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1、常用的 IN40014007 型锗二极管的额定正向工作电流为 1AIN4001 二极管反向耐压为 50V，IN4007 反向耐压为 1000V第一部分，用 2 表示为二极管（A 锗 N 型，B 锗 P 型，C 硅 N 型，D 硅 P 型，P 普通管，W 稳压管，Z 整流管，L 整流堆，N 阻尼管，U 光电管）发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负应用1、整流利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。2、开关二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极
2、管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。3、限幅二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为 0.7V，锗管为 0.3V） 。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。4、续流在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。5、检波在收音机中起检波作用。6、变容使用于电视机的高频头中。7、显示用于 VCD、DVD、计算器等显示器上。8、稳压稳压二极管实质上是一个面结型硅二极管，稳压二极管工作在反向击穿状态。在二极管的制造工艺上，使它有低压击穿特性。稳压二极管的反向击穿电压恒定，在稳压电路中串入限流电阻，使稳压管击穿后电流不超过允许值，因此击穿状态可以长期持续并不会
3、损坏。9、触发触发二极管又称双向触发二极管（DIAC）属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ，在电路中作过压保护等用途。部分常用二极管参数05Z6.2Y 硅稳压二极管 Vz=66.35V,Pzm=500mW,05Z7.5Y 硅稳压二极管 Vz=7.347.70V,Pzm=500mW,05Z13X 硅稳压二极管 Vz=12.413.1V,Pzm=500mW,05Z15Y 硅稳压二极管 Vz=14.415.15V,Pzm=500mW,05Z18Y 硅稳压二极管 Vz=17.5518.45V,Pzm=500mW,1N4001 硅整流二极管 50V,1A,(Ir=5uA,Vf=
4、1V,Ifs=50A)1N4002 硅整流二极管 100V,1A,1N4003 硅整流二极管 200V,1A,1N4004 硅整流二极管 400V,1A,1N4005 硅整流二极管 600V,1A,1N4006 硅整流二极管 800V,1A,1N4007 硅整流二极管 1000V,1A,1N4148 二极管 75V,4PF,Ir=25nA,Vf=1V,1N5391 硅整流二极管 50V,1.5A,(Ir=10uA,Vf=1.4V,Ifs=50A)1N5392 硅整流二极管 100V,1.5A,1N5393 硅整流二极管 200V,1.5A,1N5394 硅整流二极管 300V,1.5A,1N5
5、395 硅整流二极管 400V,1.5A,1N5396 硅整流二极管 500V,1.5A,1N5397 硅整流二极管 600V,1.5A,1N5398 硅整流二极管 800V,1.5A,1N5399 硅整流二极管 1000V,1.5A,1N5400 硅整流二极管 50V,3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A)1N5401 硅整流二极管 100V,3A,1N5402 硅整流二极管 200V,3A,1N5403 硅整流二极管 300V,3A,1N5404 硅整流二极管 400V,3A,1N5405 硅整流二极管 500V,3A,1N5406 硅整流二极管 600V,3A,1N5407
6、 硅整流二极管 800V,3A,1N5408 硅整流二极管 1000V,3A,1S1553 硅开关二极管 70V,100mA,300mW,3.5PF,300ma,1S1554 硅开关二极管 55V,100mA,300mW,3.5PF,300ma,1S1555 硅开关二极管 35V,100mA,300mW,3.5PF,300ma,1S2076 硅开关二极管 35V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,Ir1uA,Vf0.8V，1.8PF,1S2076A 硅开关二极管 70V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,60V,Ir1uA,Vf0.8V，1.8PF,1S24
7、71 硅开关二极管 80V,Ir0.5uA,Vf1.2V，2PF,1S2471B 硅开关二极管 90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,1S2471V 硅开关二极管 90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,1S2472 硅开关二极管 50V,Ir0.5uA,Vf1.2V，2PF,1S2473 硅开关二极管 35V,Ir0.5uA,Vf1.2V，3PF,1S2473H 硅开关二极管 40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,2AN1 二极管 5A,f=100KHz2CK100 硅开关二极管 40V,150mA,300mW,4nS,3PF,
8、450ma,2CK101 硅开关二极管 70V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,2CK102 硅开关二极管 35V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,2CK103 硅开关二极管 20V,100mA,2PF,100ma,2CK104 硅开关二极管 35V,100mA,10nS,2PF,225ma,2CK105 硅开关二极管 35V,100mA,4nS,2PF,225ma,2CK106 硅开关二极管 75V,100mA,4nS,2PF,100ma,2CK107 硅开关二极管 90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,2CK108 硅开关二极管
