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1、二极管的特性与应用 5 S( _- S8 x( O2 K9 s 几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。 二极管的工作原理 2 7 Q: u9 s% p5 w# ?& Q P; J- A+ A4 a晶体二极管为一个由 p 型半导体和 n 型半导体形成的 p-n 结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于 p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电
2、流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流 I0。当外加的反向电压高到一定程度时， p-n 结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。 ( A7 R$ P+ & n x3 U9 i1 |& T: I g 二极管的类型 # s. r/ o$ _ C$ i二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗 二极管（Ge 管）和硅二极管（Si管） 。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构，又可分为点
3、接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN 结” 。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安） ，适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN 结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安） ，主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。 3 F1 X- o7 N3 J k/ Q( A+ O二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向
4、导电性。在电路中，电流只能从 二极管的正极流入，负极流出。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。 4 1 D6 K- P1 K2 H( P1 V1. 正向特性。 . / p G3 C! 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端， 二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压” ，锗管约为 0.2V，硅管约为 0.6V）以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为 0.3V，硅管约为 0.7V）
5、，称为二极管的“正向压降” 。 2. 反向特性。 * * v% _& Z4 K: g a* 8 K$ P O/ K7 4 j8 T7 s0 d- e6 ?2 a 在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时 二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。 二极管的主要参数 $ t! . l, # W i2 e; x用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为 二
6、极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。对初学者而言，必须了解以下几个主要参数： 1、额定正向工作电流 - o4 a5 n! u+ v. I: e S是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为 140 左右，锗管为 90 左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如，常用的IN40014007 型锗二极管的额定正向工作电流为 1A。 2、最高反向工作电压 ) F. Y) ; O- D! * S( _加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了
7、保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001 二极管反向耐压为50V，IN4007 反向耐压为 1000V。 3、反向电流 , r: b$ M* | ; M. C S3 % N2 k0 j. ( F+ v; B, y反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高 10，反向电流增大一倍。例如 2AP1 型锗二极管，在 25 时反向电流若为250uA，温度升高到 35，反向电流将上升到 500uA，依此类推，在 75 时，它的反向电流已达 8mA，不仅失去了单
8、方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10 型硅二极管，25 时反向电流仅为 5uA，温度升高到 75 时，反向电流也不过 160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。 3 _9 y e0 i5 b1 G测试二极管的好坏 6 F) R0 k/ i3 Z2 )& t5 6 e0 G9 U4 E# y. M) o f: B0 Q6 l2 X1 8 4 初学者在业余条件下可以使用万用表测试二极管性能的好坏。测试前先把万用表的转换开关拨到欧姆档的 RX1K 档位（注意不要使用 RX1 档，以免电流过大烧坏 二极管） ，再将红、黑两根表笔短路，进行欧姆调零。 & U& m2 M&
