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1、1 A 实际电流方 向为红箭头 B C IA IB IC 图题4.1.2 基极偏置 电阻 Rb被短 路，VCC的极 性也不对。 T Rc vi vo VCC + + Rc Cb1 vi Cb2 vo Rb VCC + + T Rc Cb1 vi Cb2 vo Rb VCC + + T 此为正常 的放大电路。 基 极 耦 合 电 容 的 位置不对， 把静 态 的 IB隔断了。 VCC的 极 性不对，集 电结无法获 得反偏。 + VCC VBB RC Rb Cb1 Cb2 T + vo vi 题图 4.2.1 第四章习题：(P185) 4.1BJT 4.1.1测得某放大电路中晶体管的三个电极 A、
2、B、C 的对地电位分别为 VA=9V， VB=6V，VC=6.2V，试分析 A、B、C 中哪个是基极 b、发射极 e，集电极c，并说明此晶 体管是 NPN 管还是 PNP 管。 解：所有电压都是负值，应该为 PNP 型管； VB电压最低是发射极；VC仅比 VB高 0.2V 是基极；VA电压最高是集电极。 4.1.2某放大电路中晶体管的三个电极 A、B、C 的电流如图题 4.1.2 所示，用万用表 的直流电流挡测得 IA=2mA，IB=0.04mA，IC=2.04mA，试分析 A、B、C 中那个是基 极 b、发射极 e、集电极c，并说明此管是 PNP 管还是 NPN 管，它的=？ 解：A集电极B
3、基极C发射极； 此管是 NPN 型；IC=2mA，IB=0.04mA，IE=2.04mA； 51 04. 0 04. 2 = mA mA I I B C 4.1.3某晶体管的极限参数 ICM=100mA，PCM=150mW，V(BR)CEO=30V，若它的工作电 压 VCE=10V，则工作电流不能 IC超过多大？若工作电流 IC=1mA，则工作电压的极限值应为 多少？ 解：据 PCM=iCvCE 当 VCE=10V 时，其mA V mW v P i CE CM C 15 10 150 = 当 IC=1mA 时，计算出的，已经超出晶体管的V mA mW i P v C CM CE 150 1 1
4、50 = V(BR)CEO，应取 30V。 4.2 基本共射极放大电路 4.2.1试分析图题 4.2.1 所示各电路对正弦交流信号有无放大作用， 并简述理由(设各电 容的容抗可忽略)。 2 VBE小于发射 结的 门 限 电 压 (硅管 Vth=0.5V) 12V 12V 4K 20K T =80 40K 500K S A B C 图题 4.2.2 iB：10A/级 0 vCE/V iC/mA 510 10 20 iB=10A iCiB VCES0.8V VCES0.4V 图题 4.3.1 4.2.2电路如图题 4.2.2 所示，设晶体管的=80，VBE=0.6V，ICEO、VCES可忽略不计，
5、 试分析当开关 S 分别接通 A、B、C 三位置时，晶体管各工作在其输出特性曲线的哪个区域 ， 并求出相应的集电极电流 IC。 解：饱和临界mA K V R V I C CC C 3 4 12 = = 饱和临界A mAI I C B 5 . 37 80 3 = = 当开关置于 A 时：工作于饱和区； B b BECC BA IA K VV R VV I= = =285 40 6 . 012 当开关置于 B 时：工作于放大区； B b BECC BB IA K VV R VV I= = = 8 . 22 500 6 . 012 当开关置于 B 时：IBC= 0，VBE为负值，工作于截止区。 4.
6、2.3测量某硅晶体管各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？ (a)VC=6VVB=0.7VVE=0V (b)VC=6VVB=2VVE=1.3V (c)VC=6VVB=6VVE=5.4V (d)VC=6VVB=4VVE=3.6V (e)VC=3.6VVB=4VVE=3.4V 答：(a)工作于放大区；(b) 工作于放大区；(c) 工作于饱和区； (d) 工作于截止区；(e) 工作于饱和区； 4.3 放大电路的分析方法 4.3.1BJT 的输出特性如图题 4.3.1 所示，求该器件的值；当iC=10mA 和iC=20mA 时，管子的饱和压降VCES为多少？ 答：由图可求出 200 20
7、4 = = A mA i i B C 当iC=10mA 时，VCES0.4V 当iC=20mA 时，VCES0.8V 3 iB：10A/级 0 vCE/V iC/mA 510 10 20 iB=20A 15 VCEQ=9V ICQ=4mA Q ICEQ=4mA Rc iC VCC iB 题图 4.3.2 Rc iC VCC iB Rc 1K VCC 12V VBB=2.2V Rb=50K 图题 4.3.3 Rc 200 VCC 6V VBB=3.2V Rb=20K 图题 4.3.4 4.3.2设输出特性如图题 4.3.1 所示的 BJT 接入图题 4.3.2 所示的电路，图中 VCC=15V，
8、 RC=1.5K，iB=20A，求该器件的 Q 点。 解：Q 点即为IBQ、ICQ、VCEQ 已知=200，iB=20A ICQ=iB=20A200=4mA VCEQ=VCCICRC =15V 4mA1.5K =9V 4.3.3若将图题 4.3.1 所示输出特性的 BJT 接成图题 4.3.2 的电路，并设 VCC=12V， RC=1K， 在基极电路中用VBB=2.2V和Rb=50K的电阻串联以代替电流源iB。 求该电路中的IBQ、 ICQ和VCEQ的值，设VBEQ=0.7V。 解：已知晶体管的=200，VCC=12V，VBB=2.2V RC=1K，Rb=50KVBE=0.7V A K VV
