《材料合成与加工复习题》由会员分享，可在线阅读，更多相关《材料合成与加工复习题（5页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、1、气相生长单晶材料的方法大致可以分为：_、_、_三类。2、列举几种比较成熟的非晶态材料有_、_、_等。3、三束技术中的“三束”是指：_、_、_。4、超导现象的三大临界条件是_ 、_ 、和 。5、化学气相沉积设备分为 、 、_ 和_ 四个部分。6、敏感陶瓷按其相应的特性，可以分为 、 、_、_等。7、常用的单晶材料的制备方法包括_、_ 和_ 。8、真空蒸镀设备主要包括_ 、_、_、_ 和_ 。9、非晶态材料的形成理论有_、 和 。10、按工艺过程可将湿敏半导体陶瓷分为 、 和 。11、真空镀膜中蒸发源理论上可以分为_和_两类。12、化合物镀膜蒸镀方法主要有_、_、_和 。1、采用应变退火法制备
2、的单晶材料主要是非金属材料。 （ ）2、液-固生长法的主要优点是能在低温下生长，且生长晶体的形状是预先固定的。 （ ）3、将熔化的金属流经石英管底部小孔喷射到一对高速旋转的辊子之间而形成金属玻璃条带，我们把这种方法称为双辊法。 （ ）4、我们把低温时电阻突然变为零的物质称为超导体。 （ ）5、NTC 热敏电阻陶瓷是指随温度升高而其电阻率按指数关系减小的一类陶瓷材料。 （ ）6、定向凝固法是液相-固相平衡的晶体生长方法之一。 （ ）7、当金属圆盘紧贴熔体表面高速旋转时，熔体被圆盘沾出一薄层，随之急冷而成条带，我们把这种方法称为熔滴法。 （ ）8、在电子束加热蒸发法中，薄膜原料与蒸发源材料是直接接
3、触的。 （ ） 9、根据超导陶瓷的零电阻的特性，可以无损耗的远距离输送极大的电流和功率。 （ ）10、固-固生长中晶粒长大是通过晶粒间的迁移，而不是通过捕获活泼的原子或分子而实现的。 1、非晶态2、包埋法3、热等静压法4、化学气相沉积5、功能陶瓷1、简述非晶态材料的特性。2、简述影响化学气相沉积薄膜的主要参数有哪些？3、简述溅射成膜中影响溅射率大小的主要因素有哪些？4、简述压电陶瓷生产的主要工艺流程？5、简述超导陶瓷的主要制备方法。6、论述微波电子回旋共振等离子体CVD的技术原理。7、论述在真空镀膜中蒸发源应具备的条件，类型及主要加热方式。1、升华法、蒸气输运法、气相反应法 2. 非晶态合金、
4、非晶态半导体材料、非晶态超导体、非晶态高分子材料、非晶体玻璃 （其中任意答对三个即可）3.激光束、等离子体束、离子束 4.临界温度、临界电流密度、临界磁场5. 反应室、加热系统、气体控制系统、排气系统6. 热敏陶瓷、湿敏陶瓷、光敏陶瓷、压敏陶瓷、气敏陶瓷（其中任意答对四个即可）7.固相-固相生长方法、液相-固相生长方法、气相-固相生长方法 8. 真空系统、蒸发系统、基片撑架、挡板和监控系统9. 动力学理论、热力学理论和结构化学理论10. 薄膜型、烧结型和厚膜型11. 点源和微面源12. 电阻加热法、反应蒸镀法、双蒸发源蒸镀法（三温度法）和分子束外延法1. 2. 3. 4. 5.6. 7. 8.
5、 9. 10.1. 非晶态：一般认为，组成物质的原子、分子的空间排列不呈周期性和平移对称性，晶态的长程有序受到破坏，只有由于原子间的相互关联作用，使其在小于几个原子间距的小区间内(11.5nm)，仍然保持形貌和组分的某些有序特征而具有短程有序，这样一类特殊的物质状态统称为非晶态。2. 包埋法：将磁性粒子分散于高分子溶液中，通过雾化、絮凝、沉积、蒸发等方法得到磁性高分子微球。3. 热等静压法：用惰性气体作为传递压力的介质，将原粉末压坯或将装入包套的粉料放入高压容器中，使粉料经受高温和均衡压力，降低烧结温度，避免晶粒长大，可获得高密度、高强度的陶瓷材料。4. 化学气相沉积：在一定温度条件下，利用气
6、相态物质在固体表面进行化学反应，生成固态沉积物的过程。5. 功能陶瓷：以电、磁、光、声、热力、化学和生物学信息的检测、转换、耦合、传输及存储功能为主要特征，这类介质材料通常具有一种或者多种功能。1. 答：非晶态材料的特性有：（1）高强度、高韧性。（2）抗腐蚀性。（3）软磁特性。（4）超导电性。（5）非晶半导体的光学性质。（6）其他性质：如室温电阻率高和负的电阻温度系数等等。2. 答：影响化学气相沉积薄膜的主要参数有：（1）反应体系成分。（2）气体的组成。（3）压力。（4）温度。3. 答：影响溅射成膜中溅射率大小的主要因素有：（1）入射离子能量。（2）入射角度。（3）靶材。（4）表面晶体结构。（
7、5）正离子的种类。4. 答：压电陶瓷生产的主要工艺流程：配料球磨过滤、干燥预烧二次球磨过滤、干燥过筛成型排塑烧结精修上电极烧银极化测试。5. 答：超导陶瓷的主要制备方法有：（1）高温熔烧法。（2）熔融生长法。（3）化学共沉淀法。（4）低温化学技术。（5）部分熔化法。（6）激光加热基座晶体生长技术1. 答：微波电子回旋共振等离子体 CVD 的技术原理：CVD 生长过程中，进入放电室的气体在微波的作用下电离，产生的电子和离子在静磁场中做回旋运动，当微波频率与电子回旋运动频率相同时，电子发生回旋共振吸收，此后，高能电子与中性气体分子或原子碰撞，化学键被破坏发生电离或电解，形成大量高活性的等离子体。进入淀积室的气体与等离子体充分作用并发生多种反应，实现薄膜的淀积。2. 答：在真空镀膜中蒸发源应具备的条件：（1） 能加热到平衡蒸气压为(1.3310-21.33Pa)的蒸发温度；（2） 要求坩埚材料具有化学稳定性；（3） 能承载一定量的待蒸镀材料。类型：真空镀膜中蒸发源理论上可以分为点源和微面源两类。主要加热方式：电阻加热法、电子束加热法、激光加热法、电弧加热法、高频感应加热法等。
