简单数字示波器设计报告

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1、+简易数字示波器 设计报告 学校: 苏州大学 学院: 电子信息学院 班级: 电子与通信工程 组员: 王婷 杨静芝 范静 第一章 设计内容与要求1. 1 设计内容:设计并制作一台具有实时采样方式和等效采样方式的数字示波器,示意图如图1所示。图1 数字示波器示意图1. 2 基本设计要求:(1)被测周期信号的频率范围为10Hz10MHz,仪器输入阻抗为1MW,显示屏的刻度为8 div10div,垂直分辨率为8bits,水平显示分辨率20点/ div。(2)垂直灵敏度要求含1V/div、0.1V/div两档。电压测量误差5%。(3)实时采样速率1MSa/s,等效采样速率200MSa/s;扫描速度要求含

2、20ms/div、2s /div、100 ns/div三档,波形周期测量误差5%。(4)仪器的触发电路采用内触发方式,要求上升沿触发,触发电平可调。(5)被测信号的显示波形应无明显失真。1. 3 扩展要求:(1)提高仪器垂直灵敏度,要求增加2mV/div档,其电压测量误差5%,输入短路时的输出噪声峰-峰值小于2mV。(2)增加单次触发功能,即按动一次“单次触发”键,仪器能对满足触发条件的信号进行一次采集与存储(被测信号的频率范围限定为10Hz50kHz)。第二章 系统的总体设计2. 1 总体框图:2. 2 硬件系统设计:2.2.1输入信号调理电路:图2输入信号调理电路该电路中涉及到的芯片有:(

3、1)AD603:在很多信号采集系统中,信号变化的幅度都比较大,那么放大以后的信号幅值有可能超过 A/D 转换的量程,所以必须根据信号的变化相应调整放大器的增益。在自动化程度要求较高的系统中,希望能够在程序中用软件控制放大器的增益 ,或者放大器本身能自动将增益调整到适当的范围。AD603 正是这样一种具有程控增益调整功能的芯片。它是美国ADI公司的专利产品,是一个低噪、90MHz 带宽增益可调的集成运放,如增益用分贝表示,则 增益与控制电压成线性关系,压摆率为 275V/s 。管脚间的连接方式决定了可编程的增益范围,增益在-11+30dB 时的带宽为90Mhz,增益在+9+41dB 时具有 9M

4、Hz 带宽,改变管脚间的连接电阻,可使增益处在上述范围内。该集成电路可应用于射频自动增益放大器 、 视频增益控制、A/D 转换量程扩展和信号测量系统。(2)TL431:德州仪器公司(TI)生产的TL431是一是一个有良好的热稳定性能的三端可调分流基准源。它的输出电压用两个电阻就可以任意地设置到从Vref(2.5V)到36V范围内的任何值。该器件的典型动态阻抗为0.2,在很多应用中可以用它代替齐纳二极管,例如,数字电压表,运放电路、可调压电源,开关电源等等。TL431是一种并联稳压集成电路。因其性能好、价格低,因此广泛应用在各种电源电路中,在很多应用中可以用它代替齐纳二极管,例如,数字电压表,运

5、放电路、可调压电源,开关电源等等。2.2.2 AD采样电路:图3 AD采样电路该电路中涉及到的芯片有:(1)AD9280:AT9280是单芯片、单电源、8bit、32MSPS模数转换器;内部集成了采样保持放大器和电源基准源。AT9280使用多级差分流水线架构保证了32MSPS数据转换数率下全温度范围内无失码。2.2.3时钟与高速存储电路图4 AD采样电路该电路中涉及到的芯片有:(1)DS1085: DS1085是双输出频率合成器,无需外部定时元件。它可以作为独立振荡器,或作为一个由处理器控制的、可动态编程的外设部件来使用。内部主振荡器可以在66MHz至133MHz的范围内进行编程,有三个分辨率

