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1、模拟部分自测题 1一、选择题：（每小题 2 分，共 20 分）1、单极型半导体器件是（C） 。A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。2、P 型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。3、稳压二极管的正常工作状态是（C） 。A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于 1K，说明该二极管（C ） 。A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通； D、无法判断。5、PN 结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。A、多子扩散； B、少子扩散
2、； C、少子漂移； D、多子漂移。6、测得 NPN 型三极管上各电极对地电位分别为 VE2.1V，V B2.8V，V C4.4V ，说明此三极管处在（A ） 。A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C） 。A、较大； B、较小； C、为零； D、无法判断。8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C） 。A、矩形方波； B、等腰三角波； C、正弦半波； D、仍为正弦波。9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。A、集电极最大允许电流 ICM； B、集射极间反向击穿电压 U（BR）CEO ；C、集电极最大允许耗散功率 PCM； D、管子的电流
3、放大倍数 。10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。二、简述题：（每小题 4 分，共 28 分）1、N 型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子， P 型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说 N 型半导体带负电， P 型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了 N 型半导体或 P 型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。2、某人用测电位的方法测出
4、晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚12V、管脚3V、管脚3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。答：管脚和管脚电压相差 0.7V，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚比管脚和的电位都高，所以一定是一个 NPN 型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚是发射极，管脚是基极，管脚是集电极。3、图 6-23 所示电路中，已知 E=5V， V，二极管为理想元件（即认为正tusin10i向导通时电阻 R=0，反向阻断时电阻 R=） ，试画出 u0 的波形。答：分析：根据电路可知，当 uiE 时，二极管导通u0=ui，当 uiE 时，二极管截止时， u0=E。所以 u0 的波形图如下图所示
5、：4、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同？答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子，它们同时参与导电，这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电，因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。5、图 6-24 所示电路中，硅稳压管 DZ1 的稳定电压为 8V，D Z2 的稳定电压为 6V，正向压降均为 0.7V，求各电路的输出电压 U0。答：（a）图：两稳压管串联，总稳压值为 14V，所以 U0=14V；（b）图：两稳压管并联，输出电压按小值计，因
6、此 U0=6V；（c）图：两稳压管反向串联，U 0=8.7V；（d）图：两稳压管反向并联，可认为 DZ1 截止不通，则 U0=0.7V。6、半导体二极管由一个 PN 结构成，三极管则由两个 PN 结构成，那么，能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管？如不能，说说为什么？答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。因为，两个背靠背的二极管，其基区太厚，不符合构成三极管基区很薄的内部条件，即使是发射区向基区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续向集电区图 6-23图 6-24u/V t0uiu0105扩散，所以这样的“三极管”是不会有电流放
7、大作用的。7、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大倍数大大降低。因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大，且结面积也不同。自测题 2一、选择题：（每小题 2 分，共 20 分）1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C） 。A、直流成分； B、交流成分； C、交直流成分均有。2、基本放大电路中的主要放大对象是（B） 。A、直流信号； B、交流信号； C、交直流信号均有。3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若 VB 点电位过高，电路易出现（B） 。A、截止失真； B、饱和失真； C、晶体管被烧损。4、共发射极放大电路
