《电焊工技师理论知识试题集(选择题)剖析》由会员分享，可在线阅读，更多相关《电焊工技师理论知识试题集(选择题)剖析（35页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、技师理论知识试题一、选择题1. 焊接装配图能清楚地表达出( A )示意内容。 A、接头形式和尺寸 B、焊接材料 C、焊接工艺 D、焊接工艺及焊缝质量2. 根据GB12212技术制图、焊接符号的尺寸、比例及简化表示方法规定，下图中简易绘制焊缝时，采用的是（B）。 A、端面视图 B、剖视图 C、剖面图 D、轴侧图3. 在表示焊缝端面的视图中，一般用(C)绘出焊缝的轮廓。 A、细实线 B、点划线 C、粗实线 D、长点划线4. 适用于结构件在现场或工地进行装配的是(C)装配法。 A、画线定位 B、定位器定位 C、安装孔 D、点固焊缝5. 在装配夹具上将杆件按顺序装配固定，适用于批量或大量生产的是(D)
2、装配法。 A、画线定位 B、定位器定位 C、安装孔 D、装配卡具定位6. 适用于小批量生产和复杂的钢结构生产的焊接装配顺序类型是( C )。 A、整装整焊 B、零件杆件装配焊接总装焊接 C、随装随焊 D、纵向装配焊接横向装配焊接7. 在焊接装配图上对于焊接结构的标注都是统一的，但不规定(D)。 A、焊接方法 B、焊缝符号 C、焊接方法代号 D、装配焊接顺序8. 检验角焊缝表面缺陷的方法不包括(D)。 A、磁粉探伤 B、着色探伤 C、荧光探伤 D、超声波探伤9. 绘制焊接装配图时，不能用(D)法求相贯线。 A、平行线 B、放射线 C、球面 D、平面10. 任何形状的可展物体都可以用(B)法进行展
3、开。 A、平行线 B、三角形 C、放射线 D、球面11. 在结构的放样和下料中，两物体相交形成的表面交线，我们称之为( C)。 A、素线 B、母形 C、相贯线 D、切线12. 将制品的表面分成若干个梯形部分在平面上进行展开的放样方法是( A)。 A、放射线法 B、平行线法 C、球面法 D、迹线法13. 正圆锥台最常用的展开方法是(A)。 A、放射线法和计算法 B、平行线法和放射线法 C、三角形法和计算法 D、平行线法和计算法14. 将90焊接弯头展开放样时，尽量保证弯头内侧焊缝之间的距离不要小于(D)。 A、50mm B、60mm C、75mm D、80mm15. 将正圆锥台展开放样时，当制件
4、尺寸大，画放样展开图费工、费场地，或需要求得精确的展开图形时，所采用的展开方法是(C)。 A、放射线法 B、平行线法 C、计算法 D、球面法16. 钣金制品下料前需要画出(A)。 A、切割线 B、相贯线 C、素线 D、母线17. 在管体上画素线时，将直线度很好的(A)置于管体上，并使之全面接触，画出管体素线。 A、角钢和槽钢 B、工字梁 C、钢板尺 D、小直径钢管18. 不锈钢厚件在下料时，一般采用(B)。 A、氧乙炔焰切割 B、等离子弧切割 C、手工剪切 D、液化石油气切割19、电子工业中常用的半导体是（ B ）。A、Fe和Al B、Si和Ge C、Cu和Ni D、Ag和Mg20、半导体中电
5、流大小是电子流与空穴流的（ C ）。A、乘积 B、商 C、代数和 D、差21、半导体的导电能力（ C ）。A、比导体强 B、与绝缘体相同 C、介于导体和绝缘体之间 D、与导体相同22、N型半导体是在半导体中掺入（ B ）后，索获得的掺杂半导体。A、四价元素 B、五价元素 C、六价元素 D、三价元素23、P型半导体是在半导体中掺入（ B ）后，所获得的半导体。A、二价元素 B、三价元素 C、四价元素 D、五价元素24、在PN结的两侧是（A ）。A、P区带负电，N区带正电 B、P区带正电，N区带负电C、P区和N区都带正电 D、P区和N区都带负电25、二极管的图形符号是（ B ）。 26、锗二极管的
6、正向导通电压为（ B ）。（A）0.1V （B）0.3V （C）0.5V （D）0.7V27、硅二极管的正向导通电压为（ C ）。（A）0.3V （B）0.5V （C）0.7V （D）0.9V28、在单相半波整流电路中有（ A ）二极管。（A）1个 （B）2个 （C）3个 （D）4个29、在单相全波桥式整流电路中使用了（ B ）。（A）2个二极管 （B）4个二极管 （C）6个二极管 （D）8个二极管30、在全波桥式整流电路中，二极管的整流电流应是负载直流电流的（ D ）。A、1/3 B、1/4 C、1/5 D、1/231、晶体三极管有（ B ）PN结。（A）1个 （B）2个 （C）3个 （D）
