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1、电子技术基础试题库 广东交通职业技术学院电工电子教研组 2017-5-26 版权所有，翻印必究 1NO1.晶体二极管和三极管的基本特性一、填空题类半导体是一种导电能力介于 与 之间的物质。半导体按导电类型分为 型半导体与 型半导体。型半导体主要靠 来导电，型半导体主要靠 来导电。结具有 性能，即加正向电压时，结 ，加反向电压时，结 。晶体二极管主要参数是 与 。晶体二极管按所用的材料可分为 和 两类，按结的结构特点可分为 和 两种。7 P结的正向接法是型区接电源的 极，型区接电源的 极。晶体二极管的伏安特性可简单理解为 导通， 截止的特性。导通后，硅管的管压降约为 ，锗管约为 。9型半导体中的
2、多数载流子是 ，少数载流子是 。型半导体中的多数载流子是 、少数载流子是 。晶体三极管三个电极分别称为 极、 极和 极，它们分别用字母、 和 表示。为了使晶体三极管在放大器中正常工作，发射结须加 电压，集电结须加 电压。由晶体三极管的输出特性可知，它在 、 和 三个区域。1 、晶体三极管是由两个结构成的一种半导体器件，其中一个结叫做 ，另一个叫做 。晶体三极管有 型和 型两种，硅管以 型居多，锗管以 型居多。晶体三极管具有电流放大作用的条件是:第一，使 区的多数载流子浓度高， 区的面积大， 区尽可能地薄；第二，使 结正向偏置， 结反向偏置。晶体三极管发射极电流 Ie、 基极电流 Ib 和集电极
3、电流 Ic 之间的关系是 。其中 Ic/Ib 叫做 ，用字母 表示;Ie /Ib 叫做 ，用字母 表示。晶体三极管的电流放大作用，是通过改变 电流来控制 电流的，其实质是以 电流控制 电流。硅晶体三极管的饱和电压降为 ，锗晶体三极管的饱和电压降为 。2硅晶体三极管发射结的导通电压约为，锗晶体三极管发射结的导通电压约为 。当晶体三极管截止时，它的发射结必须是偏置，集电结必须是 或 偏置。当晶体三极管处于饱和状态时，它的发射结必定加 电压，集电结必定加 或电压。当晶体三极管的队 ce 一定时，基极与发射极间的电压 be 与基极电流 b 间的关系曲线称为 ;当基极电流 Ib 一定时，集电极与发射极间
4、的电压 Uce 与集电极电流人 Ic 关系曲线称为 。晶体三极管的电流放大系数太小时，电流放大作用将 ;而电流放大系数太大时，又会使晶体三极管的性能 。晶体三极管的穿透电流 Iceo 随温度的升高而增大，由于硅三极管的穿透电流比锗三极管 ，所以硅三极管的 比锗三极管好。类在判别锗、硅晶体二极管时，当测出正向电压为 时，就认为此晶体二极管为锗二极管；当测出正向电压为时，就认为此二极管为硅二极管。结中的内电场阻止多数载流子的 运动，促进少数载流子的 运动。型晶体三极管的发射区是 型半导体，集电区是 型半导体，基区是 型半导电子技术基础试题库 广东交通职业技术学院电工电子教研组 2017-5-26
5、版权所有，翻印必究 2体。有一个晶体管继电器电路，其晶体管与继电器的吸引线圈相串联，继电器的动作电流为。若晶体三极管的直流电流放大系数 =，便使继电器开始动作，晶体三极管的基极电流至少为 。5 2系列晶体二极管是 材料做成的，其工作温度较 。、系列晶体二极管是 材料做成的，其工作温度较 。点接触型晶体二极管因其结电容 ，可用于 和 的场合；面接触型晶体二极管因其接触面积大，可用于 的场合。按用途可把晶体二极管分为 、 、 、 、 等。晶体三极管的输入特性曲线和晶体二极管的 相似，晶体三极管输入特性的最重要参数是交流输入电阻，它是和 的比值。类晶体二极管的直流电阻（即静态电阻）定义为 ，如果工作
6、点改变，直流电阻 。晶体二极管的交流电阻（即动态电阻）定义为 ，如果工作点改变，交流电阻 。晶体极管的结电容包含两部分： 和 ，一般 占主要地位。晶体三极管的伏安特性曲线反映了各极之间的 和 关系，对了解和使用晶体三极管是非常重要的。晶体三极管的伏安特性曲线可分为 和 两类。晶体三极管的输入电阻可分成直流输入电阻 Rbe 和交流输入电阻 rbe，be= ，be 。工作点变化时，输入电阻 。晶体三极管的穿透电流 Iceo 定义为 。它是由 产生的，随温度的增高 。晶体三极管的集电极发射极击穿电压 Vceo 定义为 ， Vceo 随温度增高。在图.中分档开关与端接通时，电压表 V 的读数是V ，毫
