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1、Institute of Microelectronics Circuit & System,-1-,第三章 双极结型晶体管,-复习,第一章 绪论 介绍晶体管的发明历史，简要介绍半导体器件的基本概念及其重要性，使学生对半导体器件有一个全面的认识。简单回顾半导体器件原理中需要用的半导体物理知识。 第二章 PN结 2.1 平衡PN结 掌握PN结的特性及作用，结构、形成和杂质分布特点，能够区分突变结、缓变结，主要分析突变结。掌握PN结平衡的条件，以及空间电荷区形成的原理及特性。 2.2 PN结的直流特性 掌握PN结单向导电的直流特性、原理及用途。 2.3 PN结电容 掌握PN结具有的电容特性和原理，
2、PN结电容的计算方法。,Institute of Microelectronics Circuit & System,-2-,2.4 PN结击穿 掌握PN结击穿的常见机制，雪崩击穿，齐纳击穿，热击穿的原理。 2.5 二极管的开关作用 掌握利用二极管单向导电性特点形成开关的原理，掌握表征开关特性的参数，反向恢复时间的意义和影响因素，优化措施。 第三章 双极结型晶体管 3.1 晶体管的直流特性 3.1.1 基本结构与分类 掌握晶体管的分类、结构特点与杂质分布特点，少子分布与能带图。 3.1.2 晶体管的放大机理 掌握晶体管基本的工作原理，电流输运的过程，具有电流放大能力的原理，以及直流特性曲线。
3、3.1.3 均匀基区晶体管的电流放大系数 掌握方块电阻、发射效率、基区输运系数、基区渡越时间概念，均匀基区晶体管的电流增益的表达式。,Institute of Microelectronics Circuit & System,-3-,3.1.4 漂移晶体管的电流放大系数 掌握基区自建电场的概念，电流增益的表达，提高电流放大倍数的措施，以及电流增益的影响因素。理解与均匀基区晶体管特性的差别及原因。 3.1.5 晶体管的直流电流电压方程 了解晶体管的直流特性、倒相管与正向管的互易关系，掌握基区宽变效应。 3.1.6 晶体管的反向电流和击穿电压 掌握晶体管反向电流、击穿电压的概念，了解晶体管工作反
4、向电流对晶体管特性的影响，了解晶体管的击穿电压的计算及影响因素。 3.1.7 晶体管的基极电阻 了解晶体管的基极电阻概念，掌握减小基极电阻的方法。 3.2 晶体管的频率特性 掌握晶体管中高频小信号电流的变化过程，晶体管电流放大系数随频率升高而下降的特性及原理。 掌握晶体管频率特性的重要参数，时间常数、截止频率、特征频率和最高频率。以及各频率参数的影响因素，提高,Institute of Microelectronics Circuit & System,-4-,频率特性的可行性措施。 了解晶体管的高频参数与等效电路。掌握晶体管功率放大原理，功率增益随频率升高下降的特性和原因以及最高振荡频率的意
5、义及影响因素。 3.3 晶体管的功率特性 掌握晶体管工作的大注入条件、基区电导调制效应、自建电场及对基区渡越时间和输运系数的影响、对晶体管电流增益的影响，以及对晶体管工作区域的限制，有效基区扩展效应的概念及对电流增益的影响，电流集边效应、电流容量的概念。 掌握晶体管耗散功率、最高结温、最大耗散功率的概念，提高最大耗散功率的措施。 掌握晶体管安全工作区的意义及确定方法。 了解晶体管的噪声特性。 3.4 晶体管的开关过程 掌握晶体管充当开关的原理、开关过程，及表征开关特性的开关常数，延迟时间、上升时间、超量储存电荷消失时间和下降时间，及各参数的影响因素和优化措施。 第四章 绝缘栅场效应晶体管,In
6、stitute of Microelectronics Circuit & System,-5-,3.1 MOSFET的基本特性 掌握MOS场效应晶体管的结构、工作原理和分类原则。掌握各类MOS场效应晶体管的特性曲线及相互的差别。 掌握半导体表面表面势、MOS结构的阈值电压意义、计算方法。 掌握MOS场效应晶体管的阈值电压的意义、影响因素及各类MOS场效应晶体管的阈值电压的计算方法。 掌握MOS场效应晶体管的电流电压特性，I-V方程表达式。 掌握MOSFET直流参数的概念、阈电压和截止漏电流的温度特性。掌握MOSFET增量参数的表达方式和影响因素。 掌握MOS场效应晶体管的频率特性，表征参数特
7、征频率的意义及计算方法，如何提高MOS场效应晶体管的频率特性，了解MOS场效应晶体管的高频等效电路。 掌握MOS场效应晶体管的开关作用原理的工作特性，表征开关特性的开关常数，开启时间和关闭时间。掌握MOS倒相器的分类，工作原理和特性差别。 3.2 短沟道效应 掌握小尺寸MOS器件中的小尺寸效应、短沟道效应、窄沟道效应、漏诱生势垒降低效应，以及长沟道器件判定式。掌握MOS晶体管的热载流子效应。 3.3 微电子器件的发展方向 了解MOSFET恒场按比例缩小法则、MEMS技术和DNA技术的基本概念。,Institute of Microelectronics Circuit & System,-6-,谢谢大家!,
