2018年春季《模拟电子技术(高起专)》期末考核

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1、期末作业考核模拟电子技术 满分100分一、简答题(每题10分,共30分)1. 在集成运算放大电路中,常用的偏置电路有哪几种?答:镜像电流源、比例电流源和微电流源。2. 简述温度对三极管参数的影响。答:首先,从输入特性看,当温度升高时,为得到同样的IB所需的UBE值将减小。其次,温度升高时三极管的值也将增加,使输出特性之间的间距增大。最后,当温度升高时,三极管的反向饱和电流ICBO将急剧增加。3. 试对放大电路三种基本组态进行比较。答:(1)共射电路同时具有较高的电压放大倍数和电流放大倍数,输入电阻和输出电阻值比较适中,所以,一般只要对输入电阻、输出电阻和频率相应没有特殊要求的地方,均常采用。因

2、此,共射电路被广泛的用作低频电压放大电路的输入级、中间级和输出级。(2)共集电路的特点是电压跟随,这就是电压放大倍数接近于1而小于1,而且输入电阻很高、输出电阻很低,由于具有这些特点,常被用作多级放大电路的输入级、输出级或作为隔离用的中间级。(3)共基电路的突出特点在于它具有很低的输入电阻,使晶体管结电容的影响不显著,因而频率相应得到很大的改善,所以这种接法常常用于宽频带放大器中。另外,由于输出电阻高,共基电路还可以作为恒流源。二、计算题(共70分)1. 下图表示同向输入放大电路。试求此电路的放大倍数AV。(15分)2. 一个晶体管的基极电流IB=20A,集电极电流IC=1.5mA,能否从这两

3、个数据来确定它的电流放大系数?为什么?(15分)3. 如图说是电路中UCC=12V,RB=400K,RC=3 K,晶体管=80,锗管。试求:(1)估算放大电路的静态工作点,并标出电压、电流的极性和方向;(2)应选多大的RB才能使管压降UCE=-2.4V;(3)若调整电流IC=1.6mA,问RB应选多大?(20分) 4. 如图所示发射极接地电路中,当VBE从0.1v变化列0.4v时,基极电流从0.2mA变化到0.8mA,集电极电流从14mA变化到44mA。求此时的电流放大系数hfe(=)。(20分)解:基极电流的变化量D IB及集电极电流的变化量D IC,可由此二电流在变化后的大小减去变化前的大小而得到:IBD (0.8D 0.2)D 10D 3AD 0.6D 10D 3A DICD (44D 14) D10D 3AD 3010 D3A D IC30 D10D 350 所以,hfe(DD)DD3D IB0.6D 10即集电极电流的变化量相当于基极电流变化量的50倍。

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