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1、窗体顶端第1章 常用半导体器件当前页有8题，你已做8题，已提交8题，其中答对8题。 1. N型半导体的多数载流子是电子，因此它应(C )。 A.带负电 B.带正电 C.不带电 参考答案：C问题解析：2. 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将(B )。 A.变窄 B.变宽 C.不变参考答案：B问题解析：3. 二极管的死区电压随环境温度的升高而(C )。 A.增大 B.不变 C.减小参考答案：C问题解析：4. 电路如图所示，设全部二极管均为理想元件，当输入电压ui=10sintV时，输出电压最大值为10V的电路是(C)。参考答案：C问题解析：5. 电路如图所示，D1，D2均为理想二极管，设U1
2、=10V，ui=40sintV,则输出电压uO应为(D )。 A.最大值为40V，最小值为0V B.最大值为40V，最小值为+10V C.最大值为10V，最小值为40V D.最大值为10V，最小值为0V参考答案：D问题解析：6. 稳压管的动态电阻rZ是指(B)。A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值 参考答案：B问题解析：7. 在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是(B )。 A.PNP管的集电极 B.PNP管的发射极 C.NPN管的发射极 D.NPN管的基极参考答案：B问题解析：8. 已知放大电路中某晶体
3、管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为(A )。 A.NPN型锗管 B.PNP型锗管 C.NPN型硅管 D.PNP型硅管参考答案：A问题解析：窗体底端第2章基本放大电路当前页有10题，你已做10题，已提交10题，其中答对7题。 1. 如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流(B )。 A.反向 B.近似等于零 C.不变 D.增大2. 晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为(C )。 A.发射结反偏，集电结正偏 B.发射结、集电结均反偏 C.发射结、集电结均正偏 D.发射结正偏、集电结反偏3. 晶体管的电流放大系数
4、是指(B)。A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数 4. 低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于(B)。A. B. C.5. 某电路如下图所示，晶体管集电极接有电阻RC，根据图中的数据判断该管处在(B)。A.截止状态 B.放大状态 C.饱和状态 6. 某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则该场效应管为(B)。A.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道增强型MOS管C.P沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管 7. 已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示，则此管子的夹断电压约为(C)。A.0V B.2V C.2V D.1V8. 已知某场效应管的漏极
5、特性曲线如图所示，则在UDS=10V，UGS=0V处的跨导gm约为(A)。A.1mA./V B.0.5mA./V C.-1mA./V D.-0.5mA./V 9. 如图示放大电路中接线有错误的元件是(B)。A.RL B.RB C.C1 D.C2 10. 放大电路如图所示，由于RB1，和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真，为了改善失真，正确的做法是(C)。A.适当增加RB2，减小RB1 B.保持RB1不变，适当增加RB2C.适当增加RB1，减小RB2 D.保持RB2不变，适当减小RB1 11. 图示电路，已知晶体管，忽略UBE，如要将集电极电流IC调整到1.5mA.，RB应取(A)。A.48
6、0kW B.120kW C.240kW D.360kW12. 电路如图所示，若晶体管的发射结被烧坏而形成开路，那么集电极电位UC应等于(A)。A.6V B.0V C.0.6V D.5.3V13. 某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如图所示，欲使工作点移至Q需使(C)。A.偏置电阻RB增大B.集电极电阻RC减小C.偏置电阻RB减小14. 单管放大电路如图所示，其交直流负载的正确画法是图2中的(A)。15. 对放大电路进行动态分析的主要任务是(C)。A.确定静态工作点Q B.确定集电结和发射结的偏置电压C.确定电压放大倍数和输入，输出电阻ri，r0。16. 某一固定偏置NPN管共射放大电路如图1
