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1、电路图识别之磁珠和电感的区别篇可能一些新的朋友在刚看维修 MP3 技术资料时或电路图时常会看到磁珠这个词，可在网上粗略一查，好像他和电感差不多，其实则不然下面我就说一下他们之间的区别：磁珠的作用要从其结构来着手分析，磁珠的结构可以看成一个电阻和电感的串接（许多人容易把它和电感混淆，它和电感的区别就在于多了电阻的分量）。其作用主要是在高频率下利用电感成分反射噪声，利用电阻成分把噪音转换成热量，由此达到抑制噪声的作用。使用方法比较简单，直接插入信号线、电源线中就可以通过吸收、反射来实现抑制噪声和执行 EMC 对策的功能。电感的作用: 储能、滤波、阻抗、扼流、谐振和变压的作用。电阻器识别电阻电阻，用
2、符号 R 表示。其最基本的作用就是阻碍电流的流动。衡量电阻器的两个最基本的参数是阻值和功率。阻值用来表示电阻器对电流阻碍作用的大小，用欧姆表示。除基本单位外，还有千欧和兆欧。功率用来表示电阻器所能承受的最大电流，用瓦特表示，有 1/16W，1/8W，1/4W，1/2W，1W，2W 等多种，超过这一最大值，电阻器就会烧坏。根据电阻器的制作材料不同，有水泥电阻（制作成本低，功率大，热噪声大，阻值不够精确，工作不稳定），碳膜电阻，金属膜电阻（体积小，工作稳定，噪声小，精度高）以及金属氧化膜电阻等等。根据其阻值是否可变可分为微调电阻，可调电阻，电位器等。可调电阻（电位器）电路符号如下：电阻在标记它的值
3、的方法是用色环标记法。它的识别方法如下： 色别 第一位色环（电阻值的第一位） 第二位色环（电阻值的第二位） 第三位色环（乘 10 的倍数） 第四位色环（表误差） 棕1110-红 2 2 100 - 橙 3 3 1000 - 黄 4 4 10000 - 绿 5 5 100000 - 蓝 6 6 1000000 - 紫 7 7 10000000 - 灰 8 8 100000000 - 白 9 9 1000000000 - 黑 0 0 1 - 金 - - 0.1 +-0.05 银 - - 0.01 +-0.1 无色 - - - +-0.2 电容，用符号 C 表示。电容有存储电荷的作用，由于它的这个特
4、性，决定了它有通交流阻直流，通高频阻低频的作用。因此常用作隔直，滤波，耦合。电容器的两个最基本的指标是容量和击穿电压。容量显示电容器的储存能力，有法拉（F）和微法（十的负六次方法拉）、皮法（十的负十二次方法拉）等计量单位。由于电容简单来说就是两个相互绝缘的导体，所以当电压升高到一定程度时，会击穿这层绝缘。这个极限电压就是电容器的耐压值。电容器按有无极性可分为有极性电容和无极性电容两种，在一般情况下，有极性电容的正负极不可接反。按制作材料分，电容器有铝电解电容（成本低，容量大，耐热性差，稳定性差）、钽电解电容（成本高，精度高，体积小，漏电小）、磁片电容、聚炳稀电容、纸质电容以及金属膜电容等多种。
5、按容量是否可变分为固定电容和可调电容。无极性电容和有极性电容以及可调电容电路符号分别如下：电感器，通俗的说就是线圈。它的基本的性质是通直流，阻交流，与电容器的性质恰恰相反。衡量电感器的最基本指标是电感量。以亨利（H）为单位，还有毫亨，微亨等。电感器可分为磁芯电感（电感量大，常用在滤波电路）和空心电感（电感量小，常用于高频电路）两种。磁芯电感的电路符号分别如右：晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。它对信号有放大作用。三极管以符号 BG（旧）或（T）表示，二极管以 D 表示。按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。按极性分，三极管有 PNP 和 NPN 两种，而二极管有 P 型和 N 型之分。
6、多数国产管用*表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位 3 代表三极管，2 代表二极管。第二位代表材料和极性。A 代表 PNP 型锗材料；B 代表 NPN 型锗材料；C 为 PNP 型硅材料；D 为 NPN 型硅材料。第三位表示用途，其中 X 代表低频小功率管；D 代表低频大功率管；G 代表高频小功率管；A 代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。注意，二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。对于二极管来说，第三位的 P 代表检波管；W 代表稳压管；Z 代表整流管。上面举的例子，具体来说就是PNP 型锗材料低频小功率管。对于进口的
7、三极管来说，就各有不同，要在实际使用过程中注意积累资料。常用的进口管有韩国的 90xx、80xx 系列，欧洲的 2Sx 系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。半导体晶体管的三种放大电路原理如下：1、共基极放大电路。它的特点是输入阻抗低，输出阻抗高，电流放大倍数小于 1，不易与前级匹配。2、共发射极放大电路。它的特点是电流放大倍数较大，功率放大倍数更大，但在强信号是失真较大。3、共集电极放大电路。它的特点是输入阻抗高，输出阻抗低，常用于阻抗匹配电路，增益最小。现在应用最多的莫过于集成电路，符号 IC（Integered Circuit）。从小规模集成电路一直到大规模、超大规模乃至
8、生物集成电路发展。它恐怕是电子元器件中种类最多的。其命名方法依厂家的不同而千差万别，两块功能和外形完全相同的集成电路由两个厂家生产出来，其型号差异极大。集成电路的特点就是内部元器件密集，可以大大减小设备的体积和增加设备的可*性和易维护性。缺点就是散热问题不好解决，出了故障不易检查。要知道某一集成电路的电容的基础知识电容的基础知识常用电容按介质区分有纸介电容、油浸纸介电容、金属化纸介电容、云母电容、薄膜电容、陶瓷电容、电解电容等。 电容的外形电容器上标有的电容数是电容器的标称容量。电容器的标称容量和它的实际容量会有误差。常用固定电容允许误差的等级见表 2。常用固定电容的标称容量系列见表 3。电容
