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1、2016年中考试试题汇总1、 电池1.1单选1、 下列哪项不是太阳能电池的主要参数：（ ）2、 A短路电流 B开路电压 C填充因子 D电阻率2、Schmid 二洗不需要用到的化学品是（ ） A. HF B.HNO3 C.HCl D.KOH3、目前车间生产的硅片电阻率大致范围是：（ ） A.0.1-1 B.1-3 C.3-5 D.5-84、对电池电性能没有影响的是（ ） A.硅片厚度 B.车间洁净度 C测试仪的准确性 D水导电率5、能形成P型半导体的掺杂元素是（ ） A.硼 B.磷 C.氮 D.砷6、本征半导体是指（ ）的半导体。A电阻率很高 B电子浓度与空穴浓度相等C不含杂质与缺陷 D电子浓度
2、与本征载流子浓度相等7、如某材料电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料为（ ）。 A. 金属 B. 本征半导体 C. 掺杂半导体 D. 高纯化合物半导体8、约束晶体硅效率提升的主要因素有（ ）。A.正面栅线遮光及光的反射 B. 光传导过程中的损失 C. 载流子的内部及表面复合 D. 以上都是9、SE电池是在哪一步骤印刷磷浆（ ）。A. 一洗后 B. 扩散后 C. 二洗后 D. 镀膜后10、在太阳光中的可见光波段，哪种颜色的光所占百分比最高（ ）。A. 红 B. 黄 C. 绿 D. 紫11、单晶SM125的面积是（ ）cm2 。A、154.83 B、148.76 C、243.28 D、238.9
3、512、电池车间纯水电阻率要求在（ ）M以上才能生产。 A、16 B、16.5 C、17 D、17.513、在我司电池生产线，多晶硅片酸制绒后显微镜下观察其外观形貌是（ ）。A、蜂窝状 B、金字塔状 C、虫孔状 D、光滑平面14、下列关于多晶硅太阳能电池制绒后表面“暗纹”表述错误的是（ ） A“暗纹”区域少子寿命降低，EL及QE变差。 B“暗纹”一般出现在晶粒范围内。 C“暗纹”由于QE变差会导致电池效率的下降，解决此问题的根本办法是改善制绒技术。 D在形成初期彼此不相连的腐蚀坑洞，随着腐蚀的加深，腐蚀坑洞不断变大，并逐渐连成 一条线，形成“暗纹”。15、 是衡量电池输出特性的重要指标，其值越
4、大表明太阳能电池的输出特性约好。( ) A.填充因子 B.短路电流 C.开路电压 D.光谱响应 16、一次清洗制绒后的多晶硅片用 去中和残留的酸液，用盐酸去除金属离子，用 去除硅片表面的氧化层，用去离子水通过漂洗的方式去除可溶污染物，借助工艺气体将硅片表面吹干。（ ）A、NaOH HNO3 B、HF NaOH C、NaOH HCl D、NaOH HF17、多晶一次清洗工艺流程是（ ）。A、去损伤层并制绒中和残留酸去金属离子、去氧化层吹干B、去损伤层并制绒吹干去金属离子、去氧化层中和残留酸C、去损伤层并制绒去金属离子、去氧化层中和残留酸吹干D、去损伤层并制绒中和残留酸形成氧化层吹干18、硅太阳能
5、电池片典型厚度在（ ）之间。A、180 m- 260 m B、300 m - 450 m C、60m - 150 m D、430 m- 580 m19、 采用什么方法可以增加电池片对太阳光的吸收？分别体现在哪些工艺段？（ ）A、降低表面反射。清洗制绒B、改变光在电池体内的路径。制减反射膜C、采用背面反射。印刷铝背场 D、以上都是20、单晶硅中，碱腐蚀速度最慢的晶面是_ 。（ ）A、(110) B、(111) C、(100) D、(101）21、光具有 和 两种特性。（）A、波动性、光动性 B、波动性、浮动性C、波动性、粒子性 D、粒子性、光动性22、目前单晶硅太阳电池的实验室最高效率为 ，由澳
6、大利亚新南威尔士大学创造并保持。（ ）A、17.8% B、30.5% C、20.1% D、24.7%23、下列哪项不属于太阳能开发利用的特点 。（ ） A、数量巨大 B、安全 C、分散性 D、效率高24、下列选项中，不属于印刷过程常见的印刷不良有（ ）。A、漏浆 B、断栅 C、印刷不全 D、色差25、二次清洗工艺的作用：用 去除扩散工序在硅片表面形成的磷硅玻璃层。（）A、HCl酸 B、HF酸 C、NaOH溶液 D、异丙醇26、太阳光谱主要是分布在哪一个波段？（ ）A、200nm以下 B、200-900nm C、900nm-1200nm D、1200nm以上27、不是串联电阻的来源是 （） A