7、所示，其输入和输出电压波形如图2所示，造成这种失真的原因是(C)。A.管子的值太小 B.电路电源电压太高C.偏置电阻太小 D.偏置电阻太大17. 如图所示的放大电路(C)。A.不能稳定静态工作点。B.能稳定静态工作点，但比无二极管D的电路效果要差。C.能稳定静态工作点且效果比无二极管D的电路更好18. 与共射单管放大电路相比，射极输出器电路的特点是(A )。 A.输入电阻高，输出电阻低 B.输入电阻低，输出电阻高 C.输入，输出电阻都很高 D.输入，输出电阻都很低19. 27场效应管放大电路如下图所示，该电路的电压放大倍数(A)。A.小于但近似等于1 B.约几十倍 C.为20. 某两级阻容耦合
8、共射放大电路,不接第二级时第一级的电压放大倍数为100倍,接上第二级后第一级电压放大倍数降为50倍,第二级的电压放大倍数为50倍,则该电路总电压放大倍数为(B )。 A.5000倍 B.2500倍 C.150倍 D. 1000倍21. 两级阻容耦合放大电路中，第一级的输出电阻是第二级的(B )。 A.输入电阻 B.信号源内阻 C.负载电阻22. 两级阻容耦合放大电路中，若改变第一级静态基极电流IB1，则(B)。A.第二级的基极电流随之而改变B.第二级的静态值(，)均不改变C.第二级的静态电流不改变，但要改变23. 直流放大器中的级间耦合通常采用（C ） A.阻容耦合 （b）变压器耦合 （c）直
9、接耦合 （d）电感抽头耦合第3章 多级放大电路1. 差分放大电路的作用是（A ） A.放大差模信号，抑制共模信号 B.放大共模信号，抑制差模信号 C.放大差模信号和共模信号 D.差模信号和共模信号都不放大2. 集成运放输入级一般采用的电路是（A ）。 A.差分放大电路 （b）射极输出电路 （c）共基极电路 （d）电流串联负反馈电路3. 集成运放的电压传输特性之中的线性运行部分的斜率愈陡，则表示集成运放的（B ）。 A.闭环放大倍数越大 （b）开环放大倍数越大 （c）抑制漂移的能力越强 （d）对放大倍数没有影响4. 若集成运放的最大输出电压幅度为UOM，则在 情况下，集成运放的输出电压为D。 A
10、.同相输入信号电压高于反相输入信号 B.同相输入信号电压高于反相输入信号，并引入负反馈 C.反相输入信号电压高于同相输入信号，并引入负反馈 D.反相输入信号电压高于同相输入信号，并开环5. 第一空 电路的输入阻抗大， 第二空 电路的输入阻抗小。第一空选择为（B ） A.反相比例 B.同相比例 C.基本积分 D.基本微分6. 第一空 电路的输入阻抗大， 第二空 电路的输入阻抗小。第二空选择为（A ） A.反相比例 B.同相比例 C.基本积分 D.基本微分7. 在 第一空 电路中，电容接在集成运放的负反馈支路中，而在 第二空 电路中，电容接在输入端，负反馈元件是电阻。第一空选择为（C ） A.反相
11、比 B.同相比例 C.基本积分 D.基本微分8. 在 第一空 电路中，电容接在集成运放的负反馈支路中，而在 第二空 电路中，电容接在输入端，负反馈元件是电阻。第二空选择为（D ） A.反相比 B.同相比例 C.基本积分 D.基本微分9. 某一理想运算放大器开环工作，其所接电源电压为，当输入对地电压时的输出电压为(D)。A.2U B.U C.+2U D.+U10. 理想运算放大器的共模抑制比为(C )。 A.零 B.约120dB C.无穷大11. 理想运算放大器的开环电压放大倍数是(A)。A.无穷大 B.零 C.约120dB12. 理想运算放大器的开环差模输入电阻rid是(A )。 A.无穷大
12、B.零 C.约几百千欧 D.约几十欧姆第4章 集成运算放大电路当前页有4题，你已做4题，已提交4题，其中答对3题。 1. 电路如下图所示，R1、R2支路引入的反馈为(B)。A.串联电压负反馈 B.正反馈 C.并联电压负反馈2. 在运算放大器电路中，引入深度负反馈的目的之一是使运放(C )。 A.工作在线性区，降低稳定性 B.工作在非线性区，提高稳定性 C.工作在线性区，提高稳定性3. 放大电路如下图所示，当RF增加时，该电路的通频带(B)。A.变宽 B.变窄 C.不变4. 比例运算电路如下图所示，同相端平衡电阻R应等于(C)。A.R1 B.R1+RF C.R1与RF并联第5章 放大电路的频率相
13、应当前页有2题，你已做2题，已提交2题，其中答对2题。 1. 比例运算电路如下图所示，该电路的输入电阻为(B )。A.零 B.R1 C.无穷大2. 同相输入的运算放大器电路如下图所示，该电路的输入电阻为(C)。A.零 B.R C.无穷大第6章 放大电路中的反馈当前页有4题，你已做4题，已提交4题，其中答对3题。 1. 场效应管放大电路如下图所示，该电路的输入电阻应等于(C)。A.无穷大 B. C.2. 共源场效应管放大电路中，若将源极旁路电容去掉，则该电路的电压放大倍数将(B)。A.增大 B.减小 C.不变3. 场效应管放大电路如下图所示，耦合电容约几十微法，则的取值通常(C)。A.大于 B.等于 C.比小得多，约0.010.0474. 场效应管放大电路如下图所示，该电路的电压放大倍数等于(A)。A. B. C.第7章 信号的运算和处理当前页有4题，你已做4题，已提交4题，其中答对4题。 1. 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(第一空 )，而低频作用时放大倍数数值下降的原因是(第二空 )。第一空选择为：（B ） A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管级间电容和分布电容的存在 C. 半导体管的