7、4个32、晶体三极管有3个导电区，其中基区与发射区之间的PN结被称为（ B ）。A、集电结 B、发射结 C、导电结 D、放大结33、晶体三极管最基本的作用是（ A ）。A、电流放大 B、导电电路 C、控制二极管 D、整流34、NPN型三极管的图形符号是（ A ）。 35、晶体三极管是由（ C ）PN结构成的一种半导体器件。A、3个 B、4个 C、2个 D、5个36、在晶体三极管中，通常用Ie表示发射电流，Ib表示基极电流，Ic表示集电极电流，它们三者之间的关系是（ B ）。A、Ib=Ic+Ie B、Ie= Ib+Ic C、Ie= Ie/ Ic D、Ie= Ie Ic 37、为了保证人身安全，要
8、将用电设备保护接零，目的是为了（ D ）。A、电气设备的正常工作 B、防静电 C、防雷击 D、人身和设备安全38、将电气设备和用电装置的金属外壳与（C ）相接叫接零。A、接地装置 B、导线 C、系统零线 D、大地39、将电气设备和用电装置保护接地是指电网的中性点（B ）。（A）接地且设备外壳接地 （B）不接地，设备外壳接地（C）接地，设备外壳接零 （D）不接地，设备外壳接零40、选用晶闸管时，其额定电压值应比实际工作时的最大电压值大( B )以上。A、倍 B、2倍 C、3倍 D、倍41、在晶闸管整流电路中，输出电压随晶闸管控制角度的变大而（ D ）。A、不变 B、任意变化 C、变大 D、变小4
9、2、晶闸管单相整流电路电阻负载的最大移相范围是( C )。A、360 B、210 C、180 D、12043. 双向可控硅完全可以代替两个( D )的普通可控硅。A、正串联 B、正并联 C、反串联 D、反并联44、选择双向可控硅时，其额定电流应等于每个反并联普通可控硅额定电流的（B ）。A、1倍 B、2倍 C、2.5倍 D、4倍45、可控硅触发电路不该触发时，其触发回路电压应低于( A )。A、0.150.25V B、0.30.4V C、0.350.45V D、0.51.0V46. 由晶体三极管组成的三种组态放大电路，其输入阻抗较大的是（ B ）电路。A、共发射极 B、共集电极 C、共基极 D
10、、共阳极47、由晶体三极管组成的三种组态放大电路，电压放大倍数最小的是( B )电路。A、共基极 B、共集电极 C、共发射极 D、反馈极48、普通晶闸管是由四层半导体构成的，由P1 区引出的电极称为晶闸管的( A )。A、阳极 A B、阴极K C、共射极 D、门极G49、在晶闸管整流电路中，若用UM 表示实际工作电压的峰值，则晶闸管的额定电压应选( B )。A、Ue=UM B、Ue=（23）UM C、Ue=（510）UM D、Ue10 UM50、用晶体管触发的可控硅整流电路，常用的同步波形是（A ）。A、正弦波 B、尖脉冲 C、宽形脉冲 D、负脉冲51、在晶闸管整流电路中，“同步”的概念是指触
11、发脉冲与主回路( C)保持一定的相位关系。A、电流 B、电压频率 C、电压 D、电阻52、分析和计算复杂电路的基本依据是欧姆定律和( D )。A、牛顿第一定律 B、电磁感应原理 C、叠加原理 D、基尔霍夫定律53、如图所示，当开关K未闭合时，C、D两点间的电压UCD应为（B ）。A、UCD=0V B、UCD=115V C、UCD=100V D、UCD=50V 54、如图所示，若所有的电阻都相等（电流表的内阻可以忽略不计，电压表的内阻为无限大），当滑动电阻的触点由位置2 滑向位置1 时，电流表的读数( B )。A、变大，电压表读数变小 B、变小，电压表读数变大C、变大，电压表读数变大 D、变小，电压表读数变小55、选用低噪场声通风除尘设施，保证工作地点环境机械噪声值不超过声压（A ）。A、85dB B、95dB C、75dB D、80dB 56、焊接切割等工作，如遇到粉尘和有害的烟气又无法采用局部通风措施时应( A ）进行焊接。 A 、采用送风呼吸器 B 、屏住呼吸 C 、有监护人在场 D、加强绝缘措施57焊炬上装的烟气吸收器，应能（ D ）。A 、照明焊道 B 、起到漏电保护作用 C 、间断性抽出烟气 D 、连续抽出焊接烟气58焊工在多层结构或高空构架上进行交叉作业时，应（ A）。A 、佩戴标准安全帽 B 、穿绝缘服 C 、经常
