电子线路 I 董尚斌编课后习题答案完 整版

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1、 1 电子线路(电子线路(I) ) 董尚斌编董尚斌编 课后习题(课后习题(1 到到 7 章)章) 第第 1 章章 1-1 本征半导体与杂质半导体有什么区别? 解:解:本征半导体是纯净的,没有掺杂的半导体,本征半导体的导电性能较差,在温度为 0K 时,半导体中没有载流子,它相当于绝缘体。在室温的情况下,由本征激发产生自由电 子空穴对,并达到某一热平衡值,本征载流子浓度 kT E i g eTAn 22 3 0 0 与温度有关。 杂质半导体是在本征硅或本征锗中掺入杂质得到的,若掺入 5 价元素的杂质可得到 N 型半导体,N 半导体中的多子为自由电子,少子为空穴,由于掺入微量的杂质其导电性能得 到了

2、极大的改善,其电导率是本征半导体的好几个数量级。在杂质半导体中,多子的浓度取 决于杂质的浓度,而少子的浓度与 2 i n或正比,即与温度有很大的关系。若掺入 3 价元素的 杂质可得到 P 型半导体。 1-2 试解释空穴的作用,它与正离子有什么不同? 解:解:空穴的导电实际上是价电子导电,在半导体中把它用空穴来表示,它带正电是运载 电流的基本粒子,在半导体中,施主杂质电离后,它为半导体提供了一个自由电子,自身带 正电,成为正离子,但由于它被固定在晶格中,是不能移动的。 1-3 半导体中的漂移电流与扩散电流的区别是什么? 解:解: 漂移电流是在电场力的作用下载流子定向运动而形成的电流, 扩散电流是

3、由于浓度 差而引起的载流子的定向运动而形成的电流 1-4 在 PN 结两端加反向偏压时,为什么反向电流几乎与反向电压无关? 解:解:PN 结加反偏电压,外加电场与内电场方向相同,PN 结变宽,外加电压全部降落在 PN 结上,而不能作用于 P 区和 N 区将少数载流子吸引过来。漂移大于扩散,由于在 P 区及 N 区中少子的浓度一定,因而反向电流与反偏电压无关。 1-5 将一个二极管看作一个电阻,它和一般由导体构成的电阻有何区别? 解:解:将二极管看作一个电阻,其明显的特点是非线性特性。而一般由导体构成的电阻, 在有限的电压、电流范围内,基本上是线性的。 (1) 二极管的正反向电阻,其数值相差悬殊

4、。正向电阻很小,而反向电阻很大。 (2) 二极管具有负温度系数,而导体构成的电阻具有正温度系数。 1-6 在用万用表的电阻档测二极管的正向电阻时,发现 R10 档测出的阻值小,而用 R100 档测出的阻值大,为什么? 解:解:万用表测量电阻时,实际上是将流过电表的电流换算为电阻值刻在表盘上,当流过 电表的电流大时,指示的电阻小,测量时,流过电表的电流由万用表的内阻和二极管的等效 直流电阻之和联合决定。 2 通常万用表欧姆档的电池电压为 1.5V,R10 档时,表头满量程为 100A,万用表的 内阻为 S R 150, R100 档时万用表的内阻为150010 SS RR。 用万用表测二极管 所

5、构成的电路如题图 1-6(a)所示,图中虚线框内所示电路为万用表的等效电路。由图可得 管子两端的电压 V 和电流 I 之间有下列关系: R10 档: S RIV5 . 1 R100 档: SS RIIRV105 . 15 . 1 这两个方程式在 V-I 坐标系中均为直线,如图(b)所示;从二极管本身的特性看,管子的 电压和电流应满足特性曲线所表示的规律。 因此, 同时受这两种关系约束的电压和电流必定 在特性曲线与直流负载线的交点上。用 R10 档测量时,交于图中 A 点,万用表读数为 V1 I1;用 R100 档测时,交于图中 B 点,万用表读数为 V2I2。显然前者的阻值较小,而 后者的阻值

6、大。 1-18 在 300K 下,一个锗晶体中的施主原子数等于 21014cm 3,受主原子数等于 3 1014cm 3。 (1)试求这块晶体中的自由电子与空穴浓度。由此判断它是 N 型还是 P 型锗?它的电 功能主要是由电子还是由空穴来体现? 提示 若 Na受主原子(负离子)浓度, Nd施主原子(正离子)浓度, 则根据电中性原理,可得 pNnN da 又 2 i nnp (300K 下,锗的 ni2.41013cm 3) 由上二式可求出 n、p 之值。 (2)若 NaNd1015cm 3,重做上述内容。 (3)若 Nd1016cm 3,N a1014cm 3,重做上述内容。 解:解: (1)

7、由 2 i nnp 与 nNaPNd可得0)( 2 2 iad npNNp 解之得 2 2 4)()( 2 1 iadad nNNNNp 由于 p0,故上式根号前应取“”号,已知 3 ni2.41013cm 3,N a31014cm 3, N d21014cm 3 代入上式得 314213 2 1414 10055. 1)104 . 2(410)32(10)32( 2 1 cmp np(NdNa)1.0551014(23)10145.51012cm 3 由此可知 np 因而是 P 型锗。 (2)由于 NaNd,因而由 nNapNd得 npni2.41013cm 3 这是本征锗。 (3)由于 N

