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1、1硅在自然界主要以氧化物形式存在，不存在单质。2硅的常见几种化合物，二氧化硅sio2，一氧化硅sio，硅的卤化six4,三氯化硅，硅烷。3固体可以分为晶体和非晶体两大类。4在不同的带轴方向上晶体的物理性质不同，这是晶体的各向异性。5几种典型的晶胞，简立方，体心立方，面心立方，氯化铯结构，氯化钠结构，金刚石结构，闪锌矿结构，纤锌矿结构。6硅的提纯有化学提纯，物理提纯两种方法。7高纯度的多晶硅生长单晶硅则基本是以区熔法和直拉法两种物理提纯生长方法为主。8对于大直径的单晶硅或者需要高输出功率的太阳能电池，其硅片的形状一般为方形。9电参数的测量是硅材料电学性能测试的重要内容。它主要包括导电型号，电阻率
2、，少子寿命和迁徙率测量。10电阻率的测量接触法四探针法，拓展电阻法。非接触法电容耦合法，电感耦合法。1 、硅根据其杂质可分为_和_。2、所有晶体都是由_、_、_或这些_在三维空间按一定规则排列而成。3、在自然界中，硅主要以_和_的形式存在。4、硅的提纯中常用的两种提纯技术是_和_。5、由高纯度的多晶硅生长单晶硅则基本是以_和_。6、太阳电池用单晶片，一般有两种形状：_和_。7、非晶硅是重要的_。8、硅半导体的导电过程存在_和_两种载流子。9、半导体材料的电阻率与_以及_有关。10、在直拉法中掺入杂质的方法有共熔法和投杂法两种。、答案1（粗硅 高纯硅）2原子 分子 离子 粒子集团）3（氧化硅 硅
3、酸盐）4(精馏 吸附) 5（区熔法 直拉法）6（圆形 方形）7（薄膜半导体材料）8（电子 空穴）9（载流子浓度 载流子迁移率）10（ ）1、晶体硅中存在缺陷后，会在晶体能带的禁带中引入缺陷能级，形成一定的复合中心，_减少_电池中的载流子浓度。2、无论是内圆切割方式还是外圆切割方式，受制于刀片的_厚度_3、_硅胶化学机械抛光是利用_二氧化硅胶_或者近胶体状溶液进行抛光4、通常在不影响PN结特性的前提下，扩散温度选择_高些_，可以缩短扩散时间，有利于生产。5、_四探针法_测量薄层电阻6、在光生伏特效应中，若PN结开路，在结的两边积累电子-空穴对，产生_开路电压_。7、当拉晶时，固液界面并不平坦，对
4、于分凝系数不为1的杂质而言，会导致产生的单晶硅的_径向电阻率_有较大的不均匀性。8、在能耗上，单晶由于有拉晶的过程，相对能耗_远大于_铸造多晶硅。9、常温下，由于电离产生了大量的空穴，把此类主要依靠空穴导电的半导体成为_P型半导体_。10、n0和p0的乘积称为_非简并半导体平衡态判据式_。1、硅的光吸收处于（红外波段）2、以硅材料作为基体的太阳能电池可以分为（单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池）3.晶体生长过程可看成相界的推移过程，由此，晶体生长方式分为三类(固相生长，液相生长，汽相生长)4.在太阳能级多晶硅制备中，改良西门子法的显著特点有（能耗低，成本低，产量高，质量稳定，
