推荐认可的实验室检测能力范围(中文)

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1、实验室评审报告 CNAS-PD14/11-A/2 附表2 名称: 地址: 序号名称序号名称 1 外观和尺寸 检查 2电阻值 3标志耐溶剂性 1外观和尺寸检查 2绝缘电阻 3耐电压 4电容量 5损耗角正切 6漏电流 7标志耐溶剂 1外观检查 2 尺寸的测量和 检验 3绕阻直流电阻 4绝缘电阻 5品质因数 6有效电感 1 外观（包括尺 寸、质量） 2互换性 3 低电平接触电 阻 4接触电阻 5 外壳间的电连 续性 6绝缘电阻 7耐压 8空气漏泄 9 接触件的分离 力（阴接触 件） 1设计和结构 筛选 （内部潮湿） 筛选（运行） 3可焊性 4密封 5绝缘电阻 0418.06 GJB65B-1999

2、有可靠性指标的电磁 继电器总规范 2 5电磁继电器 40418.05 GJB1216-1991 电连接器接触件总规 范QJ1903-1990电连接 器总规范 30418.08 低频电连接器 20418.02 GB/T2693-2001 电子设备用固定电容 器第一部分：总规范 固定电容器 0418.01 GB/T5729-2003 电子设备用固定电阻 器第一部分：总规范 说明说明 上海精密计量测试研究所 上海市闵行区元江路3888号 推荐认可的实验室检测能力范围（中文）推荐认可的实验室检测能力范围（中文） 项目/参数 序号 领域 代码 项目/参数 序号 领域 代码 检测标准（方 法）名称及编号

3、（含年号） 检测标准（方 法）名称及编号 （含年号） 限制 范围 限制 范围 1 GB/T8554-1998 电子和通信设备用变 压器和电感器测量方 法及试验程序 固定电感器 检测 对象 检测 对象 固定电阻器 实验室评审报告 CNAS-PD14/11-A/2 序号名称 说明 项目/参数 序号 领域 代码 序号名称 说明 项目/参数 序号 领域 代码 检测标准（方 法）名称及编号 （含年号） 检测标准（方 法）名称及编号 （含年号） 限制 范围 检测 对象 限制 范围 检测 对象 6介质耐压 7电性能 8耐溶剂 9标志 10加工质量 11玻璃绝缘子 1可焊性 2校定值 3密封 4介质耐压 5绝

4、缘电阻 6接触电阻 7标志 8加工质量 9耐溶剂 1密封 2绝缘电阻 3介质耐电压 4动作特性 5标记耐久性 6标记清晰度 7接触电阻 8标记 9制造质量 1外观 2尺寸 3可焊性 4耐焊接热 5转换特性 6接触电阻 7绝缘电阻 8介质耐压 1可焊性 2耐焊接热 3转换特性 4触点压降 5介质耐压 6标志 7加工质量 0423 GJB735-1989 密封钮子开关总规范 04237 8 微动开关 密封钮子开关 90423 GJB2450-1995 非密封钮子开关总规 范 非密封钮子开关 50418.06 GJB65B-1999 有可靠性指标的电磁 继电器总规范 GJB809A-1997 微动开

5、关通用规范 GJB1517-1992 恒温继电器总规范 电磁继电器 温度继电器60418.06 实验室评审报告 CNAS-PD14/11-A/2 序号名称 说明 项目/参数 序号 领域 代码 序号名称 说明 项目/参数 序号 领域 代码 检测标准（方 法）名称及编号 （含年号） 检测标准（方 法）名称及编号 （含年号） 限制 范围 检测 对象 限制 范围 检测 对象 1导体电阻 2绝缘电阻 3交流电压试验 1可焊性 2耐焊接热 3绝缘电阻 4并电容 5 频率和等效电 阻 6密封 7标志 8加工质量 1密封 2 基准温度初始 精度 3输出波形 4高/低电平 5上升/下降时间 6耐焊接热 7可焊性

