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1、第三章 门电路,内容提要：,本章主要讲述数字电路的基本逻辑单元门电路，有TTL逻辑门、MOS逻辑门。在讨论半导体二极管和三极管及场效应管的开关特性基础上，讲解它们的电路结构、工作原理、逻辑功能、电器特性等等，为以后的学习及实际使用打下必要的基础。本章重点讨论TTL门电路和CMOS门电路。,本章主要内容,3.1 概述 3.2 半导体二极管门电路 3.3 CMOS门电路 3.4* 其他类型的MOS集成门电路 3.5 TTL门电路 3.6* 其他类型的双极型集成门电路 3.7* BiCMOS电路 3.8* TTL门电路与CMOS门电路的接口,3.1 概述,1. 门电路：,实现基本逻辑运算和复合运算的
2、单元电路称为门电路，常用的门电路有非门、与非门、或非门、异或门、与或非门等,(1) 正逻辑：,在二值逻辑中，如果用高电平表示逻辑“1” ，低电平表示逻辑“0” ，在这种规定下的逻辑关系称为正逻辑，如图3.1.1所示,2. 正负逻辑系统,图3.1.1 正负逻辑示意图,(2) 负逻辑：,在二值逻辑中，如果用高电平表示逻辑“0” ，低电平表示逻辑“1” ，在这种规定下的逻辑关系称为负逻辑，如图3.1.1所示。,3.1 概述,图3.1.1 正负逻辑示意图,同一逻辑电路采用不同的逻辑关系，其逻辑功能是完全不同的，如表3.1.1正负逻辑对应的逻辑电路,由表中可以看出,正负逻辑式互为对偶式，即若给出一个正逻
3、辑的逻辑式，则对偶式即为负逻辑的逻辑式，如正逻辑为或门，即Y=A+B，对偶式为YDAB。正负逻辑的使用依个人的习惯，但同一系统中采用一种逻辑关系，本书采用正逻辑,3.1 概述,3. 高低电平的实现,在数字电路中，输入输出都是二值逻辑，其高低电平用“0”和“1”表示。其高低电平的获得是通过开关电路来实现，如二极管或三极管电路组成。如图3.1.2所示。,图3.1.2 高低电平实现原理电路,3.1 概述,其原理为：,当开关S断开时，输出电压voVcc，为高电平“1”；当开关闭合时，输出电压vo0，为低电平“0”；若开关由三极管构成，则控制三级管工作在截止和饱和状态，就相当开关S的断开和闭合。,图3.
4、1.2高低电平实现原理电路,3.1 概述,单开关电路功耗较大，目前出现互补开关电路（如CMOS门电路），即用一个管子代替图3.1.2中的电阻，如图3.1.3所示,互补开关电路的原理为,3.1 概述,开关S1和S2受同一输入信号vI的控制，而且导通和断开的状态相反。当S1闭合时，S2断开，输出为高电平“1”；相反当S1断开时，S2闭合，输出为高电平“0”。,互补开关电路由于两个开关总有一个是断开的，流过的电流为零，故电路的功耗非常低，因此在数字电路中得到广泛的应用,4. 数字电路的概述,3.1 概述,（1）优点：,图3.1.1 正负逻辑示意图,在数字电路中由于采用高低电平，并且高低电平都有一个允
5、许的范围，如图3.1.1所示，故对元器件的精度和电源的稳定性的要求都比模拟电路要低，抗干扰能力也强。,(2) 分类：,3.1 概述,可分为分立元件逻辑门电路和集成逻辑门电路：分立元件逻辑门电路是由半导体器件、电阻和电容连接而成。集成逻辑门电路是将大量的分立元件通过特殊工艺集成在很小的半导体芯片上。,数字集成电路根据规模可分为,100/片,（1001000）/片,103 105 /片,105 以上/片,按导电类型可分为,3.1 概述,数字集成电路的基本逻辑单元是集成逻辑门，因此本章先介绍CMOS和TTL数字集成逻辑门的结构、工作原理,3.2 半导体二极管门电路,3.2.1半导体二极管的开关特性,
6、1. 稳态开关特性,图3.2.1 二极管的开关电路,图3.1.2高低电平实现原理电路,将图3.1.2中的开关用二极管代替，则可得到图3.2.1所示的半导体二极管开关电路,对于图3.2.1所示二极管开关电路，由于二极管具有单向导电性，故它可相当受外加电压控制的开关。,设vi的高电平为VIHVCC， vi的低电平为VIL0，且D为理想元件，即正向导通电阻为0，反向电阻无穷大，则稳态时当vIVIHVCC时，D截止，输出电压vDVOH VCC,将电路处于相对稳定状态下，晶体二极管所呈现的开关特性称为稳态开关特性,图3.2.1 二极管的开关电路,3.2.1半导体二极管的开关特性,当vIVIL0时，D导通