5、对环境不产生污染）等。5.在掺金量相同时N型硅比P型硅寿命下降的（更快些）6.如果硅材料很纯，材料的电阻率和杂质浓度的关系是(=1/e)7. (多晶硅薄膜)太阳电池以成为目前世界光伏领域中最活跃的研究方向。8.化学法提纯高纯多晶硅的生产方法大多分为三步（中间化合物的合成，中间化合物的分离提纯，中间产物被还原）9.多晶硅片生产流程：清洗硅材、装料、化料、（晶体生长）、退火、冷却、（硅锭出炉）、破锭、多线切割、（硅片清洗）、包装等。10. 单晶硅的原生缺陷是（晶体原生颗粒缺陷）1、晶体缺陷主要包含有以下四种，分别为：点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。2、多晶硅的生产方法主要包含：SiCl4法、硅烷法
6、、流化床法、西门子改良法。3.框图简要说明硅片制备主要工艺流程：单晶生长整形切片晶片研磨及磨边蚀刻抛光硅片检测打包。4.硅太阳能电池主要通过扩散在表面制备PN结。什么是恒定源扩散？扩散过程中，认为硅片周围的杂质浓度是恒定的，不随时间而改变，硅片表面的杂质浓度Ns保持不变，始终等于源相中的杂质浓度，称这种情况为恒定源扩散。5.画出硅太阳能电池制造工艺流程简要方框图：硅片加工化学清洗和抛光涂源扩散真空蒸镀制备上电极化学镀镍制备下电极边缘腐蚀中间测试分档引线浸锡蒸镀反射膜总测分类。6.直拉法生长单晶硅拉晶过程有哪几个主要阶段？缩颈的主要目的是什么？拉晶过程：润晶、缩颈、放肩、等径生长、拉光；缩颈的主
7、要目的是排除接触不良引起的多晶和尽量消除籽晶内原有位错的延伸。7.硅太阳能电池主要通过扩散在表面制备PN结。如何对扩散参数进行控制1)扩散温度和时间：在不影响PN结特性的前提下，扩散温度选择高一些，可以缩短扩散时间，有利于生产。对于浅扩散情况，温度选择要适当。2)扩散结果的测定：通常采用磨角染色法或者是阳极氧化法和滚槽法等间接手段。3)薄层电阻测定：用四探针法测量。4)表面浓度的计算。8. 如何用四探针法测量薄层电阻？并画出简明电路图9.说明晶棒切割的主要方式及特点晶棒切割主要通过使用内圆切割、外圆切割、多线切割等方式进行切割。无论是内圆切割方式还是外圆切割方式，受制于刀片的厚度，对于硅料的使
8、用率和本身硅片的厚度都有很强的局限性。而相对较新的多线切割在材料的利用和硅片厚度上明显较为出色。多线切割由于使用细钢丝替换刀片，使得材料的利用率大大上升，同时也能大大降低硅片的厚度。10.为什么要消除硅片加工时产生的表面损伤层？简要说明消除步骤及特点。在切割、研磨和抛光过程中，会带来表面损伤层。尤其在切割和研磨过程中表面形成一个晶格高度扭曲层和一个较深的弹性变形层。退货或者扩散加热时，弹性应力消失，产生高密度位错层。如此引进的二次缺陷比单晶生长时引进的多得多，从而产生无穷多的载流子复合中心，使光生载流子的寿命大大降低，无法被内建电场分离。化学抛光：使用“OP4”腐蚀液分两次抛光硅片，总时间35
9、分钟，抛光后用王水或者酸性双氧水清除残存离子型杂质和原子型杂质。化学抛光只能去除一定限度的表面损伤层。化学机械抛光：氧化铬抛光：速度快，工艺较易掌握，但抛光损伤层较厚硅胶化学机械抛光：利用二氧化硅胶体或者近胶体状溶液进行抛光，是抛光损伤层最小的一种方法。2、硅的光吸收处于_波段。 答案：红外4、三氯氢硅的提纯主要是_和_两个过程。 答案：粗馏、精馏5、多晶硅的定向凝固，是在凝固过程中采用强制手段，在凝固金属和未凝固体中建立起特定方向的_。 答案：温度梯度6、冶炼级硅生产的工艺过程都可以大体分为_，配料，_，出炉和产品包装等几个部分。 答案：原料准备、熔炼7、改良西门子法包括五个主要环节：_、_