8、的反馈元件是（B） 。A、电阻 RB； B、电阻 RE； C、电阻 RC。5、功放首先考虑的问题是（A ） 。A、管 子 的 工 作 效 率 ； B、 不 失 真 问 题 ； C、 管 子 的 极 限 参 数 。6、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（A ） 。A、放大电路的电压增益； B、不失真问题； C、管子的工作效率。7、射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（A ）A、带负载能力强； B、带负载能力差； C、减轻前级或信号源负荷。8、功放电路易出现的失真现象是（C） 。A、饱和失真； B、截止失真； C、交越失真。9、基极电流 iB 的数值较大时，易引起静态工作点 Q 接近（B） 。A
9、、截止区； B、饱和区； C、死区。10、射极输出器是典型的（C） 。A、电流串联负反馈； B、电压并联负反馈； C、电压串联负反馈。二、简答题：（共 23 分）1、共发射极放大器中集电极电阻 RC 起的作用是什么？（3 分）答：R C 起的作用是把晶体管的电流放大转换成放大器的电压放大。2、放大电路中为何设立静态工作点？静态工作点的高、低对电路有何影响？（4 分）答：设立静态工作点的目的是使放大信号能全部通过放大器。Q 点过高易使传输信号部分进入饱和区；Q 点过低易使传输信号部分进入截止区，其结果都是信号发生失真。3、指出图 7-21 所示各放大电路能否正常工作，如不能，请校正并加以说明。
10、（8 分）答：（a）图缺少基极分压电阻 RB1，造成 VB=UCC 太高而使信号进入饱和区发生失真，另外还缺少 RE、C E 负反馈环节，当温度发生变化时，易使放大信号产生失真；（b）图缺少集电极电阻 RC，无法起电压放大作用，同时少 RE、C E 负反馈环节；（c）图中 C1、 C2 的极性反了，不能正常隔直通交，而且也缺少 RE、C E 负反馈环节；（d）图的管子是 PNP 型，而电路则是按 NPN 型管子设置的，所以，只要把管子调换成 NPN 型管子即可。4、说一说零点漂移现象是如何形成的？哪一种电路能够有效地抑制零漂？（4 分）答：直接耦合的多级放大电路，当输入信号为零时，输出信号电压
11、并不为零的现象称为零点漂移。晶体管参数受温度的影响是产生零漂的根本和直接原因。采用差动放大电路可以有效地解决零漂问题。5、为削除交越失真，通常要给功放管加上适当的正向偏置电压，使基极存在的微小的正向偏流，让功放管处于微导通状态，从而消除交越失真。那么，这一正向偏置电压是否越大越好呢？为什么？（4 分）答：这一正向电压较小，仅使两个管子都工作在微导通状态即可。因为，交越失真实际上是两个功放管都存在正向死区电压造成的，消除交越失真，实际上就是解决死区电压的问题。如果这一正向偏置电压大于死区电压较多，势必造成两个功放管不能正常工作。自测题 3一、选择题：（每小题 2 分，共 20 分）1、理想运放的
12、开环放大倍数 Au0 为（A ） ，输入电阻为（A ） ，输出电阻为（B ） 。A、； B、0； C、不定。2、国产集成运放有三种封闭形式，目前国内应用最多的是（C） 。A、扁平式； B、圆壳式； C、双列直插式。3、由运放组成的电路中，工作在非线性状态的电路是（C） 。RB2RCC1C2TV CC（a）RB2RB1C1C2V CC（b）图 7-21 检 测 题 7-4-3 电 路 图RB2RCC1C2TV CC（c）RB2RCC1C2TV CC（d）RB1 RB1RE CEA、反相放大器； B、差分放大器； C、电压比较器。4、理想运放的两个重要结论是（B） 。A、虚 短 与 虚 地 ； B
13、、 虚 断 与 虚 短 ； C、 断 路 与 短 路 。5、集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（B） 。A、正反馈与负反馈； B、线性与非线性； C、虚断和虚短。6、 （B）输入比例运算电路的反相输入端为虚地点。A、同相； B、反相； C、双端。7、集成运放的线性应用存在（C）现象，非线性应用存在（B ）现象。A、虚地； B、虚断； C、虚断和虚短。8、各种电压比较器的输出状态只有（B） 。A、一种； B、两种； C、三种。9、基本积分电路中的电容器接在电路的（C） 。A、反相输入端； B、同相输入端； C、反相端与输出端之间。10、分析集成运放的非线性应用电路时，不能使用的概念是（B）
14、。A、虚地； B、虚短； C、虚断。二、问题：（共 20 分）1、集成运放一般由哪几部分组成？各部分的作用如何？（4 分）答：集成运放一般由输入级、输出级和中间级及偏置电路组成。输入级一般采用差动放大电路，以使运放具有较高的输入电阻及很强的抑制零漂的能力，输入级也是决定运放性能好坏的关键环节；中间级为获得运放的高开环电压放大倍数（10 310 7） ，一般采用多级共发射极直接耦合放大电路；输出级为了具有较低的输出电阻和较强的带负载能力，并能提供足够大的输出电压和输出电流，常采用互补对称的射极输出器组成；为了向上述三个环节提供合适而又稳定的偏置电流，一般由各种晶体管恒流源电路构成偏置电路满足此要
15、求。2、何谓“虚地”？何谓“虚短”？在什么输入方式下才有“虚地”？若把“虚地”真正接“地” ，集成运放能否正常工作？（4 分）答：电路中某点并未真正接“地” ，但电位与“地”点相同，称为“虚地” ；电路中两点电位相同，并没有真正用短接线相连，称为“虚短” ，若把“虚地”真正接“地” ，如反相比例运放，把反相端也接地时，就不会有 ii=if成立，反相比例运算电路也就无法正常工作。3、集成运放的理想化条件主要有哪些？（3 分）答：集成运放的理想化条件有四条：开环差模电压放大倍数 AU0=；差模输入电阻 rid=；开环输出电阻 r0=0；共模抑制比 KCMR=。4、在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单门限电压比较器和滞回比较器的输出电压各变化几次？（3 分）答：在输入电压从足够低逐渐增大至足够高的过程中，单门限电压比较器和滞回比较器的输出电压均只跃变一次。5、集成运放的反 相 输 入 端 为 虚 地 时 ， 同 相 端 所 接 的 电 阻 起 什 么 作 用 ？（3 分）答：同相端所接电阻起平衡