6、选择,分别为10kHz、25kHz与50kHz。一个可编程的3位预定标器(1、2、4或8分频)从主振荡器生成一个基准振荡器输出(OUT0),范围是8.2MHz至133MHz。另一个独立的预定标器和一个1至1025分频器产生主输出(OUT1),范围是8.1kHz至133MHz。两路输出尽管都与主振荡器同步,但可独立编程。可编程主振荡器、预标定器以及分频器组合起来可以生成数千个用户规定的频率。主振荡器、预标定器以及分频器的设置都保存在NV (EEPROM)存储器中,在上电时提供默认值,因此可以将其作为独立振荡器使用。通过2线串行接口可以对主振荡器、预标定器(P0与P1)、分频器(N)进行在线动态编

7、程。如果需要,可以进行动态频率调节,或者,对于固定频率应用,DS1085可以采用工厂或用户编程的固定数值。(2)SN74F574DW: 这8位触发器功能3态输出专为驱动高容性或相对低阻抗负载。它特别适合于实施缓冲寄存器,I / O端口,双向总线驱动程序和工作寄存器。八触发器的SN74F574的是边沿触发的D型触发器。在时钟(CLK)输入的正跳变时,Q输出将被设置为分别设置在数据(D)输入的逻辑电平。一个缓冲输出使能(OE)输入可用于放置八个输出在任何一个正常的逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻抗状态。在高阻抗状态,输出负载也没有显著驱动总线线。高阻抗状态,增加驱动器提供驱动总线线无接口或拉组件的

8、能力。输出使能(OE)不影响触发器的内部操作。旧数据可以保留或新的数据可以输入而输出是在高阻抗状态。(3)IDT7204:能够实现高速存储功能2.2.4 DA电路图5 DA电路该电路中涉及到的芯片有:(1)AD5320:(2)MC74VHC4051D2.2.4 电源电路图6 电源电路该电路中涉及到的芯片有:(1)A0512S:输入5V双输出12V模块(2)7805:7805三端稳压集成电路,电子产品中,常见的三端稳压集成电路有正电压输出的78 系列和负电压输出的79系列。顾名思义,三端IC是指这种稳压用的集成电路,只有三条引脚输出,分别是输入端、接地端和输出端。它的样子象是普通的三极管,TO-

9、 220 的标准封装,也有9013样子的TO-92封装。用78/79系列三端稳压IC来组成稳压电源所需的外围元件极少,电路内部还有过流、过热及调整管的保护电路,使用起来可靠、方便,而且价格便宜。该系列集成稳压IC型号中的78或79后面的数字代表该三端集成稳压电路的输出电压,如7806表示输出电压为正6V,7909表示输出电压为负9V。因为三端固定集成稳压电路的使用方便,电子制作中经常采用。2. 3数字示波器的性能参数设计:数字存储示波器的指标很多,包括采样率、带宽、灵敏度、通道数、存储容量、扫描时间和最大输入电压等。其中关键的技术指标主要有采样率、垂直灵敏度(分辨率)、水平扫描速度(分辨率)。

10、这几项指标直接与所选AD、FIFO和高速运放器件的性能,以及电路设计有关。下面根据所选器件的性能参数,合理地分析和确定示波器的采样率和分辨率。2.3.1.y通道参数计算(1)输入阻抗对于低速数据采集,由于信号反射对信号的传输过程影响微乎其微,所以低速数据采集系统良好的高阻抗性能,对提高系统的测量精确度有很大的意义。本设计中采用电压跟随器实现阻抗变换,数据采集阻抗变换电路的设计方案如图4所示,其输入阻抗为1M。图4 输入阻抗电路图(2) 灵敏度垂直灵敏度有两档指标要求:1V/div、0.1V/div,为此,我们必须在前端设计一个有两种增益的放大电路。A/D转换器的基准电压为2V,D/A转换器的基