7、安表的读数是。若忽略晶体二极管的正向电阻、电池的内阻和毫安表的内阻，并认为电压表的内阻和晶体二极管的反向电阻为无穷大，则开关与端接通时，毫安表的读数应为 ，电压表 V 的读数应为而当开关与端接通时，m 的读数应为 ，的读数应为 。晶体三极管的集电极最大允许电流 Icm 定义为 ，它是晶体三极管工作电流的上限。二、判断题（对的画，错的画）类1有一个晶体三极管接在电路中，今测得它的三个管脚电位分别为一 9V、和一.2，说明这个晶体三极管是锗 管。 （ ）晶体三极管由两个结组成，所以能用两个晶体二极管反向连接起来做成晶体三极管使用。 （ ）因为晶体三发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多，所以不能用
8、两个晶体二极管反向连接起来代替晶体三极管。 （ ）晶体三极管相当于两个反向连接的晶体二极管，所以基极断开后还可以作为晶体二极管使用。 （ ）晶体二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体三极管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。 （ ）型半导体的多数载流子是电子，因此型半导体带负电。 （ ）型半导体的多数载流子是空穴，因此型半导体带正电。 （ ）电子技术基础试题库 广东交通职业技术学院电工电子教研组 2017-5-26 版权所有，翻印必究 3晶体极管是根据给单向导电的特性制成的，因此晶体二极管也具有单向导电性。 （ ）当晶体二极管加反向电压时，晶体二极管将有很小的反向电流通过，这个反向电
9、流是由型和到半导体中少数载流子的漂移运动产生的。 （ ）当晶体二极管加正向电压时，晶体二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由型和型半导体中的多数载流子的扩散运动产生的。 （ ）若晶体三极管发射结处于反向偏置，则其处于截止状态。 （ ）发射结处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。 （ ）空穴和电子一样，都是载流子。 （ ）在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。 （ ）5 一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。 （ ）常温下，硅晶体三极管的 be ，且随温度升高 be 也增加。 （ ）类用万用表识别晶体二极管的极性时，若测的是晶体一极管的正向电阻
10、，那么，和标有“”号的测试棒相连接的是晶体二极管的正极，另一端是负极。 （ ）国产小功率晶体三极管的各管脚的极性如图 1所示。 （ ）型半导体是在本征半导体中，加入少量的三价元素构成的杂质半导体。 （ ）型半导体是在本征半导体中，加入少量的五价元素构成的杂质半导体。 （ ）在型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，教自由电子称为多数载流子，空穴称为少数载流子。 （ ）在型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。 （ ）当外加反向电压增加时，结的结电容减少。 （ ）一般来说，硅晶体二极管的死区电压。小于诸晶体二极管的死区电压。 （ ）类晶体三极管的基区之所以做得很薄，是为了减少电子和空
11、穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流 （ ）在图所示的电路中，晶体二极管若为硅管则能导通，为锗管则不导通。 （ ）在图所示电路中， ；断开或接上晶体二极管对电流表的读数有影响。 （ ）当外加电压为零时，结的电容最小。 （ ）5 当反向电压小平反向击穿电压时，晶体二极管的反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增大。 （ ）晶体二极管击穿后立即烧毁。：（ ）特定的晶体三极管，其静态电阻是固定不变的，但动态电阻则随工作点的变化而改变。 （ ）特定的晶体三极管，如环境温度不变，其输入电阻和放大倍数是固定不变的。 （ ）当晶体三极管的工作电流小于集电极最大允许电流，且 Uce 小于 ceo 时，晶体三极管就能安全工作。 （ ）三、选择题 （将正确答案的序号写在括号内）类当 结两端加正向电压时，那么参加导电的是 （ ） 。多数载流子; 少数载流子 ; 既有多数载流子又有少数载流子如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管（ ） 。正常;已被击穿; 内部断路如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该晶体二极管（ ） 。正常; 已被击穿; 内部断路当晶体三极管的两个结都反偏时，则晶体三极管处于（ ） 。电子
