《用vasp计算硅的能带结构》由会员分享，可在线阅读，更多相关《用vasp计算硅的能带结构（4页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、用vasp计算硅的能带结构在最此次仿真之前，因为从未用过vasp软件，所以必须得学习此软件及一些能带的知识。vasp是使用赝势和平面波基组，进行从头量子力学分子动力学计算的软件包。用vasp计算硅的能带结构首先要了解晶体硅的结构，它是两个嵌套在一起的FCC布拉菲晶格，相对的位置为 (a/4,a/4,a/4), 其中a=5.4A是大的正方晶格的晶格常数。在计算中，我们采用FCC的原胞，每个原胞里有两个硅原子。VASP计算需要以下的四个文件：INCAR（控制参数）, KPOINTS（倒空间撒点）, POSCAR（原子坐标）, POTCAR（赝势文件）为了计算能带结构，我们首先要进行一次自洽计算，得
2、到体系正确的基态电子密度。然后固定此电荷分布，对于选定的特殊的K点进一步进行非自洽的能带计算。 有了需要的K点的能量本征值，也就得到了我们所需要的能带。步骤一.自洽计算产生正确的基态电子密度：以下是用到的各个文件样本:INCAR 文件：SYSTEM = SiStartparameter for this run: NWRITE = 2; LPETIM=F write-flag & timer PREC = medium medium, high low ISTART = 0 job : 0-new 1-cont 2-samecut ICHARG = 2 charge: 1-file 2-ato
3、m 10-const ISPIN = 1 spin polarized calculation?Electronic Relaxation 1 NELM = 90; NELMIN= 8; NELMDL= 10 # of ELM steps EDIFF = 0.1E-03 stopping-criterion for ELM LREAL = .FALSE. real-space projectionIonic relaxation EDIFFG = 0.1E-02 stopping-criterion for IOM NSW = 0 number of steps for IOM IBRION
4、= 2 ionic relax: 0-MD 1-quasi-New 2-CG ISIF = 2 stress and relaxation POTIM = 0.10 time-step for ionic-motion TEIN = 0.0 initial temperature TEBEG = 0.0; TEEND = 0.0 temperature during runDOS related values: ISMEAR = 0 ; SIGMA = 0.10 broadening in eV -4-tet -1-fermi 0-gausElectronic relaxation 2 (de
5、tails)Write flags LWAVE = T write WAVECAR LCHARG = T write CHGCARVASP给INCAR文件中的很多参数都设置了默认值，所以如果你对参数不熟悉，可以直接用默认的参数值。比如在这个例子中，下面的比较简单的INCAR 文件也可以完成任务:SYSTEM = SiStartparameter for this run: PREC = medium medium, high low ISTART = 0 job : 0-new 1-cont 2-samecut ICHARG = 2 charge: 1-file 2-atom 10-const
6、 EDIFF = 0.1E-03 stopping-criterion for ELM NSW = 0 number of steps for IOM IBRION = 2 ionic relax: 0-MD 1-quasi-New 2-CG ISIF = 2 stress and relaxationKPOINT文件:我们采用自动的Monkhorst-Pack K点撒取方式。对于类似于硅晶体的半导体材料，通常 4x4x4 的K点网格就够了。Monkhorst Pack0Monkhorst Pack4 4 40 0 0POSCAR文件:我们采用FCC原胞，所以每个原胞包含两个硅原子Si5.38
7、9360.5 0.5 0.00.0 0.5 0.50.5 0.0 0.52Cartesian 0.0000000000000 0.00000000000 0.0000000000000 0.2500000000000 0.25000000000 0.2500000000000POTCAR文件不需要进行任何改动，只需将POTCAR文件从正确的赝势库里拷贝过来就行了。运行VASP进行完这一步的计算后，我们应该得到了自洽的电荷分布-CHGCAR文件。为了得到能带结构，我们需要对指定的K点进行非自洽的计算，然后将信息汇总，得到E-K的能带关系。步骤二.在固定电子密度的情况下，得到选取K点的能量本征值。
8、我们需要修改一下INCAR文件中的部分参数 ICHARG = 11 charge: 1-file 2-atom 10-constICHARG=11 表示从CHGCAR中读入电荷分布，并且在计算中保持不变。我们还需要更改KPOINT文件，来指定我们感兴趣的某些高对称性的K点。在VASP4.6中，这个可以通过Line mode来轻易实现.k-points along high symmetry lines10 ! 10 intersectionsLine-moderec0 0 0 ! gamma0.5 0.5 0 ! X0.0 0.0 0 ! gamma0.5 0.5 0.5 ! L通过指定Lin
9、e-mode， VASP会自动在起点和终点之间插入指定的K点数，比如上面的文件就是指定VASP计算沿着Gamma点到X点，以及Gamma点到L点的K点，每个方向上各取10个K点。下图是硅晶体的第一布里渊区，标出了一些高对称性点。作如上修改后，我们再次运行VASP，然后我们就可以从OUTCAR文件或者EIGENVAL文件里得到需要的每个K点的能级信息。比如说EIGENVAL文件会有类似以下的输出0.5555556E-01 0.5555556E-01 0.0000000E+00 0.5000000E-01 1 -6.8356 2 4.8911 3 5.0077 4 5.0079 5 7.6438 6 8.0693 7 8.0694 8 9.0057第一行就是K点的倒空间的坐标，接下来的8行告诉我们在那个K点上的8个能级。你可以通过EXCEL或者ORIGIN之类的画图软件可视化结果。由于现在手头上已经有了每个K点的能级信息，则将这些K点的能级连接起来就是你所需要的能带图了。下图是用以上步骤算得的硅的能带图。我们可以看到硅并非是直接能隙的材料。同时，由于我们用了LDA，所以硅的能隙和实验相比大大被低估了（实验为1.12eV，计算值0.6eV）。
