研究3和5族化合物半导体材料中晶体的缺陷、位错、自由电子和掺杂浓度的变化：GaAs、GaN、GaSb 根据荧光材料的发光情况，研究其材料的均匀性和夹杂物的分布及种类。 研究矿物的生长条件、晶体生长过程和矿床成因的类
15、型 确定试样中某些微量元素的存在，特别是能谱仪难以检测的元素 印泥鉴别、射击残留物、指纹显像、毒品来源及生产工艺,目前最常用的是Si(Li)X射线能谱仪，其关键部件是Si(Li)检测器，即锂漂移硅固态检测器，它实际上是一个以Li为施主杂质的P-I-N型二极管。,4.阴极荧光光谱及能谱能谱仪,冷阱,FET场效应管,在Si(Li)晶体两端偏压来收集电子空穴对（前置放大器）转换成电流脉冲（主放大器）转换成电压脉冲（后进入）多通脉冲高度分析器，按高度把脉冲分类，并计数，从而描绘图谱。,Si(Li)能谱仪系统方框图,P-I-N型Si二极管内部结构,例1：Mn K能量为5.895KeV，最多形成电子-空穴
16、对个数？ 例2：Ca K能量为3.7KeV，能产生多少电子-空穴对？,Si(Li)能谱仪的特点,优点： (1)定性分析速度快 可在几分钟内分析和确定样品中含有的几乎所有元素。 铍窗口：11Na92U，新型材料窗口：4Be92U (2)灵敏度高 X射线收集立体角大，空间分辨率高。 (3)谱线重复性好 适合于表面比较粗糙的分析工作。 缺点： (1)能量分辨率低，峰背比低。能谱仪的能量分辨率(130eV)比波谱仪的能量分辨率(5eV)低。 (2)工作条件要求严格。Si(Li)探头必须始终保持在液氦冷却的低温状态。 (3)定量分析精度不如波谱仪。,定点分析： 将电子束固定在要分析的微区上用能谱仪分析时，调整好束流，即可得到分析点的X射线谱线；用能谱仪分析时，几分钟内即可直接从荧光屏（或计算机）上得到微区内全部元素的谱线 线扫描分析：将谱仪（波、能）固定在所要测量的某一元素