8、aNd,因而可得 np nNd=1016cm 3 310 16 213 2 1076. 5 10 )104 . 2( cm n n p i np,故为 N 型锗。 1-20 若在每 105个硅原子中掺杂一个施主原子, 试计算在 T300K 时自由电子和空穴 热平衡浓度值,掺杂前后半导体的电导率之比。 解:解: T300K 时,n0Nd(4.961022105)cm 34.961017cm3n i1.5 1010cm 3 则 32 0 2 0 1053. 4 cmnnp i 本征半导体电导率 本(np)niq5.0410 6S/cm 杂质半导体电导率 杂nn0q119S/cm 因此 杂本2381

9、05 1-21 在室温 (300K) 情况下, 若二极管的反向饱和电流为 1nA, 问它的正向电流为 0.5mA 时应加多大的电压。设二极管的指数模型为) 1( TD mV SD eIi ,其中 m1,VT26mV。 解:解:将1115 . 0 , T D V SD enAImmAi 代入公式得 S D TDSD V I i VIie TD ln V I i V S D TD 34. 0ln 1-25 二极管的正向伏安特性曲线如题图 1-25 所示,室温下测得二极管中的电流为 20mA,试确定二极管的静态直流电阻 RD和动态电阻 rd的大小。 4 解:解: (1-25) 从图中可见,IDQ=2

10、0mA、VDQ=0.67V,所以静态直流电阻 RD为 5 .33 1020 67. 0 3 DQ DQ D I V R 从图中可见,mAID201030,因而在静态工作点处其交流电阻为 3 . 1 20 26 D T d I V r 1-26 由理想二极管组成的电路如题图 1-26 所示, 试求图中标注的电压 V 和电流 I 的大 小。 解:解:在图(a)电路中 D2管优先导通,输出端电压=3V,D1截止,通过 1k电阻的 电流 I=8mA; 题图 1-26(b)的变形电路如右图所示,从 图中可见:假定 D1截止 D2导通,则输出端的电 压 V33. 31010 105 1010 ;由于 D2

11、是理想二极管,则 A 点电压也为3.33V,显 然,假定 D1截止是错误的。 若 D1导通,A 点电压为零,则输出端电压 也为零 V0,则通过 D1的电流为 mAI1 10 100 5 10 1-27 二极管电路如题图 1-27 所示,判断图中二极管是导通还是截止状态,并确定输 出电压 Vo。设二极管的导通压降为 0.7V。 解:解: 判断二极管在电路中的工作状态,常用的方法是:首先假设将要判断的二极管断 开(图中 A、B 两点之间断开) ,然后求该二极管阳极与阴极之间承受的电压。如果该电压 大于导通电压, 则说明该二极管处于正向偏置而导通, 两端的实际电压为二极管的导通压降; 5 如果该电压

12、小于导通电压,则二极管处于反向偏置而截止。在判断过程中,如果电路中出现 两个以上二极管承受大小不相等的正向电压, 则应判定承受正向电压较大者优先导通, 其两 端电压为导通电压降,然后再用上述方法判断其余二极管的状态,具体分析如下: 在图题 1-27(a)中,首先将二极管 D 断开,求二极管两端将承受的电压 VABVA VB5V(10V)5V。显然,二极管接入以后处于正向偏置,工作在导通状态。 如果设二极管是理想器件,正向导通压降 VD0V,则输出电压 VOVAVD5V。若考 虑二极管的正向压降 VD(on)0.7V,则输出电压 VOVAV(on)D5V0.7V5.7V。 在图题 1-27(b)

13、中,断开二极管 VD,有 VABVAVB10V(5V)5V。 可见,二极管 VD接入以后,将承受反向电压,D 处于截止状态(相当于断开) ,电路中电 流等于零(设反向饱和电流为零) ,R 上的电压降等于零,故 VOVB5V。 在图题 1-27(c)中,首先将 D1和 D2断开,求两管将承受的电压为: VD1: VB1A=VB1VA0V(9V)9V VD2: VB2AVB2VA12V(9V)3V 二极管接入以后,VD1因正偏处于导通,则 VOVAVB1VVD10V0.7V0.7V 而 VB2A12V(0.7V)11.3V,所以,VD2因反偏处于截止状态。 在图题 1-27(d)中,首先将 VD1

14、和 VD2断开,求得两管将承受的电压。 VD1: VAB1VAVB115V0V15V VD2: VAB2VAVB215V(10V)25V 二极管接入以后, 因 VD2承受的正向电压较 VD1高, 优先导通; 使 A 点的电位 VAVB2 VD2(on)10V0.7V9.3V。D1因承受电压而截止。故 VOVA9.3V 1-28 题图 1-28 所示电路中稳压管的稳压值为 6V, 稳定电流 为 10mA,额定功率为 200mW,试问 (1)当电源电压在 18V 30V 范围内变化时,输出 Vo是多 少?稳压管是否安全? (2)若将电源电压改为 5V,电压 Vo是多少? (3)要使稳压管起稳压作用

15、,电源电压的大小应满足什么条 件? 解:解:由于稳压管的额定功率为 200mW,而 VZ为 6V,则通过稳压管的最大允许电流为 mAIZ3 .33 6 200 max (1)当电源电压在 1830V 范围内变化时,输出电压 Vo6,而通过稳压管的电流 IZ 为mAIZ24 101 630 3 maxZ I,所以稳压管是安全的。 (2)若电源电压改为 5V,电压 Vo5V(不稳压) 。 (3)VVV V I I 3 . 391610 3 . 33 101 6 1010 3 3 3 1-29 题图 1-29 中给出实测双极型三极管各个电极的对地电位,试判定这些三极管是否 处于正常工作状态?如果不正常,是短路还是断路?如果正常,是工作于放大状态,截止状 态还是饱和状态? 解:解:三极管的三种工作状态的偏置特

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