9、 70V,100mA,300mW,3.5PF,300ma,2CK109 硅开关二极管 35V,100mA,300mW,3.5PF,300ma,2CK110 硅开关二极管 90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,2CK111 硅开关二极管 55V,100mA,300mW,3.5PF,300ma,2CK150 硅开关二极管 15V,Ir25nA,Vf1.2V，2PF,2CK161 硅开关二极管 15V,Ir25nA,Vf1.2V，2PF,2CK4148 硅开关二极管 75V,Ir25nA,Vf=1V,4PF,2CK2076 硅开关二极管 35V,Ir1uA,Vf0.8V，1.8
10、PF,2CK2076A 硅开关二极管 60V,Ir1uA,Vf0.8V，1.8PF,2CK2471 硅开关二极管 80V,Ir0.5uA,Vf1.2V，2PF,2CK2472 硅开关二极管 50V,Ir0.5uA,Vf1.2V，2PF,2CK2473 硅开关二极管 35V,Ir0.5uA,Vf1.2V，3PF,2CN1A 硅二极管 400V,1A,f=100KHz,2CN1B 硅二极管 100V,1A,f=100KHz,2CN3 硅二极管 V,1A,f=100KHz,2CN3D 硅二极管 V,1A,f=100KHz,2CN3E 硅二极管 V,1A,f=100KHz,2CN3F 硅二极管 V,1
11、A,f=100KHz,2CN3G 硅二极管 V,1A,f=100KHz,2CN3H 硅二极管 V,1A,f=100KHz,2CN3I 硅二极管 V,1A,f=100KHz,2CN3K 硅二极管 V,1A,f=100KHz,2CN4D 硅二极管 V,1.5A,f=100KHz,2CN5D 硅二极管 V,1.5A,f=100KHz,2CN6 硅二极管 V,1A,f=100KHz,2CP1553 硅二极管 Ir0.5uA,Vf1.4V，3.5PF,2CP1554 硅二极管 Ir0.5uA,Vf1.4V，3.5PF,2CP1555 硅二极管 Ir0.5uA,Vf1.4V，3.5PF,2CW1 硅稳压二
12、极管 Vz=7.08.8V,Pzm=280mW,2CW2 硅稳压二极管 Vz=8.59.5V,Pzm=280mW,2CW3 硅稳压二极管 Vz=9.210.5V,Pzm=280mW,2CW4 硅稳压二极管 Vz=10.011.8V,Pzm=280mW,2CW5 硅稳压二极管 Vz=11.512.5V,Pzm=280mW,2CW5 硅稳压二极管 Vz=12.214V,Pzm=280mW,2CW9 硅稳压二极管 Vz=1.02.8V,Pzm=250mW,2CW10 硅稳压二极管 Vz=2.53.5V,Pzm=250mW,2CW11 硅稳压二极管 Vz=3.24.5V,Pzm=250mW,2CW12
13、 硅稳压二极管 Vz=4.05.8V,Pzm=250mW,2CW13 硅稳压二极管 Vz=5.56.5V,Pzm=250mW,参数符号及其意义CT-势垒电容Cj-结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv-偏压结电容Co-零偏压电容Cjo-零偏压结电容Cjo/Cjn-结电容变化Cs-管壳电容或封装电容Ct-总电容CTV-电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC-电容温度系数Cvn-标称电容IF-正向直流电流（正向测试电流） 。锗检波二极管在规定的正向电压 VF 下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中
14、允许连续通过的最大工作电流（平均值） ，硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）- 正向平均电流IFM（IM ） -正向峰值电流（正向最大电流） 。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IH-恒定电流、维持电流。Ii- 发光二极管起辉电流IFRM-正向重复峰值电流IFSM-正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)-正向过载电流IL-光电流或稳流二极管极限电流ID-暗电流IB2-单结晶体管中的基极调制电流IEM-发射极峰值电流IEB10-
15、双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20-双基极单结晶体管中发射极向电流ICM-最大输出平均电流IFMP-正向脉冲电流IP-峰点电流IV-谷点电流IGT-晶闸管控制极触发电流IGD-晶闸管控制极不触发电流IGFM-控制极正向峰值电流IR（AV）-反向平均电流IR（In）-反向直流电流（反向漏电流） 。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压 VR 时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。IRM-反向峰值电流IRR-晶闸管反向重复平均电流IDR-晶闸管断态平均重复电流IRRM-反向重复峰值电流IRSM-反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）Irp-反向恢复电流Iz-稳定电压电流（反向测试电流） 。测试反向电参数时，给定的反向电流Izk-稳压管膝点电流IOM-最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM-稳压二极管浪涌电流IZM-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF-正向总瞬时电流iR-反向总瞬时电流ir-反向恢复电流Iop-工作电流Is-稳流二极管稳定电流f-频率n-电容变化指数；电容比