11、准电压为2.5V,此外,该DAC的输出还具有两倍的增益,因此,其满幅输出为5V。示波器显示屏垂直方向有8格,对应为5V,即0.625/div,而信号经过D/A和A/D后又被放大了2.5倍,由此计算三档垂直灵敏度对应的放大倍数如表2.1所示。表1 垂直灵敏度与放大倍数的关系垂直灵敏度1V/div0.1V/div放大倍数0.252.52.3.2扫描速度本系统显示屏的水平刻度为10格,水平显示分辨率n为20点/div,则水平共显示20点/div10div = 200个点。假设扫描速度为s,采样频率为fs,则fs = n/s,由此得到设计要求的两档扫描速度所对应的采样频率如表2.2所示。表2 扫描速度

12、与采样频率的关系扫描速度s20ms/div2s/div采样频率1Khz10Mhz 当扫描速度在20ms/div和2s/div档时采用实时采样方式进行采样。由表2可见,当扫描速度为2s/div时,采样频率fs超过了题目规定的最高实时采样速率1MSa/s的要求。为解决这个问题,我们仍采用1MHz的采样频率,而在最后显示被测波形时将读RAM的速率变为锯齿波扫描速率的10倍,这就相当于将采样频率扩大了10倍,而实际的采样速率并没有超过题目的规定。这样便满足了实时采样速率1MSa/s和等效采样速率200MSa/s的要求。2.4 STM32简介:(1) STM32F10: STM32系列基于专为要求高性能

13、、低成本、低功耗的嵌入式应用专门设计的ARM Cortex-M3内核。按性能分成两个不同的系列:STM32F103“增强型”系列和STM32F101“基本型”系列。增强型系列时钟频率达到72MHz,是同类产品中性能最高的产品;基本型时钟频率为36MHz,以16位产品的价格得到比16位产品大幅提升的性能,是16位产品用户的最佳选择。两个系列都内置32K到128K的闪存,不同的是SRAM的最大容量和外设接口的组合。时钟频率72MHz时,从闪存执行代码,STM32功耗36mA,是32位市场上功耗最低的产品,相当于0.5mA/MHz。STM32型号的说明:以STM32F103RBT6这个型号的芯片为例

14、,该型号的组成为7个部分,其命名规则如下:(1)STM32:STM32代表ARM Cortex-M3内核的32位微控制器。(2)F:F代表芯片子系列。(3)103:103代表增强型系列。(4)R:R这一项代表引脚数,其中T代表36脚,C代表48脚,R代表64脚,V代表100脚,Z代表144脚。(5)B:B这一项代表内嵌Flash容量,其中6代表32K字节Flash,8代表64K字节Flash,B代表128K字节Flash,C代表256K字节Flash,D代表384K字节Flash,E代表512K字节Flash。(6)T:T这一项代表封装,其中H代表BGA封装,T代表LQFP封装,U代表VFQF

15、PN封装。(7)6:6这一项代表工作温度范围,其中6代表-4085,7代表-40105。103性能(1)特点内核:ARM32位Cortex-M3 CPU,最高工作频率72MHz,1.25DMIPS/MHz。单周期乘法和硬件除法。存储器:片上集成32-512KB的Flash存储器。6-64KB的SRAM存储器。时钟、复位和电源管理:2.0-3.6V的电源供电和I/O接口的驱动电压。POR、PDR和可编程的电压探测器(PVD)。4-16MHz的晶振。内嵌出厂前调校的8MHz RC振荡电路。内部40 kHz的RC振荡电路。用于CPU时钟的PLL。带校准用于RTC的32kHz的晶振。低功耗:3种低功耗模式:休眠,停止,待机模式。为RTC和备份寄存器供电的VBAT。调试模式:串行调试(SWD)和JTAG接口。DMA:12通道DMA控制器。支持的外设:定时器,ADC,DAC,SPI,IIC和UART。2个12位的us级的A/D转换器(16通道):A/D测量范围:0-3.6 V。双采样和保持能力。片上集成一个温度传感器。2通道12位D/A转换

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