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1、高频声表面波器件基础,High frequency Surface Acoustic Wave Devices HF-SAWD,第一部分 物理基础,1 声表面波 Surface Acoustic Wave 瑞利波 SAW (Rayleigh Wave) 伪表面波 pseudo-SAW： 漏波LSAW(Leaky SAW)， 表面横波STW,SAW-Surface Acoustic Wave,2压电材料作能量转换载体 单晶：切型和传播方向 石英 SiO2， 铌酸锂 LiNbO3， 钽酸锂 LiTaO3 多层结构 参数： 表面波声速v0/vs 机电耦合系数 k2 温度稳定性TCD,3器件内元件 *
2、叉指换能器IDT (1965)、 多条耦合器、 反射栅阵和谐振腔、腐蚀沟槽 *引出电极、屏蔽电极 介质膜 吸声胶,4声表面波器件特点 SAW 功能元件、 微电子技术批量生产、一致性、 体小无源、模拟数字应用、 可谐波工作。 pseudo-SAW 声速高，工作频率高； 机电耦合系数大，插入衰耗小，相对带宽大； 温度稳定性更好； 表面较不敏感； 功率容量大。,5器件性能 主要取决于材料、波型和叉指换能器几何等 谐振器：反射栅谐振腔内能量峰 滤波器：声电转换 周期叉指换能器的频率选择作用。 常规高插入衰耗滤波器 单向结构中插入衰耗滤波器 谐振结构低插入衰耗滤波器 锥形宽带中插入衰耗滤波器 阻抗元件型
3、滤波器：单端对谐振器组合 延迟线 相关器 传感器,6器件封装 金属外壳、 塑封、 陶瓷表面贴装,7应用 军用： 雷达 军事通信等 民用： 音视频传输 无线通信 遥控遥测等,Typical Applications,sensor,Delay line Convolver Oscillator,filter,第四部分 产品技术,高频声表面波器件 主流亚微米工艺技术,基片清洗,*电极蒸发,* 光 刻,电极刻蚀,装 架,划 片,频率修正,芯片测试,引线键合,予 测,封 帽,老化筛选,入库,成品测试,一、目前产品技术水平 10.25um 4 in圆片工艺； 2谐振器和滤波器， 器件工作频率为 (5025
4、00)MHz， 主要为低插入衰耗器件； 3基本为SMD型； 4主要产品成品率大于80%； 5产品可靠性水平： 1000Fit。,1谐振器： 谐振器标称谐振频率及其偏差； 最大谐振损耗 器件电容值范围 优值(Q)：有载和无载,2滤波器 标称中心频率 带宽：3dB带宽 有效工作带宽 插入衰耗 群延迟波动 阻带抑制,三、产品规范 Q/UD 485-1999 民用高频声表面波器件总规范 Q/UD 486-1999 民用高频声表面波器件详细规范 NDR系列声表面波谐振器 Q/UD 487-1999 民用高频声表面波器件详细规范 NDF系列声表面波滤波器,Q/UD 603.1-2010 有质量评定的声表面
5、波（SAW）滤波器 第1部分：总规范 Q/UD 603.2-2010 有质量评定的声表面波（SAW）滤波器 第2部分：使用指南 Q/UD 604.1-2010 声表面波（SAW）谐振器 第1部分：总规范 Q/UD 604.2-2010 声表面波（SAW）谐振器 第2部分：使用指南,四、高频声表面波器件技术关键 1基片的压电效应 热 电荷状态 2叉指换能器几何 膜厚比 条缝比 3金属膜均匀和可控 4表面 5封装 6可靠性,Surface Acoustic Wave Filters with Applications to Electronic Communications and Signal Processing by David Morgan (2007),Surface Acoustic Wave Devices for Mobile and Wireless Communications by C.K.Campbell (1998),