9、 ?3 ? w w5 C% |) O. J2 K6 d0 r8 Y1 Y1、正向特性测试 % L/ U8 p. + a: a5 + s5 L, i% O+ * O h 把万用表的黑表笔（表内正极）搭触二极管的正极， ，红表笔（表内负极）搭触二极管的负极。若表针不摆到 0 值而是停在标度盘的中间，这时的阻值就是二极管的正向电阻，一般正向电阻越小越好。若正向电阻为 0 值，说明管芯短路损坏，若正向电阻接近无穷大值，说明管芯断路。短路和断路的管子都不能使用。 + A+ S2 f8 y n7 w+ T # A* a* J6 b- |8 l+ f2、反向特性测试 把万且表的红表笔搭触二极管的正极，黑表笔
10、搭触二极管的负极，若表针指在无穷大值或接近无穷大值，管子就是合格的。 二极管的应用 * J9 8 z5 r: b$ k5 1、 利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电。 I0 w: 4 z7 s& 2、开关元件 R6 Y t8 J8 B/ n二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。 3、限幅元件 6 L# a6 _4 x5 F) N7 0 O& z- H/ 9 s5 M2 R/ 5 I6 f) I3 j: t& X二极管正向导
11、通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为 0.7V，锗管为 0.3V） 。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。 4、继流二极管 - ) h0 y+ * D i! M( L) s6 E / b# g6 + X4 l8 k$ n* g- z在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。 2 F3 N+ H, O3 a5 c X2 t- a5、检波二极管 y# , E( a7 M7 q9 T8 x在收音机中起检波作用。 - ?- O 5 t1 ?- c& p9 y4 I7 X/ M t! ?$ q! V# M1 s6、变容二极管 使用于电视机的高频头中。半导体的特性
12、- x+ u7 M- - q8 u J半导体的导电性能比导体差而比绝缘体强。实际上，半导体与导体、绝缘体的区别在不仅在于导电能力的不同，更重要的是半导体具有独特的性能（特性） 。$ _% Z$ s; P. z1 在纯净的半导体中适当地掺入一定种类的极微量的杂质，半导体的导电性能就会成百万倍的增加-这是半导体最显著、最突出的特性。例如，晶体管就是利用这种特性制成的。: y0 _! a _& y B4 |( J: S7 _( g# W0 e2 当环境温度升高一些时，半导体的导电能力就显著地增加；当环境温度下降一些时，半导体的导电能力就显著地下降。这种特性称为“热敏” ，热敏电阻就是利用半导体的这种
13、特性制成的。 q B, X# R4 v9 Q T3 当有光线照射在某些半导体时，这些半导体就像导体一样，导电能力很强；当没有光线照射时，这些半导体就像绝缘体一样不导电，这种特性称为“光敏” 。例如，用作自动化控制用的“光电二极管” 、 “光电三极管”和光敏电阻等，就是利用半导体的光敏特性制成的。由此可见，温度和光照对晶体管的影响很大。因此，晶体管不能放在高温和强烈的光照环境中。在晶体管表面涂上一层黑漆也是为了防止光照对它的影响。最后，明确一个基本概验：所谓半导体材料，是一种晶体结构的材料，故“半导体”又叫“晶体” 。9 H+ 3 $ v9 WP 性半导体和 N 型半导体- 前面讲过，在纯净的半
14、导体中加入一定类型的微量杂质，能使半导体的导电能力成百万倍的增加。加入了杂质的半导体可以分为两种类型：一种杂质加到半导体中去后，在半导体中会产生大量的带负电荷的自由电子，这种半导体叫做“N 型半导体” （也叫“电子型半导体” ） ；另一种杂质加到半导体中后，会产生大量带正电荷的“空穴” ，这种半导体叫“P 型半导体” （也叫“空穴型半导体” ） 。例如，在纯净的半导体锗中，加入微量的杂质锑，就能形成 N 型半导体。同样，如果在纯净的锗中，加入微量的杂质铟，就形成 P 型半导体。 0 . W9 C2 r. u# F一个 PN 结构成晶体二极管- 设法把 P 型半导体（有大量的带正电荷的空穴）和
15、N 型半导体（有大量的带负电荷的自由电子）结合在一起，见图 1 所示。1 y$ K; - w% S, E7 a/ 6 m- z6 J: w. , 2 s- K- s图 1 - f0 q9 M1 J8 r+ v1 A+ E在 P 型半导体的 N 型半导体相结合的地方，就会形成一个特殊的薄层，这个特殊的薄层就叫“PN 结” 。晶体二极管实际上就是由一个 PN 结构成的（见图 1） 。5 j; F& u9 k2 s( l9 E $ g9 j# f! g+ m M) k x例如，收音机中应用的晶体二极管，其触丝（即触针）部分相当于 P 型半导体，N 型锗片就是 N 型半导体，他们之间的接触面就是 PN
16、 结。P 端（或 P 端引出线）叫晶体二极管的正端（也称正极） 。N 端（或 N 端引出线）叫晶体二极管 的负端（也称负极） 。* : Q9 U: 9 U$ |7 a) U- d5 3 u如果像图 2 那样，把正端连接电池的正极，把负端接电池的负极，这是 PN 结的电阻值就小到只有几百欧姆了。因此，通过 PN 结的电流（I=U/R）就很大。这样的连接方法（图2a）叫“正向连接” 。正向连接时，晶体管二极管（或 PN 结）两端承受的电压叫“正向电压” ；处在正向电压下，二极管（或 PN 结）的电阻叫“正向电阻” ，在正向电压下，通过二极管（或 PN 结）的电流叫“正向电流” 。很明显，因为晶体二极管的正向电阻很小（几百欧姆） ，在一定正向电压下，正向电流（I=U/R）