7、，输出电压vo VOL 0,图3.2.1 二极管的开关电路,即可以用输入电压vi的高低电平控制二极管的开关状态，并在输出端得到相应的高低电平,3.2.1半导体二极管的开关特性,2.二极管动态特性：,当电路处于动态状态，即二极管两端电压突然反向时，半导体二极管所呈现的开关特性称为动态开关特性（简称动态特性）,二极管的动态电流波形如图3.2.3所示,3.2.1半导体二极管的开关特性,图3.2.3 二极管动态电流波形,这是由于在输入电压转换状态的瞬间，二极管由反向截止到正向导通时，内电场的建立需要一定的时间，所以二极管电流的上升是缓慢的；当二极管由正向导通到反向截止时，二极管的电流迅速衰减并趋向饱和
8、电流也需要一定的时间。由于时间很短，在示波器是无法看到的,在输入信号频率较低时，二极管的导通和截止的转换时间可以认为是瞬间完成的。但在输入信号频率较高时，此时间就不能忽略了。,3.2.1半导体二极管的开关特性,将二极管由截止转向导通所需的时间称为正向恢复时间（开通时间）ton；二极管由导通转向截止所需的时间称为反向恢复时间（关断时间）tre，两者统称为二极管的开关时间，一般ton tre,图3.2.3 二极管动态电流波形,tre,ton,3.2.2 二极管与门,简单的二极管与门电路如图3.2.4所示,图3.2.4 二极管与门电路,设VCC5V，输入端A、B的高低电平为VIH3V， VIL0V，
9、二极管的正向导通压降为 VDF0.7V，则：,当A、B中有一个是低电平0V时，至少有一个二极管导通，使得输出Y的电压为0.7V，为低电平；只有A、B中都加高电平3V时，两个二极管同时导通，使得输出Y为3.7V，为高电平。,其输入输出及真值表如表3.2.1和3.2.2所示,3.2.2 二极管与门,其输出Y和输入A、B是与的关系，即,3.2.3 二极管或门,二极管或门电路如图3.2.5所示,图3.2.5 二极管或门电路,设输入端A、B的高低电平为VIH3V， VIL0V，二极管的正向导通压降为VDF0.7V，则：,当A、B中有一个是低电平0V时，至少有一个二极管导通，使得输出Y的电压为0.7V，为
10、低电平；只有A、B中都加高电平3V时，两个二极管同时导通，使得输出Y为3.7V，为高电平。,3.2.2 二极管或门,其输入输出及真值表如表3.2.3和3.2.4所示,其输出Y和输入A、B是与的关系，即,图3.2.5 二极管或门电路,二极管构成的门电路的缺点:,3.2.2 二极管或门,1.电平有偏移:输出的高低电平数值与输入的高低电平数值相差一个二极管的压降，后级的二极管门电路电平偏移，甚至使得高电平下降到门限值以下,2.带负载能力差：由于这种二极管门电路的输出电阻比较低，故带负载能力差，输出电平会随负载的变化而变化。,只用于IC内部电路,3.3 CMOS门电路,CMOS逻辑门电路是在TTL器件
11、之后，出现的应用比较广泛的数字逻辑器件，在功耗、抗干扰、带负载能力上优于TTl逻辑门，所以超大规模器件几乎都采用CMOS门电路，如存储器ROM、可编程逻辑器件PLD等,国产的CMOS器件有CC4000(国际CD4000/MC4000)、高速54HC/74HC系列（国际MC54HC/74HC),此外还有兼容型的74HCT和74BCT系列（BiCMOS）,先介绍74系列的反相器和逻辑门，再简单介绍其它系列的逻辑门,一、MOS管的类型和符号,a. 增强型NMOS,符号如图3.3.1所示,3.3.1 MOS管(绝缘栅）的开关特性,NMOS共源极接法电路如图3.3.2（a）所示，输出特性如(b)所示,3
