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1、。电子器件是20世纪的。电子器件的发展已经经历了两个时期真宇电子管|一|固体晶体管尺寸不断减小一微米一微电子器件。信息时代的到来,要求微电子器件的特征尺寸越来越小,芯片集成度越来越高20138-10电行移学与技术系2。Moore定律SIA对半导体技术发展趋势的预测瞒动态随机存储器(DRAM与微处理器2001年|2005年2010年|2016年DRAM特征线宽(am130804522DRAM存储容量祟吾薯岸SM2国人8G64GDRAM御比特价格(微美分7.7L0.340.042DRAM柳电极长度Cnm)6532189微处理器速度(MHz1684517311511|287512013-8-0电子移
2、学与技术系8关林;沥3“当系统的尺寸小到可以与电子的德布罗意波长相当时,量子效应就成为支配载流子真为的主要因素，量子力学将成为其理论基础。现今微电子器件工作原理和理论基础是以Boltzn12n桌方逼力赉皇为瞿之曼属出直勺理诡*因此微电子器件不会一直小下去,它存在一个物理极限,这个极限即是以Boltzman输运方程为基础的理论的适用极限。2013.8-10电行移学与技术系。这个物理极限是多少?_0.030HMm?。从信息技术的发展来看,为了满足无所不在的海量智能化需要,硅微电子芯片技术即使达到0.030Hm,也还是不能够满足信息处理的需要。当传统晁体管和集成电路最终达到它的极限的时候,信息技术将
3、如何发展?E四订、20138-10电子移学与技术系5种类结构答号材料WNiBaD:政理阪草8Si畜脸墓2技东|一贾定朝途工艺单尸生长,先刻、扩教接杂|有机无机组装,自组线生长2途泊|真宗电孔学半导体物理纳电子学,真空中自由电二,mA|嗣态半导体中电子,hA|量孔点闭的单电二,ne,量特怡宏规标量宏规参春子参量,环垣参量教感,湿度影响大,神经网特征20138-10电子移学与技术系。当电子器件进一步减小时,纳电子器件之后,将是分子电子器件,与之相应地将出现分子电子学。当前,人们直接面临的问题是纳米电子器件的设计与制造,纳电子学已经成为电子学研究的烨点D-纳电予学是纳木料技的一部分,纳米科技是信息时
4、代的高科技,将是人类制造御能工具的基础。2013-8-10电行移学与技术系惟山匹要口I一医刀-民驿绑绎|闯园园国目物|伯|杜理|学|闻|葛国国尿口口惊胎盎识菲20138-10电子移学与技术系。必须指出,纳电子学是为首的,这是因为纳电子学处于重要地位,将带领其他各学科的发展。这个划分没有将纳米材料作为一个独立的学科,是团为谷个学科郴与材料有关。纳米材料的基本单元可按维数分为三类:20138-10电行移学与技术系9零维纳米材料:类似于点状结构,立体空间的童个方向均在纳米尺度,如纳米微粒,原子团箱等。双一维纳米材料:类似于现状结构,立体空间的三个方向有两丨方向在纳米尺度,加纳米线纳米榆、纳木商绘二维纳米材料:类似于面状结构,立体空间的三个方向有一个方向在纳米尺度,如纳米薄膜、纳米多层膜、起晶格薄膜等。20138-10电行移学与技术系
