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1、 1 / 25 圳耀圳耀电子有限公司电子有限公司企业企业文件文件 编号:LEQYP-2014.06 版本: B1 新新员工培训流程员工培训流程 2014-06-30 发布 2014-06-30 实施 圳耀电子圳耀电子有限公司发布有限公司发布 2 / 25 目录目录 目录 圳耀电子有限公司企业文件圳耀电子有限公司企业文件 1 圳耀电子有限公司发布圳耀电子有限公司发布 1 目录目录 . 2 前言前言 . 3 版本及修改记录版本及修改记录 3 人事行政部培训内容人事行政部培训内容 4 产品详细内容介绍产品详细内容介绍 5 1. 瞬态电压抑制二极管瞬态电压抑制二极管/静电保护元件（静电保护元件（TVS
2、/ESD） . 5 2. 金属氧化物压敏电阻（金属氧化物压敏电阻（MOV） 8 3. 半导体放电管（半导体放电管（TSS） . 10 4. 气体放电管（气体放电管（GDT/SPG） 15 5. 自恢复保险丝自恢复保险丝 PPTC 18 附录附录 A . 波形参数波形参数 20 产品基本选型应用产品基本选型应用 22 1. 产品分类产品分类 22 2. 产品应用规则产品应用规则 22 3. 常见方案设计及分析常见方案设计及分析 . 23 3 / 25 前言前言 新员工加入公司就好像移民一样， 到了一个新的环境， 首先需要了解新的公司文化、 制度、 运作流程以及公司对其的期望目标，并需要认识一些新
3、的伙伴； 然后公司需要对其进行一定程度的专业知识培训， 以支撑其能尽快的融入其所处工作岗位， 更快的实现其价值进而实现公司的目标； 孔子曰孔子曰：听而易：听而易忘，忘，学而易记学而易记，行而易懂！行而易懂！ 所以， 我们不能仅从对新员工讲解讲解内容这个方面着手， 要更多的让他们去主动主动的搜索的搜索整理整理， 并且通过案例案例实践实践来体会，这样才能快速、深刻的记忆住其所需要掌握的知识内容。 针对针对新员工的培训分以下几个方面进行新员工的培训分以下几个方面进行： 组织架构、企业文化的培训（了解公司运作，明确职权部分） 产品基础知识培训（对于产品初步了解，基本特性及参数记忆） 基础知识考核（确认
4、新人记忆程度及工作态度，普通销售必须掌握） 常见保护方案培训（提升应对客户能力，销售工程师必备技能，FAE 入门技能） 销售技巧培训（销售必备） 版本版本及修改及修改记录记录 版本号版本号 日期日期 操作操作人人 状态状态描述描述 B1 2014-06-27 李乐天 新作 4 / 25 人事人事行政部培训行政部培训内容内容 人事行政部需要告诉新员工以下内容： 1. 企业历史 2. 公司产品 3. 公司定位 4. 发展规划 5. 组织架构 6. 所属部门 7. 日常工作 8. 运作流程 人事行政部需要了解员工的以下内容： （留白，后续添加） 1. 2. 3. 5 / 25 产品详细产品详细内容介
5、绍内容介绍 1. 瞬态电压抑制二极管瞬态电压抑制二极管/静电保护元件静电保护元件（TVS/ESD） TVS(Transient Voltage Suppressors)， 瞬态抑制二极管， 采用标准的半导体工艺制成的PN结结构器件。 应用时，反向并联于电路中，泄放瞬态浪涌等过电压，同时把电压箝制在预定水平。 单向和双向 TVS 的 I-V 特性如图 1.1、图 1.2 所示，从图中可以看出 TVS 特性类似于二极管，在击穿 电压 VBR以下，流过 TVS 两端的电流很小（A 级） ，当电压高于击穿电压 VBR，TVS 的电流以指数规律增 加。表 1.1 为圳耀电子 TVS 规格参数。 图 1.