6、 8标志 9加工质量 1反向电流IR 2正向电压VF 3工作电压VZ 4微分电阻rZ 1 电流传输比 hF(ctr) 2 集电极-发射极 饱和电压Vce(sat) 1 集电极-基极截 止电流ICBO 2 集电极-发射极 截止电流ICEO 3 发射极-基极截 止电流IEBO 4 集电极-发射极 饱和电压VCEsat 石英晶体振荡器 0418.03 GB/T6571-1995 半导体器件分立器件 第3部分：信号（包括 开关）和调整二极管 14 13二极管 15晶体管0418.03 GB/T4587-1994 半导体分立器件和集 成电路第7部分：双极 型晶体管 石英晶体谐振器 光电耦合器0418.0

7、3 GB/T15651-1995 半导体器件分立器件 和集成电路第5部分： 光电子器件 120418.08 GJB1648-1993 晶体振荡器总规范 110418.08 GJB2138-1994 石英晶体元件总规范 GB/T3048.4-2007 电线电缆电性能试验 方法 第4部分：导体 直流电阻试验 GB/T3048.5-2007 电线电缆电性能试验 方法 第5部分：绝缘 电阻试验 GB/T3048.8-2007 电线电缆电性能试验 方法 第8部分：交流 电压试验 0424安装线缆（非高频）10 实验室评审报告 CNAS-PD14/11-A/2 序号名称 说明 项目/参数 序号 领域 代码

8、 序号名称 说明 项目/参数 序号 领域 代码 检测标准（方 法）名称及编号 （含年号） 检测标准（方 法）名称及编号 （含年号） 限制 范围 检测 对象 限制 范围 检测 对象 5 基极-发射极饱 和电压VBesat 6 正向电流传输 比HFE 7 基极-发射极击 穿电压V(BR)EBO 8 集电极-基极击 穿电压V(BR)CBO 9 集电极-发射极 击穿电压 V(BR)CEO 1 栅极截止电流 IGSS 2 漏极截止电流 IDSS 3 栅-源阈值电压 VGS(th) 4 短路正向跨导 gfs 5 静态漏-源通态 电阻RDS(on) 6 漏-源击穿电压 V(BR)DSS 1复位电压VR 2

9、复位触发电流 IR 3触发电压VTR 4触发电流ITR 5阈值电压VT 6阈值电流IT 7控制端电压VC 8 静态电源电流 I+ 1 输入失调电压VIO 2 输入失调电流IIO 3 输入偏置电流 IIb 4静态功耗PD 5开环电压增益AVD 6 共模抑制比KCMR 7 电源电压抑制 比KSVR 8 输出峰-峰值电 压VOPP 9 最大输出电流 IDM 150418.03 GB/T4587-1994 半导体分立器件和集 成电路第7部分：双极 型晶体管 160418.03 GB/T4586-1994 半导体器件分立器件 第8部分：场效应晶体 管 GJB128A-1997 半导体分立器件试验 方法

10、场效应晶体管 17 180418.07 SJ/T10738-1996 半导体集成电路运算 （电压）放大器测试 方法的基本原理 0418.07 GB/T14030-1992 半导体集成电路时基 电路测试方法的基本 原理 半导体集成电路时基 电路 半导体集成电路运算 放大器 晶体管 实验室评审报告 CNAS-PD14/11-A/2 序号名称 说明 项目/参数 序号 领域 代码 序号名称 说明 项目/参数 序号 领域 代码 检测标准（方 法）名称及编号 （含年号） 检测标准（方 法）名称及编号 （含年号） 限制 范围 检测 对象 限制 范围 检测 对象 1输出电压VO 2电压调整率SV 3电流调整率

