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1、第3章 晶体管放大电路基础 3.1 放大电路的基本概念,教学要求,1、熟悉晶体三极管结构、工作原理及特性曲线； 2、熟练掌握由BJT、FET组成的基本放大电路的静态和动态分析，即静态工作点和交流性能参数（电压放大倍数、输入电阻、输出电阻）的计算； 3、了解放大电路的频率特性等。,3.1 放大电路的基本概念,3.1.1 放大器的基本概念,(2)放大要求：幅度放大，波形不失真,(3)放大实质：实现能量转换与控制,(1)放大对象：交流量(即变化量),即由一个能量较小的输入信号控制直流电源，使之转换成交流能量输出，驱动负载。,3.1 放大电路的基本概念,电子系统举例:收音机接收广播信号,广播电台,电磁
2、感应,前置放大器,功率放大器,天线,扬声器,属于交流放大！,一般来说，放大电路就是一个双端口网络。,信号源电压,输入电压,输出电压,Rs,信号源内阻,RL,负载电阻,输入电流,输出电流,3.1.2 放大器的主要性能指标,1. 放大倍数：输出量与输入量之比,电压放大倍数是最常被研究和测试的参数,在工程上常用以10为底的对数增益表达，其基本单位为B（贝尔，Bel），平时用它的十分之一单位dB（分贝，decibel的缩写）。,由于功率与电压（或电流）的平方成比例，因此功率增益表示为：,2. 输入电阻和输出电阻,将输出等效成有内阻的电压源，内阻就是输出电阻。,输入电压与输入电流有效值之比。,从输入端看
3、进去的 等效电阻,输出电阻Ro的另一种求法：,Ro的求法：将信号源短路，即 =0，但保留Rs；且负载RL两端开路，即RL=时,短路,开路,3. 通频带,由于电容、电感及放大管PN结的电容效应，使放大电路在信号频率较低和较高时电压放大倍数数值下降（中频区的0.707倍），并产生相移。,衡量放大电路对不同频率信号的适应能力。,4. 最大不失真输出电压Uom：交流有效值。,5. 最大输出功率Pom和效率：功率放大电路的参数,第2章 知识回顾,物质,导体,绝缘体,本征半导体,自由电子,空 穴,负电,正电,杂质半导体,杂质半导体,P型半导体,N型半导体,多,多,少,少,PN结,单向导电特性,正偏,反偏,
4、P,P,N,N,反向ID小,R大,正向ID大,R小,半导体,二极管,场效应管,三极管,PN结,（1）PN结的特点单向导电特性,（2）二极管的伏安特性曲线,1)具有单向导电特性,2)二极管是一个非线性器件,3)反向运用时有击穿现象,4)正向运用时有死区电压,正向电流(大) (正向导通),反向电流(小) (反向截止),反向击穿电压,死区电压 Si:0.5v Ge:0.2v,（3）初学者可以根据三极管符号中的箭头,120(A),160(A),200(A),放 大 区,截止区,饱和区,放大区的特点： 1.发射结正偏 集电结反偏 2.具有恒流特性 3.基极电流对集 电极电流的控制 作用。,iB=0 (A
5、),40(A),iB= 80(A),饱和区的特点： 1.发射结正偏 集电结正偏 2.发射结正偏 集电结零偏 为临界饱和 3.基极电流对集 电极电流失 去控制作用 4. UCE增大时， IC迅速增大,截止区的特点： 1. IB0 (如发射结反偏或零偏，集电结 反偏) 2. 三极管失去放大作用,输出特性曲线,截止区： IB 0以下部分为截止区，发射结零偏或反偏， 集电结反偏，IC = ICEO 0，管子c、e间如同断开,(4)场效应管,分类及判别？ 场效应晶体管与晶体管相比有哪些特点？,(5)本章的主要公式和数据 1）三极管各极电流间的关系,2）二极管或三极管发射结正向运用时 死区电压：硅管0.5
6、V 锗管0.1V 正向压降：硅管0.7V，锗管0.2V,（1）概念题：教材中的自测题、课件中的思考题,第1、2章习题的主要类型,（3）判断三极管用于放大时电压加得对不对。,（4）根据三极管的各极对地（公共端）电压，判断 三极管的工作状态（放大、饱和、截止、损坏）。,1)三极管结偏置的判定法常用于已知结偏置情况下,2)三极管电流关系判定法常用于解题过程中,3)三极管电位判定法常用于实验测定,（5）根据各极对地的电压，判断电极和管子类型。,（2）判断电路中二极管的通断，求输出电压U。,1. 用于放大的晶体管加电压的原则是: 保证发射结_向运用，集电结_向运用。 2. 晶体管各极电流电间的关系是：
7、3. 晶体三极管的主要特性是_，其实质是以小_大，即小的_变化能_大的_变化。 4. 三极管为_元件且有_作用。 5. 晶体管的接法(组态)是以输入 、输出_的公共端接哪个电极来区分的。(回路；信号电压；信号电流) 。,正,反,放大作用,控,电流,控制,电流,电流控制,放大,信号电压,例：设三极管处于放大状态，各极对地电压 如下，问集电极电压_、基极电压_、 发射极电压_。该三极管为_材料、 _型管。,(A) (1)5V (2)1.7V (3)1V,(B) (1) 6 V (2) 1.2 V (3) 1 V,5V,1.7V,1V,硅,NPN,1.2 V,1 V,6 V,锗,PNP,课后练习：电路如图所示。已知三极管为硅管，UBE=0.7V，=50，ICEO可不计。若希望IC=2mA，试求(a)图中的Re和(b)图中的Rb的值，并将两者进行比较。,思考题,如何进行自我复习。 如何根据放大电路求解主要指标？,作业题,预习内容,3.2 放大电路及其基本分析方法,