6、1 单向 TVS 伏安特性 图 1.2 双向 TVS 伏安特性 表 1.1 TVS 参数 1.1 VRWM ，IR VRWM ，截止电压，即 TVS 的最大工作电压，在 VRWM下，TVS 认为是不工作的，即是不导通的。 IR ，TVS 截止电压下流过 TVS 两端的电流，即待机电流，IR应该在规定值范围内。 VRWM和 IR测试回路如图 1.3 所示，对 TVS 两端施加电压值为 VRWM，从电流表中读出的电流值即为 TVS 的漏电流 IR，其中虚线框表示单向 TVS 测试回路。对于 SMAJ5.0A，当加在 TVS 两端的电压为 5VDC 时，TVS 的漏电流应小于 800A。 1.2 V
7、BR 击穿电压，一般在规定的电流下测得的 TVS 两端的电压。 对于低压 TVS， 由于漏电流较大， 所以测试电流选取的 IT较大， 如 SMAJ5.0A， 测试电流 IT选取 10mA。 VBR测试电路如图 1.4 所示，使用脉冲恒流源对 TVS 施加 IT大小的电流时，读出 TVS 两端的电压则为击 穿电压。电流施加时间应不超过 400ms，以免造成 TVS 受热损坏。VBR MIN.和 VBR MAX.是 TVS 击穿电压的 一个偏差，一般 TVS 为5%的偏差。测量时，VBR落在 VBR MIN.和 VBR MAX.之间视为合格品。 1.3 IPP ，VC IPP，给定脉冲电流波形的峰
8、值。TVS 一般选用 10/1000s 电流波形，参见附录 A。 6 / 25 VC，钳位电压，即给定脉冲峰值电流下流过 TVS 两端的最大电压。 IPP及 VC是衡量 TVS 在电路保护中抵抗浪涌脉冲电流及限制电压能力的参数，这两个参数是相互联 系的。 对于 TVS 在防雷保护电路中的钳位特性，可以参考 VC这个参数，对于同一型号 TVS，在相同 IPP下的 VC越小，说明 TVS 的钳位特性越好。TVS 的耐脉冲电流冲击能力可以参考 IPP，同型号的 TVS， IPP越大，耐脉冲电流冲击能力越强。 图 1.5 为 TVS 冲击电流 （IPP） ， 钳位电压(VC)测量试验回路示意图， 测量
9、时应考虑到 TVS 的散热问题， 两次测试时间不能太短，以免造成 TVS 损坏。 元件： PS可调直流电压源（如为交流试验，则为交流电压源） V数字电压表（如为交流试验，则为示波器） A直流微安表（如为交流试验，则为交流微安表） DUT1受试单向器件 DUT2受试双向器件 DUT1 A V PS DUT2 图 1.3 TVS 最大工作电压（VDRM，交流则为有效值）漏电流（IR）试验电路 DUT1 A V P DUT2 元件： P脉冲恒流源 V数字电压表 DUT1受试单向器件 DUT2受试双向器件 图 1.4 TVS 击穿电压（VBR）测试电路 7 / 25 PS R1 S1S2L R2 R3
10、 R4 DUT V I CRO 元件： PSDC充电电源； S1充电开关； S2放电开关； R1充电电阻 C储能电容器; L调波电感； R3调波电阻；; R2调波限流电阻； R4电流传感电阻（同轴）或者可采用适当额定值的电流互感器探头； DUT试品（TVS); CRO用于观察电流和电压的示波器。 注：所示回路仅为示意图，应采用大电流及高频试验的测量技术 C 图 1.5 TVS 钳位电压（VC） ，峰值脉冲电流（IPP）试验回路 8 / 25 2. 金属氧化物压敏电阻金属氧化物压敏电阻（MOV） MOV（Metal Oxide Varistors） ，即金属氧化物压敏电阻，以氧化锌为主体，掺杂多