11、SI 4消耗电流ID 5基准电压VREF 1 输入失调电压 VIO 2 输入失调电流 IIO 3 输入偏置电流 IIb 4静态功耗PD 5 开环电压增益 AVD 6 输出低电平电 压VOL 1增益误差EG 2跌落电流IDR 3 采样-保持失调 电压VOS 1 输出高电平电 压VOH 2 输出低电平电 压VOL 3 输入负载电流 IL1 4 工作状态时电 源电流ICC 5 维持状态时电 源电流ICCS 6 地址取数时间 tAA 7 片选取数时间 tAC 8读周期时间tRC 9写周期时间tWC 10全“1”全“0” 11校验板 1 输入钳位电压 VIK 2 输出高电平电 压VOH 3 输出低电平电

12、 压VOL 4输入电流II 5 输入高电平电 流IIH SJ/T10735-1996 半导体集成电路TTL 电路测试方法的基本 原理 23 半导体集成电路TTL电 路 0418.07 190418.07 GB/T4377-1996 半导体集成电路电压 调整器测试方法的基 本原理 三端稳压电源（电压 调整器） 21 200418.07 GB/T6798-1996 半导体集成电路电压 比较器测试方法的基 本原理 半导体集成电路电压 比较器 220418.07 SJ/T10739-1996 半导体集成电路MOS 随机存储器测试方法 的基本原理 0418.07 GB/T14115-1993 半导体集成

13、电路采样/ 保持放大器测试方法 的基本原理 半导体集成电路采样/ 保持放大器 半导体集成电路MOS 随机存储器 实验室评审报告 CNAS-PD14/11-A/2 序号名称 说明 项目/参数 序号 领域 代码 序号名称 说明 项目/参数 序号 领域 代码 检测标准（方 法）名称及编号 （含年号） 检测标准（方 法）名称及编号 （含年号） 限制 范围 检测 对象 限制 范围 检测 对象 6 输入低电平电 流IIL 7 输出短路电流 IOS 8 输出高阻态时 高电平电流 IOZH 9 输出高阻态时 低电平电流 IOZL 10电源电流ICC 11 输出高电平电 源电流ICCH 12 输出低电平电 源电

14、流ICCL 1 输入高电平电 压VIH 2 输入低电平电 压VIL 3 输出高电平电 压VOH 4 输出低电平电 压VOL 5 输入高电平电 流IIH 6 输入低电平电 流IIL 7 输出高电平电 流IOH 8 输出低电平电 流IOL 9 输出高阻态时高电 平电流IOZH 10 输出高阻态时 低电平电流 IOZL 11电源电流IDD 1 静态电源电流 ICC 2 静态电源电流 Idd 3 静态电源电流 Iss 4 输出高电平电 压Voh 5 输出低电平电 压Vol 6原点误差E0 7增益误差EG A/D转换器 半导体集成电路TTL 电路 半导体集成电路 CMOS电路 SJ/T10741-200

15、0 半导体集成电路 CMOS电路测试方法 的基本原理 230418.07 SJ/T10735-1996 半导体集成电路TTL 电路测试方法的基本 原理 240418.07 250418 SJ2481-1984 混合集成电路模拟-数 字转换器静态测试方 法的基本原理 12位以下， 包括12位 A/D器件 实验室评审报告 CNAS-PD14/11-A/2 序号名称 说明 项目/参数 序号 领域 代码 序号名称 说明 项目/参数 序号 领域 代码 检测标准（方 法）名称及编号 （含年号） 检测标准（方 法）名称及编号 （含年号） 限制 范围 检测 对象 限制 范围 检测 对象 8线性误差EL 9 微分线性误差 EDL 10参考电压Vref 1 静态电源电流 ICC 2 静态电源电流 Idd 3 静态电源电流 Iss 4 输入高电平电 流Iih 5 输入低电平电 流Iil 6原点误差E0 7增益误差EG 8线性误差EL 9 微分线性误差 EDL 1输出电压VO 2输出电流IO 3输出纹波电压Vrip 4电压调整率SV 5电流调整率SI 6交叉调整率 7输入电流II 8效率 9启动过冲VT0 10 启动延迟