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1、磁量子反点结构中的自旋效应 郭 永顾 秉 林王 斌 清华大学物理系， 北京 1 0 0 0 8 4 9 0年代以来，实验上通过采用电 子束 刻蚀技术在高 迁移率的半 导体异质结上沉积铁磁 材料或 1 1 型超导材料成功地实 现了 刘三维电子 气的纳米级磁调制，由 此引发了人们对电子 和具有纳米尺度的非均匀磁场相互作用的浓厚兴趣。 一系列新领的磁量子结构的概念相继 被提出。 譬如， 磁量子点1 磁量 子反点， 磁阱， 磁垒 _ 磁台阶， 周期和准周期磁超晶格结构。 这些磁量子结构极大地拓展了低维量子结构的研究领域。人们已对山磁垒磁阱构成的复杂磁 结构中的波矢过滤效应、周期磁超晶格结构中的共振劈裂
2、效应，准周期磁超晶格结构中的 隧穿输运性质，磁量子点及磁量子反点中的电子状态及其输运性反进行了一系列卓有成效的 研究 。 电子除了荷载电荷以外，同时携带着自旋而在以往的研究中常常忽略自旋效应。本文 利用分区求解单粒子薛定i方程的方法， 着力研究电了自旋和磁量子反点中非均匀磁场的 相互作用，以 期揭示电子自 旋对其甲电 子的量子能级和以磁量子反点为主体构成的两端导 体的 磁导的影响 研究结果表明 ， 电 子自 旋和磁场的 相互作 用使电子能级进一步发生劈裂， 劈 裂的特征与角动量量子数密切相关;而均匀磁场下由目旋导致的劈裂却与角动量量子数无 关。电子共振隧穿到磁边缘态，导致了以磁量子反点为主体构成的两端导体的磁导随磁场的 非周期振荡。研究结果同时表明， 和不考虑自旋的磁导谱相比 ，电 子自 旋使磁导谱中谷的数 量增多且深度减小。