11、种金属氧化物，采 用典型的电子陶瓷工艺制成的多晶半导体陶瓷元器件。其电阻随电压呈指数规律变化，具有如图 2.1 所 示对称的 I-V 特性。 表 2.1 为圳耀电子压敏电阻参数。 图 2.1 压敏电阻伏安特性曲线 表 2.1 MOV 参数 2.1 V1mA 压敏电压，即压敏电阻通过 1mA 电流时，压敏电阻两端的电压。 V1mA测试回路如图 2.2所示， 测试时， 为避免压敏电阻受热损坏， 试验电流的施加时间应小于 400ms， 除非另有规定，试验电流应该为 1mA。电源应为恒流源，不管负载阻抗大小，电源应保持在一个稳定 值。 目前市场上有很多可以直接测试压敏电压的仪器设备，可以直接从仪器上读
12、出压敏电压值。 2.2 VAC ， VDC 可以长时间施加在压敏电阻两端的电压值，此时认为压敏电阻是不导通的，其漏电流很小。VAC为 交流有效值，VDC为直流电压。 2.3 IP ， VC 9 / 25 IP，某一波形冲击电流的峰值； VC，钳位电压，即为 IP下 MOV 两端的电压。 此处的冲击电流 IP为多次电流冲击，验证 MOV 在多次脉冲电流冲击下不引起 MOV 显著失效（如 压敏电压应在 10%内） 。试品在规定时间内恢复热平衡（如：达到施加冲击前的初始条件）之后，施加 下次冲击。试验回路如图 2.3 所示。无特定要求时，试验电流采用 8/20us 波形，波形参数可参见附录 A。具体
13、试验方法可参阅 G/B T 18802.331-2007。 2.4 Withstanding Surge Current 压敏电阻可承受的单次最大浪涌电流，一般采用 8/20s 波形对其施加冲击。测试电路如图 2.3 所 示，对压敏电阻施加浪涌脉冲电流后，压敏电阻的参数应在规定的范围内。 2.5 Maximum Energy 可吸收的规定波形单次脉冲能量的最大值。除非另有规定，一般采用 10/1000s 波形或 2ms 方波 进行测量。测试电路可参照图 2.3。 2.6 Rated Power 在指定温度下可承受的最大静态功率。 2.7 Typical Capacitance 电容，除非另有规
14、定，一般测试条件为：1kHz，1Vrms偏压下测量。电容测试电路可参考图 3.6。 元件说明： P脉冲电流源 V数字电压表 A电流表 DUT A V P 图 2.2 压敏电压（V1mA）试验回路 PS R1 S1S2L R2 R3 C R4 DUT V I CRO 元件： PSDC充电电源 S1充电开关 S2放电开关 R1充电电阻 C储能电容器 L调波电感 R3调波电阻 R2调波限流电阻 DUT试品（MOV) R4电流传感电阻（同轴）或者可采用适当额定值的电流互感器探头 CRO用于观察电流和电压的示波器 注：所示回路仅为示意图，应采用大电流及高频试验的测量技术 图 2.3 冲击电流峰值（IP）
15、下冲击峰值电流峰值限制电压（VC）试验回路 10 / 25 3. 3. 半导体半导体放电管放电管（TSSTSS） TSS （Thyristor Surge Suppressors） ， 半导体放电管又称固体放电管。 它是利用半导体工艺制成的 PNPN 结构器件，特性类似于晶闸管，其 I-V 特性曲线如图 3.1 所示。 图 3.1 TSS 伏安特性 TSS 的参数如表 3.1 示。 表 3.1 TSS 参数 11 / 25 3.1 VDRM，IDRM VDRM， 断态重复峰值电压， 即断态时可施加的包含所有直流和重复性电压分量的额定最高瞬时电压。 IDRM， 断态重复峰值电流，即施加断态峰值电压 VDRM产生的最大（峰值）断态电流。 测试 VDRM的试验回路如图 3.2 所示，对 TSS 施加额定 VDRM，测量的 IDRM应不超过规定的 IDRM最大 值。试验后，器件的任何规定特性应无恶化。 3.2 VS，IS VS，开关电压，器件转换进入通态前，在击穿区终点时器件两端的瞬时电压。 IS，在开关电压 VS条件下流过器件的瞬时电流。 验证开关电压 VS和开关电流 IS的试验回路如图 3.3 所示。对试验发生器应规定开路电压值和短路 电流值， 或等效的上升率、 波形和参数峰值。 等效的电源阻抗应大于器件的最大值开关电阻 RS （RS=(V(BO)- VS)