9、长期可靠地工作，它能承受的最大直流电压，就是电容的耐压，也叫做电容的直流工作电压。如果在交流电路中，要注意所加的交流电压最大值不能超过电容的直流工作电压值。表 4 是常用固定电容直流工作电压系列。有*的数值，只限电解电容用。由于电容两极之间的介质不是绝对的绝缘体，它的电阻不是无限大，而是一个有限的数值，一般在 1000 兆欧以上。电容两极之间的电阻叫做绝缘电阻，或者叫做漏电电阻。漏电电阻越小，漏电越严重。电容漏电会引起能量损耗，这种损耗不仅影响电容的寿命，而且会影响电路的工作。因此，漏电电阻越大越好。电容的种类也很多，为了区别开来，也常用几个拉丁字母来表示电容的类别，如图 2 所示。第一个字母
10、 C 表示电容，第二个字母表示介质材料，第三个字母以后表示形状、结构等。上面的是小型纸介电容，下面的是立式矩开密封纸介电容。表 5 列出电容的类别和符号。表 6 是常用电容的几项特性。基础知识之上下拉电阻:1、当 TTL 电路驱动 COMS 电路时，如果 TTL 电路输出的高电平低于 COMS 电路的最低高电平（一般为 3.5V）， 这时就需要在 TTL 的输出端接上拉电阻，以提高输出高电平的值。2、OC 门电路必须加上拉电阻，以提高输出的高电平值。3、为加大输出引脚的驱动能力，有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。4、在 COMS 芯片上，为了防止静电造成损坏，不用的管脚不能悬空，一般接上拉电阻
11、产生降低输入阻抗， 提供泄荷通路。5、芯片的管脚加上拉电阻来提高输出电平，从而提高芯片输入信号的噪声容限增强抗干扰能力。6、提高总线的抗电磁干扰能力。管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。7、长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰，加上下拉电阻是电阻匹配，有效的抑制反射波干扰。现代计算机使用的数字逻辑电路都是用高低电平来代表数值 0 和 1，使用时钟发生器产生时序信号来将电平信号划分为一个一个的数值。至于用高电平代表 1、低电平代表 0 还是用高电平代表 0、低电平代表 1，就要看电路设计时的定义了。不过一般来说都是用高电平代表 1、低电平代表 0。你看电路图上信号引脚名称上有跟横线的就表示低
12、电平有效，其它的都是高电平有效。常用的逻辑电平逻辑电平：有 TTL、CMOS、LVTTL、ECL、PECL、GTL；RS232、RS422 、LVDS 等。 其中 TTL 和 CMOS 的逻辑电平按典型电压可分为四类：5V 系列（ 5V TTL 和 5V CMOS）、3.3V 系列，2.5V 系列和 1.8V 系列。 5V TTL 和 5V CMOS 逻辑电平是通用的逻辑电平。 3.3V 及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平，常用的为 LVTTL 电平。 低电压的逻辑电平还有 2.5V 和 1.8V 两种。 1，TTL 电平： 输出高电平2.4V,输出低电平=2.0V，输入低电平cmos 3.
13、3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压。4，OC 门，即集电极开路门电路，OD 门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。 5，TTL 和 COMS 电路比较： 1）TTL 电路是电流控制器件，而 coms 电路是电压控制器件。 2）TTL 电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。 COMS 电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。 COMS 电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。6. 计算机串行接口采用
14、 RS232 标准：规定逻辑 1 的电平为-3-15V，逻辑 0 的电平为+3+15V。7.还有.电路图中 Vcc 和 Vdd 的解释Vcc 和 Vdd 是器件的电源端。Vcc 是双极器件的正，Vdd 多半是单级器件的正。下标可以理解为 NPN 晶体管的集电极 C，和 PMOS or NMOS 场效应管的漏极 D。同样你可在电路图中看见 Vee 和 Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅 NPN 所以 Vcc 通常是正。如果用 PNP 结构 Vcc 就为负了。荐义选用芯片时一定要看清电气参数。Vcc 来源于集电极电源电压, Collector Voltage, 一般用于双极型晶体管, PNP
15、管时为负电源电压, 有时也标成 -Vcc, NPN 管时为正电压.Vdd 来源于漏极电源电压 , Drain Voltage, 用于 MOS 晶体管电路 , 一般指正电源. 因为很少单独用 PMOS 晶体管, 所以在 CMOS 电路中 Vdd 经常接在 PMOS 管的源极上.Vss 源极电源电压, 在 CMOS 电路中指负电源, 在单电源时指零伏或接地 . Vee 发射极电源电压, Emitter Voltage, 一般用于 ECL 电路的负电源电压.Vbb 基极电源电压 , 用于双极晶体管的共基电路 .IC 定义IC Integrated circuit集成电路，按你的说法，主控 IC主控芯片，亦即 IC“芯片” 。