12、.3.1 MOS管(绝缘栅）的开关特性,图3.3.2 NMOS管共源极接法电路及其输出特性,增强型NMOS共源极接法电路如图3.3.3（a）所示，转移特性如(b)所示,3.3.1 MOS管(绝缘栅）的开关特性,开启电压,当vGS 109,VGS VGS (th) 时,管子导通，iD V 2GS，RON1k,3.3.1 MOS管(绝缘栅）的开关特性,b. 增强型PMOS,符号如图3.3.4所示,3.3.1 MOS管(绝缘栅）的开关特性,增强型PMOS共源极接法电路如图3.3.5（a）所示，转移特性如(b)所示,3.3.1 MOS管(绝缘栅）的开关特性,当vGSVGS(th)，管子截止， iD =
13、 0,vGS VGS (th) 时,管子导通，iD V 2GS,3.3.1 MOS管(绝缘栅）的开关特性,c. 耗尽型NMOS,3.3.1 MOS管(绝缘栅）的开关特性,符号如图3.3.6所示,耗尽型NMOS共源极接法电路如图3.3.7（a）所示，转移特性如(b)所示,3.3.1 MOS管(绝缘栅）的开关特性,当vGS VGS(off)(负值），管子截止， iD = 0； vGS VGS(off) 时,管子导通,d. 耗尽型PMOS,3.3.1 MOS管(绝缘栅）的开关特性,符号如图3.3.8所示,耗尽型PMOS共源极接法电路如图3.3.9（a）所示，转移特性如(b)所示,3.3.1 MOS管
14、(绝缘栅）的开关特性,当vGS VGS(off)(正值），管子截止， iD = 0； vGS VGS(off) 时,管子导通,3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理,一、CMOS反相器的电路结构及工作原理,图3.3.10 CMOS反相器电路,图3.3.10为CMOS反相器的电路,其中T1为P沟道增强型MOS管，T2为N沟道增强型MOS管.它们构成互补对称电路,1.结构：,图3.3.10 CMOS反相器电路,3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理,它们的开启电压分别为 VGS（th）P、VGS（th）N，且 VGS（th）PVGS（th）N ， 并设VDD|VGS（th)P|+V
15、GS(th)N，,2.工作原理,当vIVIL0为低电平时，T2截止， T1管导通，输出电压为高电平，即,3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理,当vIVIHVDD为高电平时，T2导通， T1管截止，输出电压为低电平，即,图3.3.10 CMOS反相器电路,特点,1. 无论 vI 是高电平还是低电平，T1和T2管总是一个导通一个截止的工作状态，称为互补，这种电路结构CMOS电路；,2. 由于无论输入为低电平还是高电平， T1和T2总是有一个截止的，其截止电阻很高，故流过T1和T2的静态电流很小，故其静态功耗很小。,3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理,二、电压传输特性和电流传输
16、特性,反相器电压传输特性是输出电压vo和输入vI之间的关系曲线，如图3.3.11所示。并设,3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理,图3.3.11 CMOS反相器的电压传输特性,1. 电压传输特性,AB段：输入低电平,3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理,T1管导通，T2截止，输出电压为高电平，即,CD段：输入高电平,图3.3.11 CMOS反相器的电压传输特性,T1管截止，T2导通，输出电压为低电平，即,BC段：,3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理,图3.3.11 CMOS反相器的电压传输特性,T1、T2同时导通，若T1、T2参数完全相同，则,2.电流传输特性,3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理,图3.3.12 CMOS反相器的电流传输特性,AB段：输入低电平,T1管导通，T2截止，输出漏极电流近似为零,电流传输特性是反相器的漏极电流随输入电压变化曲线，如图3.3.12所示。也分成三段：,3.3.