9、R VV I b BEBB BQ 30 50 7 . 0. 2 . 2 = = = ICQ= IBQ=20030A=6mA VCEQ=VCCICQRC=12V6mA1K=6V 4.3.4设输出特性如图题 4.3.1 所示输出特性的 BJT 接成图题 4.3.2 的电路，其基极端 上接 VBB=3.2V 与电阻 Rb=20K 相串联，而VCC=6V，RC=200，求电路中的IBQ、ICQ和VCEQ 的值，设VBEQ=0.7V。 解：已知晶体管的=200，VCC=6V，VBB=3.2V RC=200 =0.2K，Rb=20KVBEQ=0.7V A K VV R VV I b BEBB BQ 125
10、 20 7 . 0. 2 . 3 = = = ICQ= IBQ=200125A=25mA VCEQ=VCC-ICQRC=6V25mA0.2K=1V 4.3.5电路如图题 4.3.5a 所示，该电路的交、直流负载线绘于图题 4.3.5b中，试求： 电源电压 VCC，IBQ、ICQ和管压降 VCEQ的值；电阻 Rb，Rc的值；输出电压的最大不 失真幅度；要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？ 4 Rc Cb1 vi Cb2 vo Rb VCC + + RL 图题 4.3.5a 0 vCE/V iC/mA 0.5 123456 1 1.5 2 2.5 3 iB=10A 50A 40
11、A 30A Q iBm vom VCC 20A IC IB=20A 图题 4.3.5b Rc 5K +VEE +10V T 图题 4.3.6 Re 10K VCC 10V vB + Rc 5K +VEE +10V T Re 10K VCC 10V vB + iC vE vCE + + Rc +VEE +10V T Re VCC 10V vB + 9V + + 10V + 8.3V + 10V 图题 4.3.7 解：由图可测出： VCC=6V，IB=20A，IC=1mA，VCEQ=3V =K A V I V R B CC b 300 20 6 =K mA V I V R Cm CC C 3 2
12、6 由图看出：vom1.5V 由图看出：iBm20A 4.3.6设 PNP 型硅 BJT 的电路如图题 4.3.6 所示。问vB在什么变 化范围内，使 T 工作在放大区？令=100。 解：可将电路画成如下的习惯画法。并设vCE=1V 时为临界饱和。 集电极临界饱和电流： Ce EECC Cm RR VVV i + + = 7 . 0 mA KK VVV 29 . 1 510 7 . 01010 + + = 此时的基极电压为：(以+VEE为参考电位) eCmBEQB RiVv+ max VKmAV6 .131029. 17 . 0=+= 若以两个电源的中点为参考点位，则：VVVvB6 . 310
13、6 .13 max = vB的最小值大于 BJT 的门限电压(vth=0.5V)才由截止区进入放大区。 minB v 故vB在 0.53.6V 之间变化时，BJT 工作于放大区。 4.3.7在题图 4.3.6 中，试重新选取 Re 和 RC 的值，以便当vB=1V时，集电极对地电 压vC=0。 解：根据题意，转变成以+VEE为参考电位的电路如右图。此时可 明显看出VRC和VRe上的电压之比为，若保持 RC与 Re的总阻值不 3 . 8 10 变， + =KKRC2 . 8 3 . 810 10 15 + =KKRC8 . 6 3 . 810 3 . 8 15 5 Rc Rb2 Cb1 vi C
14、b2 vo Rb1 VCC Re RL + + T (a) + ib ic rbe ib RL vo RC Rb2 Re iT Rb1 + vi (c) Rb2 Cb1 vi Cb2 vo Rb1 VCC Re2 + + T Rb3 Ce Re1 + ib ic rbe ib vo Rb2 Re Rb3 + vi Rb1 (b) vi + Rc Rb2 Cb1 Cb2 vo Rb1 VCC + T Rb1 Rb2 rbeIb RC IbIC vi + vo + (d) Rc Rb2 C1 vi C3 vo Rb1 VCC Re + + T C2 Re rbe Ib RC vi + vo + 图
15、题 4.3.8 Rc 4K Cb1 vi Cb2 vo Rb 300K VCC 12V RS 500 vS 50F 50F + + RL 4K RL IC Rb rbe Ib RC Vo vi Ib vs RS + + + 题图 4.3.9 4.3.8画出图题 4.3.8 所示电路的小信号等效电路，设电路中各电容容抗均可忽略，并 注意标出电压、电流的正方向。 4.3.9单管放大器如图题 4.3.9 所示，已知晶体管的电流放大系数=50。估算 Q点 ； 画出简化 h 参数小信号等效电路；估算晶体管的输入电阻rbe； 如输出端接 4K电阻负载，计算Av=vovi及Avs=vovs。 解：估算 Q 点(即求IBQ、ICQ、VCEQ) A K V R V I b CC BQ 40 300 12 = ICQ= IBQ=5040A=2mA VCEQ=VCCICQRC=12V24K=4V 画出 h 参数等效电路 6 bebebi rrRR= =+=+=863 2 26 51200 26 )1 (200 E I mV K KK KK RR RR RRR LC LC CLL 2 44 44 = + = + = 116 863. 0 250