10、、_、_和_。 答案：SiHCl3的合成、SiHCl3精馏提纯、SiHCl3的氢还原、尾气的回收、SiCl4的氢化分离8、由高纯的多晶硅生长单晶硅基本是以_和_两种物理提纯生长方法为主。 答案：区熔法、直拉法1 晶体中那些位于同一平面内的原子形成的平面称为晶面其法线方向称为晶向2所谓少子寿命是指半导体中非平衡少数载流子平均存在的时间长短3导电性能介于导体和绝缘体之间的一类材料称为半导体。4半导体的电阻率数值对温度、杂质和光照三个外部条件变化有较高的敏感性。5多晶硅的制备方法有改良的西门子法，硅烷法，粒状硅法三种6单晶硅的制备方法有区熔法和切克劳斯基法（直拉法）7 绝对纯净而没有缺陷的半导体叫作
11、本征半导体8掺入施主杂质、以电子为多数载流子的硅叫N型硅。9晶体可以分为单晶体、多晶体和无定形体。10晶体在不同的方向上具有不同的性质，这就是晶体的多向异性。1、 同样的掺杂浓度，载流子的迁移率_越大_，材料的电阻就_越低_。2、 半导体材料的电学参数是用_掺杂_的方法来控制的。3、 在直拉法中掺入杂质的方法有_共熔法_和_投杂法_。4、 单晶径向电阻率的差异会使大面积器件电流分布不均匀,产生_局部过热_，引起_局部击穿_,降低_耐压和功率指标_。5、 影响直拉法单晶电阻率的几个因素有杂质的_分凝_、_蒸发_、_沾污_。6、 控制单晶纵向电阻率均匀性的方法有_变速拉晶法_和_双坩埚法_。7、
12、影响单晶径向电阻率均匀性的主要原因是晶体生长时固液界面的_平坦度_和_小平面反应_。8、 在拉晶时，在固液界面处热交换主要有_熔硅凝固放出的潜热_、熔体的热传导、通过晶体向上的热传导和_通过晶体向外的辐射热_。9、 为了获取径向电阻率均匀的单晶，必须调平固液界面。方法有_调整晶体生长热系统使热场的径向温度梯度变小_、调节拉晶运行参数、_调节晶体或坩埚的转速_。10、拉掺Sb单晶时，要在氩气氛下控制，原因是_Sb易挥发_。1. 由高纯的多晶硅生长单晶硅基本是以（直拉法）和（区熔法）两种物理提纯生长方法为主。2硅晶体中硅原子两两之间的夹角为（10928）3.在晶格中，通过任意两点连一直线，则这直线
13、上包含了无数个相同的格点，此直线称为（晶列）。4.三氯氢硅还原法最早由（西门子）公司研究成功。5.硅在自然界中主要以（氧化物）的形式 存在。6.多晶硅的定向凝固，是在凝固过程中采用强制手段，在凝固金属和未凝固体中建立起特定方向的（温度梯度）。7.在锗，硅材料中，当III族杂质元素在数量上占优势时，材料呈现(P)型，当V族占优势时，结果材料成（P）型。10.硅的原子序数是（14）。 1.硅晶体是_原子晶体_,是深灰色而带有金属光泽的晶体。 2. 硅的常见几种化合物，_二氧化硅sio2_，_一氧化硅sio_，_硅的卤化six4_,_三氯化硅_，_硅烷_ 3.在不同的带轴方向上晶体的物理性质不同，这是晶体的_各向异性_ 4. 在锗，硅材料中，当III族杂质元素在数量上占优势时，材料呈现(P)型，当V族占优势时，结果材料成（P）型。 5. 由高纯的多晶硅生长单晶硅基本是以_直拉法_和_区熔法_两种物理提纯生长方法为主 6. 多晶硅的定向凝固，是在凝固过程中采用强制手段，在凝固金属和未凝固体中建立起特定方向的_温度梯度_ 8. 电阻率的测量接触法_四探针法_，_拓展电阻法_。_非接触法电容耦合法_，_电感耦合法_。 9高纯度的多晶硅生长单晶硅则基本是以_区熔法_