7、半导体的体电阻，B 电极及互联金属电阻，C 电极与半导体之间的接触电阻D 旁路电阻28、正常生产过程中，扩散源三氯氧磷需要在恒温 下进行保存。（ ）。A、25 B、30 C、20 D、1529、太阳电池是利用半导体_ _的半导体器件（）。 A光热效应 B.热电效应 C. 光生伏特效应 D. 热斑效应30、随着温度的上升，短路电流有所增加，这是由于半导体的 是随温度的上升而减小，这使得光吸收增加，从而导致载流子的增多，最终使短路电流增加 （）。A 扩散浓度 B禁带宽度 C 电子数量 D 杂质浓度31、当光照在半导体上时，光所具有的能量被 吸收，使其可以跃迁到更高的能级。（）A 电子 B 空穴 C
8、质子 D少子32、电极附着力测试拉力为，电池主栅线焊接引线经过不小于（ ）的拉力，背面焊接拉力不小于（ ），（ ）。 A、3N/2N B、2N/3N C、4N/3N D、3N/4N33、费米能级代表电子的填充情况，掺进的施主杂质越多，电子浓度越高，相应的费米能级就 。（ ） A、越高 B、越低 C、先升高后降低 D、先降低后升高34、黑暗环境中在太阳电池两端电极加上反向电压V，产生的电流称之为 （ ）中A、反向饱和电流 B、漏电流 C、暗电流 D、以上都不是35、硅片在电池工艺过程中受到金属污染，容易造成的复合是 。（ ）A、俄歇复合 B、复合中心复合 C、辐射复合 D、界面复合36、我司太阳
9、能电池多晶制作工艺中，库特勒一洗M2槽的主要作用是（）A. 清洗硅片 B去除硅片损伤层并制作绒面 C. 去除硅片表面杂质 C去除金属离子37、气体扩散法是将含有磷的气体在高温（）度下向硅片进行扩散。A、 200-400 B、 800-900 C、 10001500 D、 2000500038、我司镀膜后产生大量大面积发红返工片，应（）A. 减小第一层膜工艺时间 B 增加第一层膜工艺时间C 减小第二层膜工艺时间 D 增加第二层膜工艺时间39、太阳能电池供给负荷的电力在电流流动时从电极到半导体容体内的电阻焦耳热的（）。A. 复合损失 B. 反射损失 C. 串联电阻损失 D. 体面复合损失40、正常
10、生产过程中，PECVD的石墨舟使用（）次清洗一次。A、50 B、70 C、90 D、15041、PECVD减反射的原理是 。（ ） A、利用光程差形成相消干涉。 B、形成陷光效应。 C、利用光程差形成衍射。 D、SiH膜具有吸光效应42、影响金属电极和硅之间的接触电阻最直接的工艺是 （ ）A.刻蚀工艺 B.印刷工艺 C.烧结工艺 D.镀膜工艺43、环境温度升高，电池片的电流会 ，电压会 （ ） A、不变 降低 B、升高 升高 C、升高 降低 D、降低 不变44、电子许可占据的能带叫 ，允许带与允许带间不许可电子存在的范围叫 。（ ） A、允许带 禁带 B、禁带 允许带。 C、允许带 能带 D、
11、禁带 能带45、电池烧结过程中出现弓片是由于冷却过程中浆料的_高于硅。（C）A、挥发速度 B、结晶速度 C、热膨胀系数 D、温度46.太阳能电池开路电压与光强的关系（ ） A.线性关系 B.平行关系 C.对数关系 D.指数关系47、 接触能形成整流特性接触和良好的欧姆接触。（ ） A、半导体与半导体 B、金属与半导体 C、金属与金属 D、金属与绝缘体48、在衡量太阳电池输出特性参数中，表征最大输出功率与太阳电池短路电流和开路电压乘积比值的是 。（ ）A、转换效率 B、填充因子 C、光谱响应 D、方块电阻49、太阳能电池片被掺杂了磷的那部分，称为：（ ）A、耗尽区 B、N区 C、 P-N结 D、P区50、硅的带隙能量为 （ ）A、1.0eV B、1.1V C.、1.2eV D、1.3eV 51.太阳能光伏发电系统中，（ ） 指在电网失电的情况下，发电设备仍作为孤立的电源对负载供电的这一现象。A、 孤岛效应 B、光伏效应
